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公开(公告)号:CN112809016B
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202011629357.8
申请日:2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法,首先合成金纳米棒,然后将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中,再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4),此为种子溶液;将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液,冷却至30℃左右,再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。依次加入浓盐酸(37wt.%)、抗坏血酸(AA)与种子溶液,得到金纳米棒原料。合成完金纳米棒后,将金纳米棒离心并重新分散在CTAB溶液中,在加入一定量的NaOH溶液后,以30分钟的时间间隔分6次加入TEOS溶液。生长一定厚度的介孔二氧化硅之后,离心清洗,并以1:1的比例加入水和乙醇分散。再加入一定量的氨水溶液,多次加入TEOS溶液,得到最终产物。
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公开(公告)号:CN114082977A
公开(公告)日:2022-02-25
申请号:CN202111392003.0
申请日:2021-11-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以邻苯二酚为还原剂的金纳米棒的合成方法,包括以下步骤:(1)制备种子溶液;(2)制备生长溶液;(3)合成金纳米棒。本发明以CTAB以及NaOL为双表面活性剂,以邻苯二酚作为还原剂,可以高效地合成纯度高、产率高的金纳米棒,且反应条件简单,易控,成本低。
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公开(公告)号:CN113369494A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110657361.3
申请日:2021-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了提供一种中空的金‑银‑铂三金属材料及其合成方法,因此,本发明先利用种子生长法合成均匀的金纳米棒,再将清洗过的金纳米棒作为种子,通过添加表面活性剂CTAC,硝酸银溶液,抗坏血酸,在60℃的水浴下加热30分钟最终可得到均匀的金‑银双金属。再添加四氯铂酸钾溶液,在60℃的水浴下加热20分钟,最终即可获得具有中空结构的金‑银‑铂三金属材料。本发明反应条件易控,所需反应物的量少,成本低,且不会造成资源浪费,能够高效地合成均匀的具有中空结构的金‑银‑铂三金属材料。
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公开(公告)号:CN112846217A
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN202110022552.2
申请日:2021-01-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种介孔二氧化硅中纳米金‑铂复合材料的制备方法,首先制备好金纳米棒原料,重新分散后按一定方式加入正硅酸乙酯(TEOS)溶液,在金纳米棒表面生长介孔二氧化硅。然后将介孔二氧化硅包覆的金纳米棒置于60℃的油浴中加热,通过添加对应量的盐酸开始腐蚀过程,再添加大量冷置的甲醇来结束腐蚀。再将产物离心,所得的沉淀分散在水溶液中。最后通过添加对应量的四氯铂酸钾溶液,再添加相应量的抗坏血酸溶液,搅拌1分钟混合均匀,再静置2个小时得到最终产物。本发明所制备的介孔二氧化硅中纳米金‑铂复合材料生长均匀。此发明的反应条件简洁,反应速率较快,并且实现了低成本。
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公开(公告)号:CN112846215A
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN202011637704.1
申请日:2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种对称金‑银双金属材料的合成方法,这种材料包括做为核结构的金纳米棒和生长在金纳米棒表面的银。本发明采用了种子生长法,在金纳米棒上生长银。主要的步骤包括:首先利用种子生长法生长金纳米棒,再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒;然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂,硝酸银,使其混合均匀,控制反应的温度,使得金纳米棒的表面上成功生长出银。通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成对称结构的金‑银双金属材料生长均匀。此发明的反应条件简洁,反应速率较快,并且实现了低成本。
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公开(公告)号:CN112756623A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202011641763.6
申请日:2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种特殊结构的金‑铂材料的合成方法,这种材料包括做为核结构的金纳米棒和生长在金纳米棒两端的铂。本发明采用了种子生长法,在金纳米棒上生长铂。主要的步骤包括:首先利用种子生长法生长金纳米棒,再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒;然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂,铂酸盐,使其混合均匀,控制反应的温度,使得金纳米棒的两端上成功生长出铂。通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成的金‑铂材料使得铂能够完全生长在金纳米棒的两端,而金纳米棒的侧面则无铂沉积。此发明的反应条件简洁,反应速率较快,并且实现了低成本。
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公开(公告)号:CN119911960A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202510101398.6
申请日:2025-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G1/02 , C01F17/10 , C01F17/229 , C01F17/235 , C01F7/30 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种熔盐淬火法制备金属氧化物纳米粉末的方法,先将反应体系加热使前体盐呈熔融状态;再向反应体系中添加金属源盐反应一段时间;取出反应体系置于液体中淬火;产物冷却至室温,离心清洗、彻底干燥后获得金属氧化物纳米粉末材料;其中,前体盐和金属源盐的质量比为100~0.5:1。本发明方法可制备得到多种形貌、尺寸的金属氧化物纳米粉末,其形貌、尺寸可通过前体盐与金属源盐的配比、淬火液的配比和反应温度与时间进行调控。制得的金属氧化物纳米粉末在催化、储能、降解、离子交换、脱硫脱硝等能源与环境领域获得应用,且生产过程简便易行,无需复杂专用设备,易于实现工业化生产。
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公开(公告)号:CN119911959A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202510101150.X
申请日:2025-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G1/02 , C01F17/10 , C01F17/229 , C01F17/235 , C01F7/30 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开一种复合金属氧化物纳米粉末的制备方法,包括:将前体盐、两种不同金属源的盐、氢氧化钠/氢氧化钾、尿素充分混合,构成混合反应物;在惰性气体氛围中,从室温以一定升温速率升温至反应温度,保温加热使混合反应物呈熔融状态,反应一段时间;随炉冷却至一定温度,保温一段时间;再以一定升温速率升温至二次反应温度,反应一段时间;随炉冷却至室温,产物超声分散于去离子水中,经过离心清洗,彻底干燥后获得复合金属氧化物纳米粉末材料。本发明方法可制备得到多种物相、多种形貌和尺寸的复合金属氧化物纳米粉末,其种类、形貌、尺寸可通过前体盐、金属源盐的配比,以及反应温度和反应时间进行调控。
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公开(公告)号:CN115739063B
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202211450687.X
申请日:2022-11-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J21/06 , C02F1/30 , B01J35/39 , B01J35/45 , B01J35/40 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开一种新型氧化钛多级阵列光催化薄膜及其制备方法。该薄膜生长于钛金属衬底上,是由TiO2纳米线或纳米棒阵列作为主干和包裹于主干顶部的TiO0.89纳米颗粒或纳米花分支构成的多级纳米阵列。主要制备过程为:在一定温度范围内,钛片在含双氧水、四乙烯五胺和无机酸的反应液中反应一定时间,并在空气中经过高温热处理,最终得到氧化钛多级阵列。模拟太阳光照射下薄膜具有优异的光催化活性。
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公开(公告)号:CN112828284B
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202011631700.2
申请日:2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料的制备方法,首先制备好金纳米棒原料,重新分散后按一定方式加入正硅酸乙酯(TEOS)溶液,在金纳米棒表面生长介孔二氧化硅。首先使用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂,采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。本发明所制备的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料生长均匀。此发明的反应条件简洁,反应速率较快,并且实现了低成本。
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