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公开(公告)号：CN116904916A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310750838.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法，包括：S1.原料准备：以高硅铁硅合金为硅源，以低硅硅钢片为基片，以Ag为介质；S2.将Ag置于硅源和基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶，将扩散偶于1100～1200℃、惰性气氛下烧结使Ag完全熔化，在硅源与基片之间形成液态Ag介质，渗硅一定时间，得到高硅硅钢片。本发明以低硅硅钢片作为基片，在硅源和基片中间引入熔融Ag作为液相介质，通过高温扩散渗硅的过程，在液相介质中硅源处与基片处建立合适的Si浓度梯度，可以提高基片表面Si含量，还能控制液相介质中的渗硅速率。
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公开(公告)号：CN116589286A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310654590.9
申请日：2023-06-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/645 , C04B35/581 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种采用乙酰丙酮钇作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷的方法，乙酰丙酮钇粉末与有机溶剂混合并加热后，加入一定质量比的氮化铝粉末，然后进行混合并球磨，得到混合粉末；所得混合粉末进行等离子活化烧结，得到氮化铝陶瓷块体材料。本发明开发了乙酰丙酮钇作为氮化铝烧结助剂的新用途，将其作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷有效解决了氮化铝粉体烧结中因氧杂质含量较高导致热导率降低的问题。
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公开(公告)号：CN106191479A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610519550.3
申请日：2016-07-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钨合金的非自耗电弧熔炼制备方法，其包括钨粉的初步净化、冷压成型及预制块体制备、抽真空、通氩气和电弧熔炼步骤。本发明与现有技术相比，工艺简单、效率高、成本低，且有提纯效果，可制得纯度高，无明显气孔，致密度高(98.1％～99.2％)的超高比重钨合金(钨比重含量达99.7％～99.9％，比重最高可达19.11)；可应用于电子工业、核工业、航空航天及动高压物理等领域。
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公开(公告)号：CN103849824B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201410086701.1
申请日：2014-03-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C22C49/10 , C22C47/14 , C22C47/04 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明是一种CNT增强W‑Cu热用复合材料的制备方法，具体是：采用包覆的方法制备Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末，然后将Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末按照体积百分比为Cu@CNT=0.1%‑10.0%、Cu@W=90.0%‑99.9%进行球磨混合均匀，将混合均匀粉末在100‑500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，得到所述CNT增强W‑Cu热用复合材料。本发明可以获得致密度高的CNT增强W‑Cu复合材料，具有热导率高、W和Cu界面之间结合力强等优点。
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公开(公告)号：CN103382534B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310241546.1
申请日：2013-06-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种新型的具有高致密结构的W-Cu-SiC三元热控复合材料及其制备方法，W-Cu-SiC三元复合材料是由W粉、SiC粉和Cu粉按比例混合后，经热压烧结而成。所述复合材料中含体积分数30～50vol%的Cu，50～70vol%的W与SiC,其中SiC的体积分数范围为20～80%，相对应W粉的体积分数范围为80～20%，在不同配比下W-Cu-SiC复合材料的致密度均高达98%以上，在40～300°C温度范围内，该复合材料的热膨胀系数均稳定在5.7×10-6—9.74×10-6/K。本发明是一种成型方便、成本低廉和高性能的新型的复合材料，在电子封装、半导体散热片等领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103317140B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310255027.0
