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公开(公告)号：CN119921543A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411980501.0
申请日：2024-12-31
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H02M1/08 , H02M1/088 , H02M1/38 , H02M1/00 , H02H7/12 , H02H3/10 , H02H3/20 , H02H3/24 , H03K17/081 , H03K17/60
Abstract: 本申请公开了一种全氮化镓集成的半桥电路、芯片以及电子设备，电路包括：欠压和过压保护电路、过流保护电路、死区时间产生电路、信号控制电路、电平移位电路、高边驱动电路、低边驱动电路、高边氮化镓晶体管以及低边氮化镓晶体管，本申请具有如下效果：本申请半桥电路通过产生一种自动锁定逻辑信号，能自动断开高边氮化镓晶体管与低边氮化镓晶体管的电平移位电路，降低了高频开关信号切换过程中高边功率器件误开启和误关断的问题，驱动电路采用自举驱动结构保证了轨到轨的输出同时具有低传输延时，此外还集成了过压、欠压、过流保护电路，保证了半桥电路在工作时的高可靠性。
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公开(公告)号：CN119918474A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411746902.X
申请日：2024-12-02
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件分布式等效电路，该电路电路具有栅极端、漏极端与源极端，所述栅极端与所述源极端之间设置有分布式栅源电容与分布式第一本征电阻，所述栅极端与所述漏极端之间设置有分布式栅漏电容与分布式第二本征电阻，所述漏极端与所述源极端设置有电流源、第一电容与第一电阻，所述栅极端设置有分布式栅极电感与分布式栅极电阻，所述漏极端设置有第二电阻与第一电感，所述源极端设置有第三电阻与第二电感。本发明实施例能够表征在高频工作条件下，GaN HEMT器件内部的分布式效应，使得模型的参数更加准确。本发明作为一种GaN HEMT器件分布式等效电路，可广泛应用于半导体器件建模技术领域。
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公开(公告)号：CN119789512A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411674297.X
申请日：2024-11-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种共源共栅增强型金刚石与氮化镓异质集成功率器件，包括GaN基场效应晶体管单元、金刚石基场效应晶体管单元、电极互联金属。GaN基场效应晶体管单元为增强型晶体管，金刚石基场效应晶体管单元为耗尽型晶体管，设在同一个金刚石衬底上。金刚石晶体管栅电极和GaN晶体管源电极连接并作为器件的源极；金刚石晶体管源电极和GaN晶体管漏电极连接；GaN晶体管栅电极作为器件的栅极；金刚石晶体管漏电极作为器件的漏极，形成共源共栅增强型器件。本发明通过金刚石衬底GaN晶圆材料，实现GaN基晶体管和金刚石基晶体管的单片异质集成，并通过电极互联构成了共源共栅增强型的金刚石与氮化镓异质集成功率器件，为下一代高性能的电力电子系统提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN119789510A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411650458.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10D84/82 , H10D84/05 , H10D62/824
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法，包括背金属、衬底、氮化镓器件外延层、氮化镓器件电极漏极、氮化镓器件电极栅极、氮化镓器件电极源极、背通孔、砷化镓外延过渡层、砷化镓器件外延层、砷化镓器件电极源极、砷化镓器件电极栅极、砷化镓器件电极漏极；氮化镓和砷化镓外延材料和射频器件共用背金属和衬底，砷化镓射频器件通过在异质衬底氮化镓晶圆上选择区域挖槽外延生长砷化镓材料，并加工砷化镓器件的方式实现水平方向的单片异质集成；本发明可以使氮化镓和砷化镓射频器件具有极小的空间间距，减少了高频下长距离传输信号的损耗和寄生参数的影响，并且减小了芯片面积与芯片体积，减少了封装成本。
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公开(公告)号：CN119325270B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411864587.0
申请日：2024-12-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本申请公开了一种绝缘栅MIS HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备，该器件结构包括：衬底层，依次位于衬底层上的成核层、过渡层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和C掺杂的C:GaN绝缘层；金属层，位于绝缘层上；隔离结构，位于HEMT器件的侧壁，其中，隔离结构贯穿于势垒层、插入层和沟道层，且位于缓冲层上；钝化层，位于金属层的和势垒层的上表面、绝缘层的和金属层的侧壁；栅极，位于栅极开孔区域，且贯穿钝化层至金属层的上表面；源极和漏极，分别位于栅极的不同侧其中，源极和漏极贯穿于所述钝化层、势垒层、插入层和部分沟道层。本申请通过设置C:GaN绝缘层和高阻缓冲层，使得器件具有较正的阈值电压，减少器件的栅极漏电，提高了器件的栅极的耐压特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119677129A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411852923.X
