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公开(公告)号：CN112490648B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011229627.6
申请日：2020-11-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微带线的超宽带天线，包括上介质基板、辐射贴片、开路线、短路线、接地面、下介质基板、直介质基板、隔离墙、双曲线微带巴伦馈线和理想波端口，其中，辐射贴片覆在上介质基板的下表面；所述接地面覆在下介质基板的上表面；短路线覆在直介质基板的后表面；开路线覆在直介质基板的前表面；双曲线微带巴伦馈线覆在直介质基板的前后两个表面；所述隔离墙垂直辐射贴片的末端，在上介质基板和下介质基板之间；所述理想波端口设置在双曲线微带巴伦馈线的下方。本发明首先进行天线与短路线并联，来减小频带内的电抗值的大小；其次与开路线串联，进一步的减小频带内的电抗值的大小，最后通过双曲线微带巴伦馈线来匹配电阻达到目的。
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公开(公告)号：CN111341841B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010126020.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件，至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道，源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中，AlGaN/GaN异质结构中，AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度，因此在天然状态下，AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中，TiO2位于所述AlGaN层之上，所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比，本发明具有如下优点：(1)空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快，又由于二维电子气的高迁移率，所以光电流产生的速度极快，这将提高紫外探测器的响应速度。
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公开(公告)号：CN112410751B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011189925.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置，谐振腔体为卵圆形，波导和短路活塞设置在谐振腔体的顶部，同轴天线贯穿波导和谐振腔体的顶端，通过同轴天线将微波能量耦合进谐振腔体，同轴天线可上下移动；边缘沉积台设置在谐振腔体的中下部，可上下移动，中心沉积台设置在边缘沉积台的中间，可上下移动；石英钟罩设置在边缘沉积台，罩在中心沉积台上；进气管穿过谐振腔体的侧面和石英钟罩的顶部将气体送入石英钟罩；出气口设置在边缘沉积台，在中心沉积台的旁边。本发明有效解决了现有技术中存在的微波输入功率较低、缺少完善的调节措施、部件距离等离子体太近等问题。
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公开(公告)号：CN114309592A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111658412.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B22F1/16 , B22F1/054 , B22F1/07 , B22F9/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J23/52 , B01J35/00 , B01J35/02
Abstract: 本发明公开了一种在金纳米棒两端包覆二氧化硅的方法，包括以下步骤：(1)利用种子生长法制备金纳米棒分散液；(2)将得到的金纳米棒分散液离心，去除上清液，清洗后得金纳米棒，将金纳米棒分散在CTAB溶液中，得金纳米棒CTAB分散液；(3)调整金纳米棒CTAB分散液pH为8.5后，在搅拌状态下一次性加入TEOS的乙醇溶液，搅拌2d，离心，分离物经水、乙醇清洗后，分散在乙醇中，得两端包覆二氧化硅的金纳米棒。本发明合成方法简单，重复性强，得到的哑铃状二氧化硅外壳作为硬模板，不易受环境因素影响。
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公开(公告)号：CN114309590A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111545495.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在金纳米棒表面包覆薄纳米二氧化硅的方法，包括以下步骤：(1)制备种子溶液；(2)制备生长溶液；(3)制备金纳米棒；(4)清洗；(5)稀释；(6)包覆；(7)清洗分散。本发明通过控制最终反应物中的CTAB浓度、硅酸钠的浓度及硅酸钠溶液的pH值，便能准确控制二氧化硅包覆的均匀性和厚度，操作方便，且得到的表面包覆薄纳米二氧化硅的金纳米棒形态分散、均匀，极少发生大规模的粘连和成核现象，物理化学性质更稳定，有利于进一步拓宽金纳米棒的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112636800B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202011487527.3
申请日：2020-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H04B7/0452 , H04B7/0456
Abstract: 本发明涉及大规模MIMO通信技术领域，具体涉及一种基于毫米波大规模MIMO多用户场景的混合预编码方法，对大规模MIMO中采用自适应连接网络进行混合预编码的方法，主要包括模拟预编码器设计以及给定模拟预编码器后，通过MMSE接收求解基带预编码器。通过优化模拟预编码器，以实现频谱效率最大化。同时，本申请提出的方法能够在满足性能的前提下，进一步降低成本以及方法的复杂度。
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公开(公告)号：CN111010241B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201911215998.6
申请日：2019-12-03
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的多协议高速伪随机信号回环测试系统，包括FPGA部分和上位机部分，FPGA部分与上位机部分通过USB接口连接，FPGA部分包括FPGA芯片、两个四通道小型光纤可插拔收发器、八个单通道光纤可插拔收发器、双通道的USB芯片和可编程晶振；所述上位机部分包括流速控制模块、随机数种子生成模块、数据流流向定义模块、可编程晶振控制模块、速率误码率计算模块、数据流协议重定义模块、USB数据组帧模块、USB数据解帧模块、USB驱动和图形用户界面显示模块。本发明提供三种不同回环测试模式，以满足不同被测系统需求，在高速通信系统的性能测试中具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN112974829A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011603115.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在双表面活性剂下对苯二酚还原制备金纳米棒材料的方法，在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)共同作用下，采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。包括以下步骤：将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，经磁力搅拌器剧烈搅拌2分钟后溶液由金黄色变成棕黄色。静置30分钟，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。在室温下搅拌60‑90分钟后溶液由金黄色变澄清；依次加入对苯二酚与种子溶液。并用磁力搅拌器剧烈搅拌，之后恒温30℃静置12小时，得到最终产物。
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公开(公告)号：CN112846218A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110022553.7
申请日：2021-01-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称结构的金‑铂‑银材料的制备方法，主要的步骤包括：首先利用种子生长法生长金纳米棒，再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒；然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂，四氯铂酸钾，使其混合均匀，控制反应的温度，使得金纳米棒的两端上成功生长出铂；然后将此金‑铂结构清洗得到纯度较高的金‑铂，以此为新的种子，再添加相应量的表面活性剂，硝酸银，抗坏血酸溶液，控制反应温度，最终得到不对称生长的金‑铂‑银材料。通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成不对称结构的金‑铂‑银材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
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公开(公告)号：CN112828301A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011640581.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有特殊结构的金‑银双金属材料的合成方法，这种材料包括做为核结构的金纳米棒和生长在金纳米棒表面的银。本发明采用了种子生长法，在金纳米棒上生长银。主要的步骤包括：首先利用种子生长法生长金纳米棒，再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒；然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂，硝酸银，使其混合均匀，控制反应的温度，使得金纳米棒的表面上成功生长出银。通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成特殊结构的金‑银双金属材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
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