申请日：2013-06-25
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B22F7/02
Abstract: 本发明涉及流延法制备W-Cu体系梯度复合材料的方法，其步骤包括：(1)金属粉非水基流延料浆制备及流延成型：将球磨混合后的金属粉非水基料浆经除泡、过滤后在流延机上流延成型，在空气中干燥后制得单组分金属流延膜带；(2)梯度结构设计、裁剪、叠层：根据铜含量沿厚度方向分布函数C=C0+Axp的设计，将不同W-Cu组分的流延膜片裁剪后叠层成梯度结构的生坯；(3)生坯排胶和热压烧结：将生坯在氮氢混合气氛中排胶后，在真空热压炉中烧结成型。本发明工艺简单、成本低，所制备的复合材料的单组分层厚度可以达到微米量级、组分变化平缓、过渡层光滑连续，并且具有较良好的电热学性能，可以用于电触头、电子封装等热电领域。
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公开(公告)号：CN102861986A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210385805.3
申请日：2012-10-12
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B23K20/14 , B23K20/233 , B23K20/24
Abstract: 本发明基于含复合中间层的镁合金与铝合金低温高强焊接的方法是：利用铝薄膜和镍箔作为复合中间层，其中铝薄膜是通过磁控溅射沉积在镁合金待焊面上，采用真空扩散焊接在焊接温度400~460℃，保温10~120min，焊接压力0.1~3MPa。本发明的优点在于：利用铝薄膜和镍箔复合中间层实现镁合金与铝合金的扩散焊接；铝薄膜层和镍箔的加入改变了镁/铝界面物相组成和显微结构，避免了界面处高硬度脆性镁铝金属间化合物的生成，剪切强度达到26MPa，其中镁合金待焊面上磁控溅射镀铝膜提高了易氧化的镁合金待焊面的抗氧化性，并改善Mg-Ni之间生成物的结构与性能，适合不同种类的镁合金与铝合金的可靠焊接，工艺简单，平行精度高，焊接件变形小。
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公开(公告)号：CN102059449B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010596717.9
申请日：2010-12-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种钨合金与钽合金的低温扩散焊接方法，该方法步骤包括：（1）工件表面清理步骤：将钨合金、钽合金加工到规定尺寸，除去它们和中间层-镍箔待焊面的氧化层；（2）工件组装步骤：将中间层-镍箔置于钨合金与钽合金之间，构造被焊接工件；（3）真空扩散焊接步骤：将被焊接工件放入真空扩散焊接炉内，加热、保温，当保温开始时对被焊接工件施加轴向压力，保温结束后卸除压力并随炉冷却。本发明能够克服现有焊接技术无法在低温下实现钨合金与钽合金的高质量扩散焊接的问题，特别适合钨合金和钽合金之间在低温下可靠且精密的扩散焊接，所制备的钨钽焊接体可以用于动高压物理和核聚变等研究领域。
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公开(公告)号：CN102424706A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110305932.3
申请日：2011-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种聚甲基丙烯酸甲酯泡孔梯度材料的制备方法，具体是：将装有聚甲基丙烯酸甲酯的单向开口模具放入高压釜中，控制高压二氧化碳在聚甲基丙烯酸甲酯中定向吸附形成浓度梯度，二氧化碳压力为10～30MPa，温度为50～150℃，保温保压1～60min后泄压，最后用冰水混合物将试样冷却至室温，得到泡孔梯度材料；在表层的高浓度二氧化碳扩散区域形成泡孔直径较小、孔壁较薄的孔结构，在中部的低浓度区域形成泡孔直径较大、孔壁较厚的孔结构，最内层为致密的聚甲基丙烯酸甲酯基体，试样孔隙率从表层到内层由高到低连续变化。该梯度材料的泡孔直径可控制在微米量级，具有良好的尺寸稳定性、较宽的孔隙率变化范围和较高的力学强度。
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公开(公告)号：CN102218594A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110172004.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种钼合金与铜合金的低温扩散焊接方法，该方法包括如下步骤：(1)工件表面清理步骤：将钼合金片、铜合金片加工到规定尺寸，除去它们待焊面的氧化层；(2)工件组装步骤：将中间层-镍箔置于钼合金片与铜合金片之间，在模具上压头和下压头上分别喷涂一层阻焊层，构造被焊接工件；(3)工件装卡入炉焊接步骤：将被焊接工件放入真空扩散焊接炉内，加热、保温，当保温开始前对被焊接工件施加轴向压力，保温结束后卸除压力。本发明能够实现钼合金与铜合金的高质量焊接，适合不同种类的钼合金和铜合金之间的可靠焊接，特别适用于钼合金薄板与铜合金薄板的焊接，焊接接头抗拉强度达到97MPa，并且操作简便，成本低，焊件平面性好。
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