公开(公告)号：CN112768512A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110045034.2

申请日：2021-01-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张苇杭 ,  付李煜 ,  张进成 ,  张金风 ,  刘茜 ,  赵胜雷 ,  黄韧 ,  郝跃

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法，该二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、第一势垒层、超晶格层、第二势垒层和GaN帽层，其中，沟道层和第一势垒层之间形成第一导电沟道，超晶格层与第二势垒层之间形成第二导电沟道；阳极，设置在GaN帽层上，且其底部依次穿过GaN帽层和第二势垒层，位于超晶格层内，阳极与超晶格层形成肖特基接触；阴极，设置在GaN帽层上，且围设在阳极的外周，阴极与阳极之间存在间距，阴极与GaN帽层形成欧姆接触。本发明的基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管，增加了导电沟道，进一步提高了电子浓度，减少导通电阻。

公开(公告)号：CN114420748A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111301947.2

申请日：2021-11-04

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  樊昱彤 ,  张进成 ,  刘茜 ,  付李煜 ,  黄韧 ,  许国富 ,  文钰 ,  郝跃 ,  张晓东

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/15 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于p‑InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：衬底、缓冲层、第一UID‑GaN层、势垒层，势垒层的左右两侧上表面设有源电极和漏电极；其中，源电极和漏电极中间的势垒层上依次向上设有第二UID‑GaN层、p‑InGaN/GaN超晶格层以及栅电极；第一UID‑GaN层的部分上表面、势垒层以及p‑InGaN/GaN超晶格层上均设有钝化层；源电极、漏电极以及栅电极上均设有互连金属。本发明提供的器件结构降低了杂质散射对载流子迁移率的影响，提高了空穴迁移率，增加了空穴浓度，提高了器件阈值电压，进而提升了器件可靠性，为实现高性能GaN基电力电子器件和集成电路夯实了基础。

公开(公告)号：CN113013242A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110129625.8

申请日：2021-01-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张苇杭 ,  刘茜 ,  张进成 ,  张金风 ,  付李煜 ,  赵胜雷 ,  黄韧 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种基于n‑GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管，自下而上包括：衬底、缓冲层、势垒层以及p‑GaN层；其中，p‑GaN层的上表面两侧设有源电极和漏电极，p‑GaN层的上表面中间刻有栅槽；栅槽被n‑GaN材料填充；n‑GaN材料高出栅槽，高出部分分别向源电极和漏电极所在方向延伸，且不与源电极、漏电极相接触；n‑GaN材料的上表面设有栅电极；p‑GaN层、n‑GaN材料、源电极、漏电极以及栅电极的上表面均覆盖有钝化层；该场效应晶体管还包括：穿过钝化层分别与源电极、漏电极以及栅电极相接的互连金属。本发明能够调控器件阈值电压，改善p沟道增强型GaN器件的功率损耗和泄漏电流。

公开(公告)号：CN114420742A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111300410.4

申请日：2021-11-04

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  樊昱彤 ,  张进成 ,  刘茜 ,  付李煜 ,  黄韧 ,  许国富 ,  文钰 ,  郝跃 ,  张晓东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/80 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法，其中，反相器自下而上依次包括衬底、缓冲层、UID‑GaN层、AlGaN势垒层、UID‑InGaN层以及p‑InGaN层，器件中间设有一深至UID‑GaN层的隔离槽以将器件分为左右两部分；其中，器件左侧的p‑InGaN层上设有第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极之间设有深至p‑InGaN层的第一栅电极，以形成p沟道增强型异质结构场效应晶体管；器件右侧的AlGaN势垒层上设有第二源电极和第二漏电极，p‑InGaN层上设有第二栅电极，以形成n沟道增强型异质结构场效应晶体管。本发明提供的器件提高了p沟道GaN增强型器件的饱和电流密度，降低了导通电阻；同时抑制了n沟道GaN增强型器件的栅漏电，提高了栅压摆幅。

公开(公告)号：CN113130642A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110218550.0

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张苇杭 ,  刘茜 ,  张进成 ,  张金风 ,  付李煜 ,  赵胜雷 ,  黄韧 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法，该场效应管包括自下而上依次层叠设置的衬底、AlN层、本征GaN层和p+GaN层；源电极，设置在所述p+GaN层上；漏电极，设置在所述p+GaN层上，且与所述源电极相对设置；n‑GaN层，设置在所述本征GaN层和所述p+GaN层的内部，且位于所述源电极和所述漏电极之间；栅电极，设置在所述n‑GaN层上。本发明的基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管，在GaN/AlN异质结上设置有n‑GaN层，通过调节n‑GaN层的掺杂浓度和生长厚度，耗尽p+GaN层中的空穴，形成增强型器件，且阈值电压可由n‑GaN的厚度和掺杂浓度控制。