公开(公告)号：CN114420742A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111300410.4

申请日：2021-11-04

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  樊昱彤 ,  张进成 ,  刘茜 ,  付李煜 ,  黄韧 ,  许国富 ,  文钰 ,  郝跃 ,  张晓东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/80 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法，其中，反相器自下而上依次包括衬底、缓冲层、UID‑GaN层、AlGaN势垒层、UID‑InGaN层以及p‑InGaN层，器件中间设有一深至UID‑GaN层的隔离槽以将器件分为左右两部分；其中，器件左侧的p‑InGaN层上设有第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极之间设有深至p‑InGaN层的第一栅电极，以形成p沟道增强型异质结构场效应晶体管；器件右侧的AlGaN势垒层上设有第二源电极和第二漏电极，p‑InGaN层上设有第二栅电极，以形成n沟道增强型异质结构场效应晶体管。本发明提供的器件提高了p沟道GaN增强型器件的饱和电流密度，降低了导通电阻；同时抑制了n沟道GaN增强型器件的栅漏电，提高了栅压摆幅。

公开(公告)号：CN114420748A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111301947.2

申请日：2021-11-04

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  樊昱彤 ,  张进成 ,  刘茜 ,  付李煜 ,  黄韧 ,  许国富 ,  文钰 ,  郝跃 ,  张晓东

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/15 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于p‑InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：衬底、缓冲层、第一UID‑GaN层、势垒层，势垒层的左右两侧上表面设有源电极和漏电极；其中，源电极和漏电极中间的势垒层上依次向上设有第二UID‑GaN层、p‑InGaN/GaN超晶格层以及栅电极；第一UID‑GaN层的部分上表面、势垒层以及p‑InGaN/GaN超晶格层上均设有钝化层；源电极、漏电极以及栅电极上均设有互连金属。本发明提供的器件结构降低了杂质散射对载流子迁移率的影响，提高了空穴迁移率，增加了空穴浓度，提高了器件阈值电压，进而提升了器件可靠性，为实现高性能GaN基电力电子器件和集成电路夯实了基础。