-
公开(公告)号：CN111244203B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010216434.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料上的N型Ga2O3层以及设置在该Ga2O3层部分区域上的P型CuI层；在所述CuI层上形成正极，在所述Ga2O3层的另外区域上形成负极；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极和负极之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。采用本发明的技术方案，具有如下优点：(1)结构简单，工艺成本低。(2)Ga2O3和CuI同为宽禁带半导体，所以该器件为日光盲紫外探测器，无需加滤光片。(3)光生空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。
-
公开(公告)号：CN111106204B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201911259202.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/113 , H01L31/101 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种基于Ⅲ‑Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法，探测器包括漏极、源极、第一半导体层、第二半导体层、位于第一和第二半导体界面处的二维电子气、衬底及缓冲层、TiO2悬浮栅极以及Ti金属层，其中，第一半导体层的下表面设置第二半导体层；第二半导体层的下方设置衬底及缓冲层；TiO2悬浮栅极位于第一半导体层的上表面，且处于所述源极和漏极之间；源极和漏极位于第一半导体层的上表面的两侧；源极和漏极与第一半导体形成欧姆接触；第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结沟道，并由于极化作用产生高密度的二维电子气。本发明的紫外探测器具有高灵敏度的紫外探测性能，响应快、制作方法简单、稳定性好。
-
公开(公告)号：CN111244203A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010216434.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料上的N型Ga2O3层以及设置在该Ga2O3层部分区域上的P型CuI层；在所述CuI层上形成正极，在所述Ga2O3层的另外区域上形成负极；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极和负极之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。采用本发明的技术方案，具有如下优点：(1)结构简单，工艺成本低。(2)Ga2O3和CuI同为宽禁带半导体，所以该器件为日光盲紫外探测器，无需加滤光片。(3)光生空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111341841A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010126020.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件，至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道，源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中，AlGaN/GaN异质结构中，AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度，因此在天然状态下，AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中，TiO2位于所述AlGaN层之上，所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比，本发明具有如下优点：(1)空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快，又由于二维电子气的高迁移率，所以光电流产生的速度极快，这将提高紫外探测器的响应速度。
-
公开(公告)号：CN110951118A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911278772.0
申请日：2019-12-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线/细菌纤维素的复合材料及其制备方法，此复合材料包括细菌纤维素水凝胶和填充于所述细菌纤维素基体内部的铜纳米线。本发明采用水热法将铜纳米线填充到细菌纤维素水凝胶里面，包括以下步骤：将铜的前驱体、还原剂以及封端剂按照一定的比例配置成溶液并加热搅拌均匀；将细菌纤维素水凝胶放进搅拌好的溶液中，并搅拌至溶液将细菌纤维素充分填充；将细菌纤维素水凝胶和适量的溶液转移到水热釜中，并以在一定的温度下加热一定的时间进行反应；待反应完全且水热釜温度冷却至室温后，取出细菌纤维素水凝胶放在去离子水中浸泡一定的时间，然后在真空干燥箱中进行干燥即可得到铜纳米线/细菌纤维素的复合结构。本发明制得的复合结构其机械柔韧性以及抗氧化性良好，复合结构中铜纳米线的直径均一，且制备方法工艺简单，成本低。
-
公开(公告)号：CN111106204A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911259202.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/113 , H01L31/101 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法，探测器包括漏极、源极、第一半导体层、第二半导体层、位于第一和第二半导体界面处的二维电子气、衬底及缓冲层、TiO2悬浮栅极以及Ti金属层，其中，第一半导体层的下表面设置第二半导体层；第二半导体层的下方设置衬底及缓冲层；TiO2悬浮栅极位于第一半导体层的上表面，且处于所述源极和漏极之间；源极和漏极位于第一半导体层的上表面的两侧；源极和漏极与第一半导体形成欧姆接触；第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结沟道，并由于极化作用产生高密度的二维电子气。本发明的紫外探测器具有高灵敏度的紫外探测性能，响应快、制作方法简单、稳定性好。
-
公开(公告)号：CN113042022A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011566019.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种能够在可见光照射下降解污染物的TiO2的制备方法，具体制备方法如下：将钛酸四丁酯和无水乙醇按照一定比例配置并搅拌均匀形成溶液A；将浓酸和超纯水按照一定比例配置形成溶液B；在不断搅拌下将溶液B逐滴加入溶液A中，然后将此混合溶液再持续搅拌30min；将搅拌均匀的混合溶液转移到水热釜中，密封水热釜并在一定的温度下加热一定的时间进行反应；待反应完全且水热釜冷却至室温后，将里面的溶液用离心机高速离心洗涤数次，得到白色凝胶，将此凝胶放入鼓风干燥箱中进行干燥处理，最后即可得到TiO2样品。本发明制备的样品大小分布均匀，在可见光下表现出很好的催化性能，且制备方法简单，成本较低。
-
公开(公告)号：CN111341841B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010126020.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件，至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道，源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中，AlGaN/GaN异质结构中，AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度，因此在天然状态下，AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中，TiO2位于所述AlGaN层之上，所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比，本发明具有如下优点：(1)空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快，又由于二维电子气的高迁移率，所以光电流产生的速度极快，这将提高紫外探测器的响应速度。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.03 seconds)
