公开(公告)号：CN110707158A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910976688.X

申请日：2019-10-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  党魁 ,  周弘 ,  张涛 ,  张苇杭 ,  宁静 ,  郝跃

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/417 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种阳极边缘浮空的GaN微波二极管制备方法，主要解决GaN横向微波二极管电容大，频率响应慢的问题。自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)和AlGaN势垒层(4)，该沟道层及势垒层上设有圆形凹槽(5)，凹槽的外围势垒层上设有环形阴极(6)，凹槽的底部、侧壁及凹槽边缘势垒层上方设有阳极(7)，且凹槽边缘势垒层上方的阳极与下方势垒层之间设有80-300nm的间隙，形成长度为0.3-2μm的部分阳极浮空结构。本发明能大幅降低GaN微波二极管结电容，显著提高器件频率响应，可广泛应用于微波整流和微波限幅。

公开(公告)号：CN118971814A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410960391.5

申请日：2024-07-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 党魁 ,  姜鹏飞 ,  张进成 ,  张苇杭 ,  王紫烟

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H03F3/68 ,  H03H7/38

Abstract: 本发明提供了一种毫米波GaN PA MMIC输入谐波调节的级间匹配网络，包括：对称的第一匹配子网络和第二匹配子网络，在所述第一匹配子网络和第二匹配子网络之间连接有2个匹配电容；第一匹配子网络和第二匹配子网络通过调节微带的长度和电容值，以调节毫米波GaN PA的二次和三次谐波。本发明的级间匹配网络对末级管芯的输入二次三次谐波同时进行阻抗优化，使得二次三次谐波实部阻抗均为0，虚部处于效率较高的区域，减小漏极电流电压波形之间的交叠，提升效率。并且本发明级间匹配网络采用基于单边供电式的多路匹配结构，大大减少了多级功率放大器供电的复杂性，其次整体电路采用对称式的匹配网络，减少各个输出端口之间相位的差异。

公开(公告)号：CN118783940A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410960384.5

申请日：2024-07-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 党魁 ,  张泽田 ,  张进成 ,  霍树栋 ,  张苇杭

IPC: H03K17/687 ,  H03G11/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓开关限幅电路，包括：输入级匹配模块、开关限幅模块、级间匹配模块、对管限幅模块和输出级匹配模块；输入级匹配模块的输入端接入输入信号，输入级匹配模块的输出端与开关限幅模块和级间匹配模块的输入端均连接；级间匹配模块的输出端与对管限幅模块的输入端连接，对管限幅模块的输出端与输出级匹配模块的输入端连接，输出级匹配模块的输出端输出限幅后的信号；开关限幅模块包括GaN HEMT管，开关限幅模块的控制端还接入控制信号，控制信号可控制开关限幅模块工作在限幅模式以对输入信号进行限幅或工作在开关模式以断开与输入级匹配模块的连接。本发明能够减小电路体积、提高开关限幅电路的功率容量与工作频率。

公开(公告)号：CN117038669A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310905376.6

申请日：2023-07-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  罗诗文 ,  李晓燕 ,  董高峰 ,  杜航海 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  周弘 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片结构，包括依次连接的氮化镓衬底层、氮化镓介质层、砷化镓介质层、砷化镓衬底层，氮化镓介质层、砷化镓介质层内均开设介质孔，氮化镓介质层、砷化镓介质层之间连接键合金属触点，氮化镓介质层连接氮化镓器件电极，砷化镓介质层连接砷化镓器件电极，氮化镓衬底层、砷化镓衬底层上均开设背通孔，氮化镓衬底层连接氮化镓衬底背金属，砷化镓衬底层连接砷化镓衬底上表面电极，氮化镓器件电极与砷化镓器件电极通过介质通孔、键合金属触点互联，且通过两个背通孔与氮化镓衬底背金属、砷化镓衬底上表面电极互联。能够实现高密度、高性能、多功能的氮化镓与砷化镓异质集成射频芯片。

公开(公告)号：CN111653473B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202010339245.2

申请日：2020-04-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  郝璐 ,  张进成 ,  赵胜雷 ,  周弘 ,  张雅超 ,  张苇杭 ,  段小玲 ,  陈大正 ,  郝跃

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，包括：硅衬底层；高热导率介质层，位于所述硅衬底层的上表面；缓冲层，位于所述高热导率介质层的上表面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；复合势垒层，位于所述沟道层的上表面，以构成散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。本发明提供的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，由于采用高热导率介质层来实现硅衬底层与缓冲层之间的键合，既保持了高键合强度、高机械强度、高稳定性，又减小了器件的热阻，从而提高了硅基氮化镓微波器件的散热性能。

