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公开(公告)号：CN114819129B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210503065.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 福州大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464 , G06F18/214 , G06F9/50
Abstract: 本发明涉及一种并行计算单元的卷积神经网络硬件加速方法，包括以下步骤：步骤S1:将训练好的卷积神经网络模型根据静态量化、分层量化的方法进行权重参数的量化；步骤S2:通过预设在硬件电路上的并行计算单元对量化后的卷积神经网络模型进行运算;步骤S3:根据不同输入尺寸的卷积神经网络模型在推理阶段计算并行度不同,通过片上可重构技术自适应不同卷积核尺寸的卷积神经网络模型。本发明能够实现卷积神经网络硬件加速的目的，使得在低功耗的情况下有着高推理速度。
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公开(公告)号：CN118655728A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410752724.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开一种多模视角的集成成像液晶透镜阵列，涉及3D显示领域，包括：位于第一基板的第一电极组、位于第二基板的第二电极组以及设置于第一电极组与第二电极组之间的液晶层；在第一状态下，各个第一电极组内的各个第一子电极分别施加对应的驱动电压，且每个第二电极子组内的各个第二子电极施加第二相同电位，以使透镜组单元整体表现为1个透镜；在第二状态下，各个第一电极组内的各个第一子电极施加第一相同电位以使第一电极组作为公共电极，且各个第二电极子组内的各个第二子电极分别施加对应的驱动电压，以使透镜组单元表现为M个子透镜。本发明所提供的液晶透镜阵列可以在不同视角模式下切换，而兼容不同视角，实现视角与分辨率的统筹匹配。
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公开(公告)号：CN115332400B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210960225.6
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于临时键合技术的Micro‑LED芯片结构的制备方法，包括以下步骤：步骤S1:在图形转移工艺前，将减薄后的蓝光/绿光外延片晶圆键合至临时衬底形成临时键合片；步骤S2:在临时键合片上制备独立的Micro‑LED芯片结构；步骤S3:在Micro‑LED芯片结构上设置结构保护层；步骤S4:剥离临时衬底，并清除减薄后的蓝光/绿光外延片衬底表面临时键合残留物；步骤S5:划裂减薄后的蓝光/绿光外延片为单颗Micro‑LED芯片，并剥离结构保护层。本发明有效的保护了Micro‑LED芯片结构的完整行，极大提升Micro‑LED芯片制备良率。
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公开(公告)号：CN117896165A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410122167.9
申请日：2024-01-29
Applicant: 福州大学
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明公开了一种电光转换加密方法，包括：遍历待编码的单位数据，并生成与各个单位数据对应的单位驱动信号；采用各个单位驱动信号驱动分别点亮高电抗发光器件，获得各个单位驱动信号对应的单位光波信号；将各个单位光波信号与单位数据进行对应，获得编码关系；将待加密数据根据单位数据与单位驱动信号对应关系而转化为由至少一个单位驱动信号构成的驱动信号序列，并驱动点亮高电抗发光器件，以使高电抗发光器件发出时序光波信号。本发明提供了一种安全性高、加解密方便的加密方式。
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公开(公告)号：CN111952469B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010828284.9
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/155 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834389B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010535556.6
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法，μLED显示器件阵列设置k个μLED像素，每个像素包含ni个芯片，以形成至少mi个发光体；μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光；S2）通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址；S3）根据不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au‑In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复；S4）重复S1‑S3，直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，提高了μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN117409204A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311554155.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 福州大学
IPC: G06V10/26 , G06V10/40 , G06V10/764 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06V20/56 , G06V20/70 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明涉及一种基于特征复用和两阶段自注意力的实时语义分割方法。在Pytorch框架下构建BiLevelNet网络模型，该方法包括采集城市街景图像并进行数据预处理和数据增强；通过轻量级特征提取（AFR）模块，实现了高效的特征提取；通过一种高效的两阶段自注意力模块，解决了同一物体类内不一致的问题；通过跨尺度特征融合模块，完成图像空间细节的恢复，生成最终网络分割结果。本发明改善了传统语义分割网络模型体量过大、在算力资源有限的移动平台上平衡分割精度和实现效率的问题。
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公开(公告)号：CN117334715A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311393430.X
申请日：2023-10-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种超高分辨率Micro‑LED显示阵列的制备方法。包括：依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层、P型GaN层、ITO透明电极；采用电子束光刻、变参量光刻或纳米压印等方法在ITO透明电极表面制备光刻胶阵列；继续利用电镀工艺制备焊料金属阵列；然后沉积离子注入保护层并进行图案化形成离子注入保护层阵列；最后采用离子注入工艺实现电学隔离效果以形成最后的超高分辨率Micro‑LED显示像元。本发明提供了一种只需要一步光刻便可实现超高分辨率Micro‑LED显示像元的制备方法，简化了制备工艺流程，可以避免复杂光刻对位及套刻工艺中积累的误差，并且利用离子注入来实现像素隔离，可以降低刻蚀工艺中会产生的边缘效应和尺寸效应，极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。
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公开(公告)号：CN111834390B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN115834907A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211479889.7
申请日：2022-11-23
Applicant: 福州大学
IPC: H04N19/593 , H04N19/182 , H04N19/90 , H04N19/436
Abstract: 本发明提供了一种低延时超高清视频编码方法、解码方法及其装置，包括以下步骤：步骤S10：获取待压缩视频流数据；步骤S20：根据当前待处理像素建立预测模板，计算得到带预测像素的预测值；步骤S30：根据所述待预测像素的预测值和原始值，得到残差系数；步骤S40：根据残差系数和带预测像素的原始值，并根据上文情况进行数据压缩处理；步骤S50：将第一压缩编码数据流进行数据地址重映射，产生第二压缩编码数据流；步骤S60：将所述第二压缩编码数据流，进行字典压缩编码，产生第三压缩编码数据流；应用本技术方案可实现提高对超高清视频流数据编码解码效率及低延时性。
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