-
公开(公告)号：CN119135361A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410468559.0
申请日：2024-04-18
Applicant: 西安电子科技大学青岛计算技术研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H04L9/40 , H04L67/1097 , H04L9/32 , H04L67/12
Abstract: 本发明属于互联网安全技术领域，公开了一种基于区块链的公有物联网隐私保护身份认证方法及系统，不依赖集中式的服务器，采用基于分布式哈希表的存储机制实现链上链下的方式存储数据，实现去中心化存储，提高数据的安全性；通过智能合约技术在不需要真实身份的情况下对传感器节点的身份来源进行认证；在随机预言模型下具有不可伪造性，并同时满足完整性、认证性、匿名性、可追踪性的安全需求。
-
公开(公告)号：CN119892004A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411892940.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三端口电容的微尺寸三维集成滤波器，滤波器包括：顶部金属层、顶部隔离介质层、半导体衬底层、底部隔离介质层和底部金属层；顶部金属层、顶部隔离介质层、半导体衬底层、底部隔离介质层和底部金属层自上而下依次排列；本发明减少了极板个数，具有较高的空间利用率、布局紧凑、连接方便、高密度互连、高电容密度、高品质因数、低介质损耗；整个滤波器电路的尺寸较小、滤波器电路布局布线的复杂度较低；并且由于通过硅通孔阵列减少了器件间的互连长度从而减小了滤波器电路中的寄生参数提高了品质因数等优势。
-
公开(公告)号：CN119836064A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510064068.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10H20/816 , H10H20/819 , H10H20/852 , H10H20/825
Abstract: 本发明涉及金刚石纳米柱结构的深紫外发光二极管及其制备方法，该深紫外发光二极管包括：自上而下依次堆叠的衬底层、成核层、n型GaN层、n型有源区、电子阻挡层和p型区；p型区包括若干个间隔设置的金刚石纳米柱，每个金刚石纳米柱的至少部分表面形成有氢终端；在n型GaN层的下表面还设置有N型电极，N型电极与n型有源区间隔设置；在p型区的下表面还设置有P型电极，N型电极的底部与P型电极的底部齐平；在N型电极和P型电极的下表面设置有基板。该装置可以大大提高深紫外发光二极管的发光效率，以及更好发挥器件散热性能，提高器件使用性能。
-
公开(公告)号：CN114864766B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210657492.6
申请日：2022-06-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/825 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED及制备方法，主要解决现有红光LED高In组分InGaN生长困难，In原子偏析严重，量子限制斯塔克效应显著，导致发光二极管效率低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1‑xN/GaN多量子阱(4)、电子阻挡层(6)和p型层(7)，该p型层上设有正电极(8)，该n型GaN层上设有负电极(9)，该多量子阱与电子阻挡层之间溅射有金属In层(5)，通过热扩散，使得多量子阱层中In组分增加，发射波长变长。本发明提高了发光二极管效率，可用于制作高效率的发射红光器件，实现氮化物的全色显示。
-
公开(公告)号：CN119110266A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411394972.3
申请日：2024-10-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于感知耦合的应急通信服务质量保障方法，主要解决现有应急通信技术缺乏对被困用户感知与通信时延服务质量保障一体化方案设计的问题，其实现方案是：确定通信时延指数θ，将θ作为通信服务质量指标并计算用户通信速率得到用户有效容量C；根据雷达回波信号能量检测结果计算用户的检测概率Pd和误警率Pf；将Pd与Pf融合到有效容量公式中，得到扩展后的有效容量；以系统总扩展有效容量为目标函数，以功率、时延指数和检测概率作为约束条件构建优化问题，并根据对优化问题的求解结果对用户功率进行分配。本发明能同时满足用户的通信时延和检测概率要求，提升系统的聚合有效容量，保障用户通感服务质量，可用于灾后救援场景的多用户通信与感知服务。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119092533A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411201918.2
