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公开(公告)号：CN111430242A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010163797.2
申请日：2020-03-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开一种散热集成半导体晶体管及其制备方法，该方法包括步骤：在半导体衬底的正面沉积电极层，形成半导体晶体管；对半导体晶体管的表面进行预处理，以增加半导体晶体管表面的形核密度；在半导体晶体管的表面沉积纳米级金刚石层；在纳米级金刚石层的表面沉积微米级金刚石层，形成散热集成半导体晶体管。通过本发明方案，可以有效提升半导体晶体管的散热效率，通过实验表明，相同尺寸下，使用金刚石集成设计的半导体晶体管将拥有更大的功率密度。
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公开(公告)号：CN114438473B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111613676.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C30B29/04 , C30B25/02
Abstract: 本发明涉及一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，包括谐振腔主体、下圆柱体、同轴波导转换器、环形石英窗口、沉积平台、测温孔、测温仪、观察窗、进气口、出气口及水冷系统，其中谐振腔主体包括抛腔，抛腔是由一段抛物线绕所述谐振腔中轴线旋转一周得到的旋转体，且谐振腔内壁任意一点距离基片中心点的距离大于6/7λ。本发明可以使谐振腔内电场分布集中，激发等离子体位置稳定、密度高，有助于提高沉积金刚石膜的品质，同时可以减弱对腔室内壁的热辐射和避免腔室内壁沉积石墨及碳的化合物。
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公开(公告)号：CN111106509A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911348093.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本说明书实施例公开了一种激光散热装置及其制备方法和固体激光器，该装置包括：衬底；位于所述衬底一表面的光学高反层，其中，所述光学高反层具有全反射结构；位于所述光学高反层之上的传热层，所述传热层包含多个呈阵列式排布的传热单元，相邻传热单元之间形成传热通道，每个所述传热单元之上设置有支撑单元；所述传热层通过所述多个传热单元将固体激光器产生的热量传导出去，同时，通过阵列式排布形成的传热通道将固体激光器产生的热量扩散出去。从而，有效提升散热效果，提高激光反射率，从整体上提升激光器件的性能。
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公开(公告)号：CN111945137B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202010675801.3
申请日：2020-07-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，包括微波发生单元；圆柱形上腔体，内部设置抛物面顶；抛物面顶构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；抛物面顶内顶部设置可调反射部，可调反射部能够上下调节；圆柱形上腔体具有进气口；圆柱形上腔体内具有微波通道，用于将微波导入抛物面顶内，微波通道的微波输入口连接微波发生单元；圆柱形下腔体，底部设置圆柱形下反射体，圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台，可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片；圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置，强化了微波谐振腔的调谐手段，可以实时优化等离子体的分布，实现高质量和高效率的金刚石膜制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112410751B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011189925.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置，谐振腔体为卵圆形，波导和短路活塞设置在谐振腔体的顶部，同轴天线贯穿波导和谐振腔体的顶端，通过同轴天线将微波能量耦合进谐振腔体，同轴天线可上下移动；边缘沉积台设置在谐振腔体的中下部，可上下移动，中心沉积台设置在边缘沉积台的中间，可上下移动；石英钟罩设置在边缘沉积台，罩在中心沉积台上；进气管穿过谐振腔体的侧面和石英钟罩的顶部将气体送入石英钟罩；出气口设置在边缘沉积台，在中心沉积台的旁边。本发明有效解决了现有技术中存在的微波输入功率较低、缺少完善的调节措施、部件距离等离子体太近等问题。
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公开(公告)号：CN111945137A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010675801.3
申请日：2020-07-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，包括微波发生单元；圆柱形上腔体，内部设置抛物面顶；抛物面顶构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；抛物面顶内顶部设置可调反射部，可调反射部能够上下调节；圆柱形上腔体具有进气口；圆柱形上腔体内具有微波通道，用于将微波导入抛物面顶内，微波通道的微波输入口连接微波发生单元；圆柱形下腔体，底部设置圆柱形下反射体，圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台，可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片；圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置，强化了微波谐振腔的调谐手段，可以实时优化等离子体的分布，实现高质量和高效率的金刚石膜制备。
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公开(公告)号：CN111430242B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010163797.2
申请日：2020-03-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开一种散热集成半导体晶体管及其制备方法，该方法包括步骤：在半导体衬底的正面沉积电极层，形成半导体晶体管；对半导体晶体管的表面进行预处理，以增加半导体晶体管表面的形核密度；在半导体晶体管的表面沉积纳米级金刚石层；在纳米级金刚石层的表面沉积微米级金刚石层，形成散热集成半导体晶体管。通过本发明方案，可以有效提升半导体晶体管的散热效率，通过实验表明，相同尺寸下，使用金刚石集成设计的半导体晶体管将拥有更大的功率密度。
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公开(公告)号：CN114438473A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111613676.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C30B29/04 , C30B25/02
Abstract: 本发明涉及一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，包括谐振腔主体、下圆柱体、同轴波导转换器、环形石英窗口、沉积平台、测温孔、测温仪、观察窗、进气口、出气口及水冷系统，其中谐振腔主体包括抛腔，抛腔是由一段抛物线绕所述谐振腔中轴线旋转一周得到的旋转体，且谐振腔内壁任意一点距离基片中心点的距离大于6/7λ。本发明可以使谐振腔内电场分布集中，激发等离子体位置稳定、密度高，有助于提高沉积金刚石膜的品质，同时可以减弱对腔室内壁的热辐射和避免腔室内壁沉积石墨及碳的化合物。
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公开(公告)号：CN112410751A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011189925.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置，谐振腔体为卵圆形，波导和短路活塞设置在谐振腔体的顶部，同轴天线贯穿波导和谐振腔体的顶端，通过同轴天线将微波能量耦合进谐振腔体，同轴天线可上下移动；边缘沉积台设置在谐振腔体的中下部，可上下移动，中心沉积台设置在边缘沉积台的中间，可上下移动；石英钟罩设置在边缘沉积台，罩在中心沉积台上；进气管穿过谐振腔体的侧面和石英钟罩的顶部将气体送入石英钟罩；出气口设置在边缘沉积台，在中心沉积台的旁边。本发明有效解决了现有技术中存在的微波输入功率较低、缺少完善的调节措施、部件距离等离子体太近等问题。
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