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公开(公告)号:CN115381291A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202211052826.3
申请日:2022-08-31
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种饮水机速热装置及其控制方法,该速热装置设置在进水口A和出水口B之间,包括设置在进水口A的单向阀5、设置在主管道的加热器7,加热器7的进水端设置第一温度传感器6、其热水出水端设置第二温度传感器8并与两位三通电磁阀9相连接,所述两位三通电磁阀的第一出水口与出水口B相连接,其第二回流口与回路结构相连接,所述回路结构的另一端与进水口A相连接,用于将加热器7的出水回流至加热器7的进水端重新加热。本发明对传统速热装置的水路结构进行改进,从而达到精确控温、迅速加热的目的。
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公开(公告)号:CN114997086A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202210759231.5
申请日:2022-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/331 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法,等效电路模型中有效电容的第一端与串联电感一的第二端电连接,第二端与低频寄生电阻的第一端电连接,低频寄生电阻的第二端与高频寄生电感的第一端电连接,高频寄生电感的第二端与串联电感二的第一端电连接,高频寄生电阻与高频寄生电感并联;介质电容一的第一端与串联电感一的第二端电连接,第二端与衬底寄生电容一的第一端电连接,衬底寄生电阻一与衬底寄生电容一并联。本发明的双T型等效电路模型可拟合更宽频率范围的MIM电容。
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公开(公告)号:CN114760370A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210255746.1
申请日:2022-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H04L69/164 , H04B10/25 , G06F5/06
Abstract: 本发明公开了基于UDP协议的上位机与FPGA高速数据传输架构及实现方法,架构中FPGA板卡包括40G IP核,数据包发送模块,数据包解析模块,读FIFO模块,写FIFO模块,发送端FIFO和接收端FIFO,其中,40G IP核通过40G光纤和40GPCIe光纤网卡与上位机进行数据收发,40G IP核的输出连接数据包解析模块,数据包解析模块的输出连接写FIFO模块,写FIFO模块的输出连接接收端FIFO;发送端FIFO的输出连接读FIFO模块,读FIFO模块的输出连接数据包发送模块,数据包发送模块的输出连接40G IP核。本发明能够占用较少的FPGA资源,满足上位机与FPGA之间高速数据传输和交互的要求。
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公开(公告)号:CN113990744A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202111322446.2
申请日:2021-11-09
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法,其中主要步骤为S80,为得到栅槽,对碳化硅进行第一次刻蚀,一次刻蚀所用掩膜包含一种低刻蚀选择比和一种较高刻蚀选择比的两种掩膜,分别用于形成栅槽下半部分的斜面和垂直面结构;S90,为得到栅槽,对碳化硅进行第二次刻蚀,刻蚀掩膜为刻蚀选择比较高的掩膜,用于形成两侧都为垂直面的槽;S100,高温干氧氧化形成栅介质。本发明保证栅氧化层的可靠性,在器件反向阻断时,栅氧化层的电场强度能降低到很低,并且施加保护结构后也不影响器件的正向导通性能,保证导通电阻不会增加,电流输出能力不会降低。
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公开(公告)号:CN110311640B
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN201910570054.4
申请日:2019-06-27
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种宽带混合F/J类功率放大器及其设计方法,包括输入匹配模块、偏置电路模块、晶体管、混合谐波控制模块,输出基波匹配模块,其中,混合谐波控制模块与晶体管的输出端相连接,采用多点混合谐波控制匹配实现至少三个频率点的谐波阻抗控制,其中,控制中间频率点的二次谐波阻抗短路同时三次谐波阻抗开路,以实现F类功率放大器的特征;以及控制另外两个频率点的二次谐波短路,以实现J类功率放大器的特征。实现功率放大器混合;输出基波匹配模块与混合谐波控制模块相连接,用于将谐波控制电路后的阻抗匹配至负载阻抗,以实现最大效率传输。采用本发明的技术方案,能够使功率放大器在宽带下保证高效率以及平坦度。
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公开(公告)号:CN111945137B
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN202010675801.3
申请日:2020-07-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置,包括微波发生单元;圆柱形上腔体,内部设置抛物面顶;抛物面顶构成环形天线,用于将微波反射并汇聚;抛物面顶内顶部设置可调反射部,可调反射部能够上下调节;圆柱形上腔体具有进气口;圆柱形上腔体内具有微波通道,用于将微波导入抛物面顶内,微波通道的微波输入口连接微波发生单元;圆柱形下腔体,底部设置圆柱形下反射体,圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台,可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片;圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置,强化了微波谐振腔的调谐手段,可以实时优化等离子体的分布,实现高质量和高效率的金刚石膜制备。
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公开(公告)号:CN111341841B
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202010126020.9
申请日:2020-02-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件,至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道,源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中,AlGaN/GaN异质结构中,AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度,因此在天然状态下,AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中,TiO2位于所述AlGaN层之上,所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比,本发明具有如下优点:(1)空穴和电子的瞬间分离,可以增加光生载流子的寿命,提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快,又由于二维电子气的高迁移率,所以光电流产生的速度极快,这将提高紫外探测器的响应速度。
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公开(公告)号:CN111945137A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010675801.3
申请日:2020-07-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置,包括微波发生单元;圆柱形上腔体,内部设置抛物面顶;抛物面顶构成环形天线,用于将微波反射并汇聚;抛物面顶内顶部设置可调反射部,可调反射部能够上下调节;圆柱形上腔体具有进气口;圆柱形上腔体内具有微波通道,用于将微波导入抛物面顶内,微波通道的微波输入口连接微波发生单元;圆柱形下腔体,底部设置圆柱形下反射体,圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台,可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片;圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置,强化了微波谐振腔的调谐手段,可以实时优化等离子体的分布,实现高质量和高效率的金刚石膜制备。
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公开(公告)号:CN108376820B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201810095852.1
申请日:2018-01-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种功分器的设计方法,包括以下步骤:步骤S1:根据与该功分器相连接的下级电路的输入阻抗确定功分器的输出阻抗,使两级之间达到级间阻抗匹配,省去之间的匹配电路;步骤S2:根据功分器的输出阻抗设计功分器电路结构。与现有技术相比,本发明对传统的标准功分器的做了进一步的改进和优化,输出端口的负载阻抗打破了以往标准50Ω的传统,可以根据下一级电路的输入阻抗的大小进行设置,并根据负载阻抗的变化,设计功分器的隔离电阻参数和每一级的微带线参数。本发明技术方案在功率放大器电路中更易于向下级做匹配甚至省去了到下一级电路的匹配电路,这不但减小了整个电路的复杂度,同时也降低了电路损耗和成本。
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公开(公告)号:CN109962222A
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201910161846.6
申请日:2019-03-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用细菌纤维素水凝胶制备锂硫电池正极材料的方法,包括以下步骤:步骤S1,制备硫酸锂/葡萄糖/细菌纤维素气凝胶复合材料;步骤S2,将硫酸锂/葡萄糖/细菌纤维素气凝胶复合材料中的硫酸锂转化成硫化锂,葡萄糖转化成多孔碳,细菌纤维素转化成碳纳米纤维。采用本发明的技术方案,能够构造出碳纳米纤维网状结构,并且结构中的硫化锂纳米颗粒被多孔碳有效包覆,能够提高电极中电子的传输效率,抑制“穿梭效应”,解决锂硫电池充放电过程中的电极坍塌问题,从而提高锂硫电池的性能。
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