申请日：2024-12-16
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 一种高线性度三维纳米线沟道器件及其制备方法，器件包括由下至上依次层叠设置的衬底层、GaN缓冲层和AlGaN缓变势垒层，AlGaN缓变势垒层两端分别沉积源、漏电极，靠近源电极一侧沉积Fin栅极，沿着栅宽方向设置若干纳米线沟道，Fin栅极包围纳米线沟道；方法：获取外延基片，包括衬底层、GaN缓冲层和AlGaN缓变势垒层；在AlGaN缓变势垒层两端分别制备源、漏电极；器件表面沉积SiN临时阻挡层，源、漏电极间形成若干间隔排列的条状SiN临时阻挡层；光刻显影出Fin栅的轮廓，刻蚀Fin栅区域未被SiN临时阻挡层覆盖的AlGaN缓变势垒层；去除所有的SiN临时阻挡层，在Fin栅区域留下锯齿状的纳米线沟道；Fin栅区域淀积金属形成Fin栅极；本发明具有高线性度、高输出电流，更好的欧姆接触的优点。
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公开(公告)号：CN119053239A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411159272.6
申请日：2024-08-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H10N97/00
Abstract: 一种高密度半导体晶圆MIM电容，包含衬底层，沿衬底层的一侧依次设置有半导体外延层、底电极层、上电容介质层、顶电极层，衬底层和半导体外延层中设置有贯穿衬底层和半导体外延层且深度直至底电极层的背通孔，背通孔内表面和与衬底层相邻的外表面沿远离底电极层的方向设置背通孔内金属层、下电容介质层、背面金属层，底电极层和顶电极层之间形成正面常规MIM电容，背通孔内金属层和背面金属层间形成背通孔MIM电容；本发明还公开了该电容的制备方法；通过正面常规MIM电容和背通孔中制备的背通孔MIM电容，能增加有效的电极表面积；本发明将芯片背面利用起来，正面常规MIM电容和背通孔MIM电容结合可以实现更高的电容值，达到节约芯片面积，降低成本的目的。
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公开(公告)号：CN119050125A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411150510.7
申请日：2024-08-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多种颜色LED阵列及其制备方法，该阵列包括：半导体平面模板、第一类掺杂半导体柱状结构阵列和异质结构器件层。该方法包括：制备半导体平面模板；进行图案化工艺处理，得到刻蚀掩模层；通过干法刻蚀对故意掺杂半导体平面层进行部分刻蚀处理并去除刻蚀掩模层，得到第一类掺杂半导体柱状结构阵列；通过金属有机化学气相沉积方法对第一类掺杂半导体柱状结构阵列进行外延生长处理，得到异质结构器件层，制备LED阵列。本发明能够简化紧密分布的彩色LED阵列制备工艺，避免微型LED芯片的巨量转移，降低制备成本，提高LED器件的发光效率。本发明作为一种多种颜色LED阵列及其制备方法，可广泛应用于半导体光电器件技术领域。
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公开(公告)号：CN119049971A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166944.6
申请日：2024-08-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件的制备方法，包括在衬底层表面依次生长缓冲层、沟道层、势垒层以及p‑GaN帽层，得到外延结构，沟道层与势垒层形成异质结，沟道层与势垒层形成异质结的界面形成二维电子气作为导电沟道；对部分p‑GaN帽层进行电子束辐照，激活其中的Mg杂质，得到P型GaN栅；在P型GaN栅上制备栅金属电极，二维电子气导电沟道受到P型GaN栅和栅金属电极调控；本发明通过电子束选择性激活p‑GaN帽层制备得到p型GaN栅，有效减少常规增强型GaN HEMT器件制造过程中刻蚀损伤对二维电子气密度和器件动态特性的影响，有利于提高器件的饱和电流，减小器件的动态导通电阻，增强器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119049963A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411163505.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT中低阻值欧姆接触电极的制备方法，包括：在氮化镓(GaN)异质结外延材料上光刻出源电极和漏电极欧姆区域；淀积镍金属薄层；进行退火，形成镍金属小球；以镍金属小球为掩膜，采用干法刻蚀至二维电子气沟道以下，形成纳米凹槽阵列；酸洗去除镍金属小球；淀积无Au欧姆接触金属，进行退火，退火后的纳米金属柱体侧壁与二维电子气沟道直接接触形成欧姆接触，从而形成源电极和漏电极；本发明能够增大GaN HEMT中源电极和漏电极的金属电极与二维电子气沟道接触的面积，实现与Si CMOS工艺兼容的无Au源电极和漏电极欧姆接触，有效降低了欧姆接触电阻，提高了氮化镓HEMT器件的性能，降低了工艺成本，且工艺简单、易于实现、效果突出。
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