公开(公告)号：CN114420742A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111300410.4

申请日：2021-11-04

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  樊昱彤 ,  张进成 ,  刘茜 ,  付李煜 ,  黄韧 ,  许国富 ,  文钰 ,  郝跃 ,  张晓东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/80 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法，其中，反相器自下而上依次包括衬底、缓冲层、UID‑GaN层、AlGaN势垒层、UID‑InGaN层以及p‑InGaN层，器件中间设有一深至UID‑GaN层的隔离槽以将器件分为左右两部分；其中，器件左侧的p‑InGaN层上设有第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极之间设有深至p‑InGaN层的第一栅电极，以形成p沟道增强型异质结构场效应晶体管；器件右侧的AlGaN势垒层上设有第二源电极和第二漏电极，p‑InGaN层上设有第二栅电极，以形成n沟道增强型异质结构场效应晶体管。本发明提供的器件提高了p沟道GaN增强型器件的饱和电流密度，降低了导通电阻；同时抑制了n沟道GaN增强型器件的栅漏电，提高了栅压摆幅。

公开(公告)号：CN113130642A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110218550.0

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张苇杭 ,  刘茜 ,  张进成 ,  张金风 ,  付李煜 ,  赵胜雷 ,  黄韧 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法，该场效应管包括自下而上依次层叠设置的衬底、AlN层、本征GaN层和p+GaN层；源电极，设置在所述p+GaN层上；漏电极，设置在所述p+GaN层上，且与所述源电极相对设置；n‑GaN层，设置在所述本征GaN层和所述p+GaN层的内部，且位于所述源电极和所述漏电极之间；栅电极，设置在所述n‑GaN层上。本发明的基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管，在GaN/AlN异质结上设置有n‑GaN层，通过调节n‑GaN层的掺杂浓度和生长厚度，耗尽p+GaN层中的空穴，形成增强型器件，且阈值电压可由n‑GaN的厚度和掺杂浓度控制。

公开(公告)号：CN112614883A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011490800.8

申请日：2020-12-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵胜雷 ,  刘爽 ,  张进成 ,  宋秀峰 ,  刘志宏 ,  张苇杭 ,  王中旭 ,  郝跃

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种基于横向肖特基隧穿发射结的半导体垂直IGBT及制备方法，包括：P+衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、两个发射极(4)、栅介质层(5)、栅极(6)、两个金属加厚层(7)、钝化层(8)、集电极(9)。本发明简化了IGBT功率器件的工艺制造过程并使得其可以不需要P型基区便可以实现器件功能，提高了器件的击穿电压和降低了器件的导通电阻，从而提升了器件的高输出功率性能。

公开(公告)号：CN110707158B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201910976688.X

申请日：2019-10-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  党魁 ,  周弘 ,  张涛 ,  张苇杭 ,  宁静 ,  郝跃

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/417 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种阳极边缘浮空的GaN微波二极管制备方法，主要解决GaN横向微波二极管电容大，频率响应慢的问题。自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)和AlGaN势垒层(4)，该沟道层及势垒层上设有圆形凹槽(5)，凹槽的外围势垒层上设有环形阴极(6)，凹槽的底部、侧壁及凹槽边缘势垒层上方设有阳极(7)，且凹槽边缘势垒层上方的阳极与下方势垒层之间设有80‑300nm的间隙，形成长度为0.3‑2μm的部分阳极浮空结构。本发明能大幅降低GaN微波二极管结电容，显著提高器件频率响应，可广泛应用于微波整流和微波限幅。

公开(公告)号：CN111987144A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010846921.5

申请日：2020-08-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  党魁 ,  周弘 ,  张燕妮 ,  张涛 ,  张苇杭 ,  宁静 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/40 ,  H01L29/872 ,  H03F1/52

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管多级限幅电路，主要解决现有限幅器功率容量小，响应速度慢的问题。其自左到右依次为第一级对管(1)、第二级对管(2)、第三级对管(3)，各级对管之间通过微带线L连接，三级对管均采用凹槽阳极结构的横向氮化镓肖特基二极管，第一级对管中的两个二极管采用Pt作为阳极金属，开启电压1.2V；第二级对管中的两个二极管采用Ni作为阳极金属，开启电压0.8V，第三级对管中的两个二极管采用W或Mo作为阳极金属，开启电压0.4V。本发明通过采用开启电压逐级减小的氮化镓肖特基二极管，显著提升了限幅电路的频率响应，降低了限幅电平，提高了功率容量，可用于微波防护。