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公开(公告)号：CN114900133B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210517780.1
申请日：2022-05-12
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种宽带连续型Doherty功率放大器的设计方法，至少包括以下步骤：步骤S1：根据目标频带设计一宽带等分功分器；步骤S2：构建Doherty功率放大器结构，在目标频带内，对所使用的功率放大器进行源牵引和负载牵引，得到最佳功率和最佳效率点的阻抗；步骤S3：根据步骤S2得到的最佳源阻抗设计输入匹配电路；步骤S4：根据步骤S2得到的最佳负载阻抗设计载波功放的阻抗匹配网络；步骤S5：根据步骤S2得到的最佳负载阻抗设计峰值功放的阻抗匹配网络；步骤S6：设计后匹配电路；步骤S7：设计相位补偿线电路；步骤S8：将上述设计电路搭建为整体电路，得到宽带连续型Doherty功率放大器。
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公开(公告)号：CN111371421B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010336834.5
申请日：2020-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于谐波控制电路的双带功率放大器及其设计方法，包括晶体管、双带偏置电路、双带输入匹配电路、谐波控制电路、双带基波匹配电路。其中，谐波控制电路输入端连接晶体管漏极，输出端连接双带基波匹配电路。本发明通过改变传统双带谐波控制网络的输出阻抗条件，使功率放大器在低频点和高频点分别满足逆F类和F类功率放大器的特征，减轻了两频点之间的影响，提高了效率。同时对低频点三次谐波和高频点二次谐波进行结合，降低了谐波电路的计算复杂度。
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公开(公告)号：CN113271070B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110504380.2
申请日：2021-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于PIN开关的可重构功率放大器及其设计方法，包括输入端口、输入匹配电路、PIN开关、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路和输出端口。其中，输入匹配网络的输入端和功率输入端相连接，而其输出端与晶体管的栅极连接，栅极偏置电路与栅极并联，漏极偏置电路与漏极并联，晶体管的漏极接输出匹配电路的输入端，输出匹配电路的输出端作为功率输出。本发明采用PIN开关，有效降低了在制版和性能测试时的实际操作难度，提出新型可重构理论，提高了功放整体的可行性，并且性能也有一定程度的改善。
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公开(公告)号：CN110311640B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910570054.4
申请日：2019-06-27
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种宽带混合F/J类功率放大器及其设计方法，包括输入匹配模块、偏置电路模块、晶体管、混合谐波控制模块，输出基波匹配模块，其中，混合谐波控制模块与晶体管的输出端相连接，采用多点混合谐波控制匹配实现至少三个频率点的谐波阻抗控制，其中，控制中间频率点的二次谐波阻抗短路同时三次谐波阻抗开路，以实现F类功率放大器的特征；以及控制另外两个频率点的二次谐波短路，以实现J类功率放大器的特征。实现功率放大器混合；输出基波匹配模块与混合谐波控制模块相连接，用于将谐波控制电路后的阻抗匹配至负载阻抗，以实现最大效率传输。采用本发明的技术方案，能够使功率放大器在宽带下保证高效率以及平坦度。
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公开(公告)号：CN115389529A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211119075.2
申请日：2022-09-13
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于OCSRR的微流体差分微波传感器及其设计方法，至少包括测量单元和参考单元，所述测量单元和参考单元采用相同的结构，其内分别设置测量OCSRR粒子和参考OCSRR粒子，其中，所述测量单元用于根据流经其内的被测流体产生第一信号，所述参考单元用于根据流经其内的参考流体产生第二信号，第一信号和第二信号用于表征OCSRR粒子的反射特性进而通过两者的差分信息获取传感信息以提取液体样品的复介电常数。通过对本发明所设计的传感器进行测试，实验结果与仿真结果吻合良好。与现有同类传感器相比，该传感器能够抑制环境因素的影响，平均灵敏度高达0.88％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114372434A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111522459.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , H03F1/02 , H03F1/56
Abstract: 本发明公开了一种基于左右手复合线结构的双频Doherty功率放大器，包括双频功分器、载波功率放大模块、峰值功率放大模块和合路阻抗匹配网络，利用左右手复合线理论构建了双频功分器和双频阻抗逆变器。其中双频功分器实现任意两个频段的功率分配，同时能在只使用一级威尔金森功分器结构的同时，扩大两个工作频段的带宽；利用左右手传输线理论的阻抗逆变器能够不在改变整体结构的基础上任意选择工作的两个频段，同时两个工作频段的带宽都能够得到一定的扩展。
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公开(公告)号：CN113282127A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110425289.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电流源，包括偏置电路、基准电流产生电路和输出电路，其中，所述偏置电路与基准电流产生电路和负载分别连接，所述基准电流产生模块的输出与所述输出电路和负载分别连接；所述基准电流产生电路包括两条支路，每条支路均包括相连接的电流镜和亚阈值管，其中一条支路中还包括一个处于线性区的场效应管M14的漏端与亚阈值管的源端连接，该场效应管M14的栅端连接偏置电压，源端接地。本发明将三支路共源共栅电路的高电源抑制比和纳安级别输出电流的优点，与利用场效应管体效应的温度补偿结合，最终实现了6pA/℃的温度变化率和0.36nA/V的电压变化率，且总静态电流功耗仅为185nA。
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公开(公告)号：CN111446934A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010325346.4
申请日：2020-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了非对称Chireix合成架构及其设计方法，包括第一支路和第二支路，所述第一支路设置第一功率放大器，所述第二支路设置第二功率放大器，所述第一功率放大器的输入端与第一信号相连接，所述第二功率放大器的输入端与第二信号相连接，所述第一信号和第二信号为非对称恒包络相位调制信号；所述第一功率放大器和第二功率放大器的输出端与非对称Chireix功率合成器相连接。采用本发明的非对称Chireix合成架构，具有比传统Chireix合成架构小的异相角，能够改善传统Chireix合成架构的输出效率，而且能改善传统Chireix合成架构只能在单一频点高效率输出，拓展了带宽。
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公开(公告)号：CN111371421A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010336834.5
申请日：2020-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于谐波控制电路的双带功率放大器及其设计方法，包括晶体管、双带偏置电路、双带输入匹配电路、谐波控制电路、双带基波匹配电路。其中，谐波控制电路输入端连接晶体管漏极，输出端连接双带基波匹配电路。本发明通过改变传统双带谐波控制网络的输出阻抗条件，使功率放大器在低频点和高频点分别满足逆F类和F类功率放大器的特征，减轻了两频点之间的影响，提高了效率。同时对低频点三次谐波和高频点二次谐波进行结合，降低了谐波电路的计算复杂度。
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公开(公告)号：CN111342206A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010163864.0
申请日：2020-03-11
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了低剖面高隔离度双极化基站天线，其特征在于，该天线包括第一基板(1)、铜反射板(4)、设置在该第一基板(1)上表面的辐射贴片(5)以及设置在该第一基板(1)与铜反射板(4)之间的馈电部分；其中：所述馈电部分至少包括第二基板(2)和第三基板(3)，所述第二基板(2)和第三基板(3)以±45°相互垂直交叉并以平面垂直的方式与所述第一基板(1)和铜反射板(4)固定连接；所述第二基板(2)和第三基板(3)设置相同贴片层并分别形成第一环天线和第二环天线，所述第一环天线和第二环天线以±45°相互垂直；所述第一同轴馈线(8)和第二同轴线(13)分别与所述第一环天线和第二环天线电气连接。本发明具有超宽带、低剖面、高隔离度、小型化、高增益等有益效果。
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