申请日：2024-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/45 , H01L21/285 , H01L29/205 , H01L29/06 , H01L33/40 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性面p型GaN高性能欧姆接触及其制备和应用，包括非极性p‑GaN层、横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层以及欧姆接触电极；在所述非极性p‑GaN层的一面开有下沉凹槽，所述横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层位于所述下沉凹槽中，所述下沉凹槽的槽深方向为纵向，槽长方向为横向，所述欧姆接触电极位于所述横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层远离下沉凹槽的一面。本发明通过横向生长的AlGaN/GaN异质结建立多条导电沟道，利用极化诱导掺杂提高Mg离子离化率，增强器件电流注入效率，实现高性能的p型欧姆接触。
-
公开(公告)号：CN115064620B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210713333.3
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯组分YAlN/AlGaN超晶格p型层的高效深紫外发光二极管，主要解决现有深紫外发光二极管p型掺杂的Mg离化率小，导致发光效率低的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、n型层(4)、多量子阱层(5)、电子阻挡层(6)、p型层(7)和欧姆接触层(8)，其中p型层(7)采用三阶阶梯组分YAlN/AlGaN的超晶格，每一阶超晶格的周期数相同，YAlN的厚度相同，Al组分不变，AlGaN的厚度相同，Al组分递减。本发明能增强极化电场，有效提高Mg掺杂的离化率，提升载流子浓度和器件的发光功率及效率，可用于实现高性能的深紫外发光二极管及深紫外发光设备。
-
公开(公告)号：CN118431262A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410360177.6
申请日：2024-03-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/205 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B31/22
Abstract: 本发明公开了一种基于Tl离子注入的p沟道GaN异质结构及制备方法，自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、非故意掺杂GaN层和p型GaN层：在p型GaN层上做了Tl离子注入，通过注入Tl离子在GaN层中引入应变之后实现晶体场分裂的逆转，通过引入应变改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，在发生能带反转后，价带最大值处的空穴波函数将从具有主导的N‑px,y特征转变为N‑pz主导态，提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率。本发明通过在GaN中引入应力改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，从而提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率，进而提高器件工作频率和输出功率及可靠性。
-
公开(公告)号：CN118381622A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410215071.7
申请日：2024-02-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明公开了一种面向数据异构场景的拜占庭恶意客户端检测方法及其装置，涉及数据处理技术领域，包括：针对每一轮通信过程，获取所有客户端的本地模型集合；利用非线性降维拟合所有客户端的本地模型集合所在的流形空间，将所有客户端的本地模型集合的高维特征投影到低维特征，得到低维特征集合；将低维特征集合中的低维特征转换到SPD流形空间，使用对数欧式度量计算流形之间的距离，获取任一客户端到其他所有客户端的对数欧式距离集合，作为该客户端的可疑分数，将该可疑分数与设定的阈值进行对比，如果大于设定的阈值，则认为该客户端为拜占庭攻击者。本发明能够准确识别拜占庭攻击并提升全局模型精度。
-
公开(公告)号：CN113571404B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110636750.8
申请日：2021-06-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种β‑Ga2O3薄膜的生长方法，包括：选取蓝宝石衬底；在T1温度条件下，在所述蓝宝石衬底上生长(Alx1Ga1‑x1)2O3缓冲层；在T2温度条件下，在(Alx1Ga1‑x1)2O3缓冲层上生长(Alx2Ga1‑x2)2O3缓冲层；在T3温度条件下，在(Alx2Ga1‑x2)2O3缓冲层上生长(Alx3Ga1‑x3)2O3缓冲层，x1＞x2＞x3；在T4温度条件下，在(Alx3Ga1‑x3)2O3缓冲层上生长β‑Ga2O3薄膜，T1＜T2＜T3＜T4。本发明在β‑Ga2O3薄膜与蓝宝石衬底之间引入了变温生长的(Al1‑xGax)2O3缓冲层，(Al1‑xGax)2O3缓冲层的引入不仅实现了衬底与薄膜之间的元素组分均匀地过渡，而且实现了晶格结构的过渡，从而减小了晶格失配引发的位错。根据各层缓冲层之间元素组分的不同，采用了不同的生长温度从而提高了缓冲层的生长质量，这就增强了β‑Ga2O3薄膜的二维生长，降低了薄膜的表面粗糙度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
267
records
(took 0.059 seconds)
