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公开(公告)号：CN112809016B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202011629357.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法，首先合成金纳米棒，然后将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。依次加入浓盐酸(37wt.％)、抗坏血酸(AA)与种子溶液，得到金纳米棒原料。合成完金纳米棒后，将金纳米棒离心并重新分散在CTAB溶液中，在加入一定量的NaOH溶液后，以30分钟的时间间隔分6次加入TEOS溶液。生长一定厚度的介孔二氧化硅之后，离心清洗，并以1：1的比例加入水和乙醇分散。再加入一定量的氨水溶液,多次加入TEOS溶液，得到最终产物。
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公开(公告)号：CN113369494A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110657361.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了提供一种中空的金‑银‑铂三金属材料及其合成方法，因此，本发明先利用种子生长法合成均匀的金纳米棒，再将清洗过的金纳米棒作为种子，通过添加表面活性剂CTAC，硝酸银溶液，抗坏血酸，在60℃的水浴下加热30分钟最终可得到均匀的金‑银双金属。再添加四氯铂酸钾溶液，在60℃的水浴下加热20分钟，最终即可获得具有中空结构的金‑银‑铂三金属材料。本发明反应条件易控，所需反应物的量少，成本低，且不会造成资源浪费，能够高效地合成均匀的具有中空结构的金‑银‑铂三金属材料。
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公开(公告)号：CN112846217A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110022552.2
申请日：2021-01-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种介孔二氧化硅中纳米金‑铂复合材料的制备方法，首先制备好金纳米棒原料，重新分散后按一定方式加入正硅酸乙酯(TEOS)溶液，在金纳米棒表面生长介孔二氧化硅。然后将介孔二氧化硅包覆的金纳米棒置于60℃的油浴中加热，通过添加对应量的盐酸开始腐蚀过程，再添加大量冷置的甲醇来结束腐蚀。再将产物离心，所得的沉淀分散在水溶液中。最后通过添加对应量的四氯铂酸钾溶液，再添加相应量的抗坏血酸溶液，搅拌1分钟混合均匀，再静置2个小时得到最终产物。本发明所制备的介孔二氧化硅中纳米金‑铂复合材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
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公开(公告)号：CN112846215A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011637704.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种对称金‑银双金属材料的合成方法，这种材料包括做为核结构的金纳米棒和生长在金纳米棒表面的银。本发明采用了种子生长法，在金纳米棒上生长银。主要的步骤包括：首先利用种子生长法生长金纳米棒，再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒；然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂，硝酸银，使其混合均匀，控制反应的温度，使得金纳米棒的表面上成功生长出银。通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成对称结构的金‑银双金属材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
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公开(公告)号：CN112756623A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011641763.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种特殊结构的金‑铂材料的合成方法，这种材料包括做为核结构的金纳米棒和生长在金纳米棒两端的铂。本发明采用了种子生长法，在金纳米棒上生长铂。主要的步骤包括：首先利用种子生长法生长金纳米棒，再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒；然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂，铂酸盐，使其混合均匀，控制反应的温度，使得金纳米棒的两端上成功生长出铂。通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成的金‑铂材料使得铂能够完全生长在金纳米棒的两端，而金纳米棒的侧面则无铂沉积。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112828284B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202011631700.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料的制备方法，首先制备好金纳米棒原料，重新分散后按一定方式加入正硅酸乙酯(TEOS)溶液，在金纳米棒表面生长介孔二氧化硅。首先使用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂，采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。本发明所制备的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
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公开(公告)号：CN114309590A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111545495.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在金纳米棒表面包覆薄纳米二氧化硅的方法，包括以下步骤：(1)制备种子溶液；(2)制备生长溶液；(3)制备金纳米棒；(4)清洗；(5)稀释；(6)包覆；(7)清洗分散。本发明通过控制最终反应物中的CTAB浓度、硅酸钠的浓度及硅酸钠溶液的pH值，便能准确控制二氧化硅包覆的均匀性和厚度，操作方便，且得到的表面包覆薄纳米二氧化硅的金纳米棒形态分散、均匀，极少发生大规模的粘连和成核现象，物理化学性质更稳定，有利于进一步拓宽金纳米棒的应用范围。
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公开(公告)号：CN112974829A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011603115.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在双表面活性剂下对苯二酚还原制备金纳米棒材料的方法，在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)共同作用下，采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。包括以下步骤：将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，经磁力搅拌器剧烈搅拌2分钟后溶液由金黄色变成棕黄色。静置30分钟，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。在室温下搅拌60‑90分钟后溶液由金黄色变澄清；依次加入对苯二酚与种子溶液。并用磁力搅拌器剧烈搅拌，之后恒温30℃静置12小时，得到最终产物。
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公开(公告)号：CN112846218A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110022553.7
申请日：2021-01-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称结构的金‑铂‑银材料的制备方法，主要的步骤包括：首先利用种子生长法生长金纳米棒，再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒；然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂，四氯铂酸钾，使其混合均匀，控制反应的温度，使得金纳米棒的两端上成功生长出铂；然后将此金‑铂结构清洗得到纯度较高的金‑铂，以此为新的种子，再添加相应量的表面活性剂，硝酸银，抗坏血酸溶液，控制反应温度，最终得到不对称生长的金‑铂‑银材料。通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成不对称结构的金‑铂‑银材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
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公开(公告)号：CN112828301A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011640581.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有特殊结构的金‑银双金属材料的合成方法，这种材料包括做为核结构的金纳米棒和生长在金纳米棒表面的银。本发明采用了种子生长法，在金纳米棒上生长银。主要的步骤包括：首先利用种子生长法生长金纳米棒，再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒；然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂，硝酸银，使其混合均匀，控制反应的温度，使得金纳米棒的表面上成功生长出银。通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成特殊结构的金‑银双金属材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
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