公开(公告)号：CN118645525A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410681184.6

申请日：2024-05-29

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李晓燕 ,  刘志宏 ,  郑雪峰 ,  樊雨佳 ,  毛佩玉 ,  罗诗文 ,  杜航海 ,  邢伟川

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/07 ,  H01L29/872 ,  H01L21/335

Abstract: 一种增强型氮化镓HEMT器件及制备方法，器件自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层一端上表面设置有漏电极，另一端设置有两个相邻凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，远离漏电极的凹槽内设置有第一源电极，靠近漏电极的槽内设置有第二源电极及材料层，材料层设置在靠近第一源电极的一侧，势垒层在漏电极与第二源电极之间的上表面设置有栅电极；制备方法包括：先清洗衬底并在衬底上依次生长复合缓冲层、沟道层和势垒层，再次清洗后进行台面隔离，并在势垒层上刻蚀两个凹槽至沟道层，然后淀积材料层，并生长第一源电极、第二源电极、漏电极及栅电极，最后淀积钝化层；本发明具有栅驱动能力强、刻蚀损伤低和成本低的特点。

公开(公告)号：CN118969859A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411043247.1

申请日：2024-07-31

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李晓燕 ,  刘志宏 ,  郑雪峰 ,  罗诗文 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/93 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

Abstract: 一种横向氮化镓基变容器结构及其制备方法，自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层，在势垒层和沟道层上设置有若干个凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，凹槽内设置有阴电极，其余凹槽内设置阳电极，设置阳电极的凹槽中靠近阳电极一侧设置有P型注入区；制备方法为：先清洗衬底层并在衬底层上依次生长复合缓冲层、复合沟道层和势垒层，再在部分势垒至部分沟道层形成多个P型区，然后再利用刻蚀技术刻蚀势垒层至沟道层中上部形成多个凹槽，在凹槽中分别生长阴电极和阳电极，最后淀积钝化层；本发明在横向氮化镓基异质结结构上实现了多个变容二极管并联，具有变容范围大、并且与氮化镓基射频器件工艺兼容的特点。

公开(公告)号：CN119789463A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411623428.1

申请日：2024-11-13

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  李晓燕 ,  邢伟川 ,  侯松岩 ,  周瑾 ,  刘先河 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构及其制备方法，包括金刚石衬底，终端表面位于金刚石衬底表面，由若干个沟槽的侧面、底面和鳍型台面顶面连接形成，P+金刚石层分别位于金刚石终端表面的两端，源电极位于终端表面的一侧的P+金刚石层之上，漏电极位于终端表面的源电极相对的另一端的的P+金刚石层之上，栅介质覆盖在源电极和漏电极中间的终端表面上，栅电极位于栅介质上，且位于源电极和漏电极的之间，在同一水平侧向尺寸下增大了表面二维空穴气的密度，提高了金刚石晶体管的电流密度，降低了金刚石晶体管的导通电阻，也提高了栅电极对二维空穴气沟道的栅控能力，减少了金刚石晶体管的关态电流和功耗。

公开(公告)号：CN118782614A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410855907.X

申请日：2024-06-28

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 罗诗文 ,  何佳琦 ,  李晓燕 ,  董高峰 ,  冯欣 ,  杜航海 ,  侯松岩 ,  邢伟川 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明公开了一种基于还原技术实现的SnOx基反相器结构和制备方法。所述SnOx基反相器的器件结构包括:衬底；PMOS沟道层，NMOS沟道层，位于所述衬底上；PMOS漏电极，PMOS栅电极，PMOS源电极，位于所述PMOS沟道层上；NMOS漏电极，NMOS栅电极，NMOS源电极，位于所述NMOS沟道层上；保护介质层，位于所述NMOS沟道层、NMOS漏电极、NMOS源电极、NMOS栅电极上。所述制备方法包括在衬底层上淀积n型SnO2，对部分SnO2进行还原处理，形成SnO，呈现p型特性，进而基于所获得的n型SnO2和p型SnO进行栅、漏、源电极制备，获得SnOx基反相器。本发明的SnOx基反相器工艺步骤简单、制作成本低，性价比较高。

公开(公告)号：CN119049963A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411163505.X

申请日：2024-08-23

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 毛佩玉 ,  刘志宏 ,  周瑾 ,  李晓燕 ,  李妍仪 ,  邢伟川 ,  张金风 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778 ,  H01L29/41 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT中低阻值欧姆接触电极的制备方法，包括：在氮化镓(GaN)异质结外延材料上光刻出源电极和漏电极欧姆区域；淀积镍金属薄层；进行退火，形成镍金属小球；以镍金属小球为掩膜，采用干法刻蚀至二维电子气沟道以下，形成纳米凹槽阵列；酸洗去除镍金属小球；淀积无Au欧姆接触金属，进行退火，退火后的纳米金属柱体侧壁与二维电子气沟道直接接触形成欧姆接触，从而形成源电极和漏电极；本发明能够增大GaN HEMT中源电极和漏电极的金属电极与二维电子气沟道接触的面积，实现与Si CMOS工艺兼容的无Au源电极和漏电极欧姆接触，有效降低了欧姆接触电阻，提高了氮化镓HEMT器件的性能，降低了工艺成本，且工艺简单、易于实现、效果突出。

公开(公告)号：CN117038669A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310905376.6

申请日：2023-07-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  罗诗文 ,  李晓燕 ,  董高峰 ,  杜航海 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  周弘 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片结构，包括依次连接的氮化镓衬底层、氮化镓介质层、砷化镓介质层、砷化镓衬底层，氮化镓介质层、砷化镓介质层内均开设介质孔，氮化镓介质层、砷化镓介质层之间连接键合金属触点，氮化镓介质层连接氮化镓器件电极，砷化镓介质层连接砷化镓器件电极，氮化镓衬底层、砷化镓衬底层上均开设背通孔，氮化镓衬底层连接氮化镓衬底背金属，砷化镓衬底层连接砷化镓衬底上表面电极，氮化镓器件电极与砷化镓器件电极通过介质通孔、键合金属触点互联，且通过两个背通孔与氮化镓衬底背金属、砷化镓衬底上表面电极互联。能够实现高密度、高性能、多功能的氮化镓与砷化镓异质集成射频芯片。

公开(公告)号：CN119207164A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411141901.2

申请日：2024-08-20

Applicant: 华能(浙江)能源开发有限公司玉环分公司 ,  西安电子科技大学杭州研究院 ,  杭州华新机电工程有限公司

Inventor： 施永昌 ,  胡扬清 ,  郑卫东 ,  王定华 ,  沈策 ,  高向上 ,  李晓燕 ,  毛国明 ,  白培强 ,  杨卫东 ,  吴俊科 ,  黄云刚 ,  司文波 ,  王悦州 ,  黄熙雁 ,  佟威 ,  李洁

IPC: G08G3/02

Abstract: 本发明提供一种船舶离靠泊辅助系统，属于航海技术领域，包括：第一获取模块：根据全球卫星导航系统实时获取船舶的航行数据和航向状态；第一确定模块：确定目标码头位置信息，并确定船舶和目标码头的相对位置关系；第二确定模块：根据所述相对位置关系基于航行数据和航向状态确定船舶的多条预计航行轨迹；优化模块：根据船舶周围环境以及航行规则对多条预计航行轨迹进行优化，根据优化结果确定最优的行驶路径，实现船舶的离靠泊辅助。解决了船舶停靠时需要依靠人力或者其他辅助设备才能完成离靠操作，不仅费时费力，而且容易发生意外，同时，会出现碰撞或擦碰的现象，大大降低了船舶的停靠效率和安全性的问题。