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公开(公告)号：CN115346961B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210960149.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01R27/08
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级金属凸点阵列键合测试结构，包括顶层模块和底层模块；所述顶层模块包括第一绝缘基板、第一图案化打底金属层、具有镂空孔阵列的第一透明介质层和第一微米级金属凸点；所述底层模块包括第二绝缘基板、第二图案化打底金属层、金属电极、具有镂空孔阵列的第二透明介质层和第二微米级金属凸点。本发明可以快速判断出微米级金属凸点的键合良率以及进行可靠性测试。
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公开(公告)号：CN115332400B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210960225.6
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于临时键合技术的Micro‑LED芯片结构的制备方法，包括以下步骤：步骤S1:在图形转移工艺前，将减薄后的蓝光/绿光外延片晶圆键合至临时衬底形成临时键合片；步骤S2:在临时键合片上制备独立的Micro‑LED芯片结构；步骤S3:在Micro‑LED芯片结构上设置结构保护层；步骤S4:剥离临时衬底，并清除减薄后的蓝光/绿光外延片衬底表面临时键合残留物；步骤S5:划裂减薄后的蓝光/绿光外延片为单颗Micro‑LED芯片，并剥离结构保护层。本发明有效的保护了Micro‑LED芯片结构的完整行，极大提升Micro‑LED芯片制备良率。
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公开(公告)号：CN113937126B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111203147.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Micro‑LED芯片键合技术的车载透明显示器件，其特征在于，包括透明基板，若干列电极，带镂空孔阵列的透明介质层，行电极、Micro‑LED芯片和控制模块；所述列电极平行设置于所述透明基板表面，所述透明介质层设置于所述列电极阵列表面，所示行电极平行设置于所述介质层表面，与所述列电极绝缘且垂直交错；所述镂空阵列设置在行电极与列电极之间；所述镂空孔中还设有金属Pad1和金属Pad2；所述Micro‑LED芯片的阴极键合在暴露镂空处的金属Pad1上，所述Micro‑LED芯片的阳极键合在暴露镂空处的金属Pad2上；所述控制模块与行电级和列电级分别连接。本发明Micro‑LED显示尺寸小，分辨率、对比度和亮度高，应用于车载显示可有效地提高驾驶的安全性和方便程度。
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公开(公告)号：CN113937205A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111203096.8
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/62 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构，包括从下至上依次设置的半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层、第二金属层、金属凸点；所述半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层外侧还设有介质层；所述第二金属层的上表面截面呈倒梯形微结构，设置于所述第一金属层表面；所述金属凸点填充于所述截面呈倒梯形微结构内，并与所述第二金属层形成所述第二合金层。本发明有效改善微凸点质量，提高微凸点器件最大耐受温度和机械强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937126A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111203147.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Micro‑LED芯片键合技术的车载透明显示器件，其特征在于，包括透明基板，若干列电极，带镂空孔阵列的透明介质层，行电极、Micro‑LED芯片和控制模块；所述列电极平行设置于所述透明基板表面，所述透明介质层设置于所述列电极阵列表面，所示行电极平行设置于所述介质层表面，与所述列电极绝缘且垂直交错；所述镂空阵列设置在行电极与列电极之间；所述镂空孔中还设有金属Pad1和金属Pad2；所述Micro‑LED芯片的阴极键合在暴露镂空处的金属Pad1上，所述Micro‑LED芯片的阳极键合在暴露镂空处的金属Pad2上；所述控制模块与行电级和列电级分别连接。本发明Micro‑LED显示尺寸小，分辨率、对比度和亮度高，应用于车载显示可有效地提高驾驶的安全性和方便程度。
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公开(公告)号：CN117410399A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311425745.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属凸点阵列的可控制备及彩色Micro‑LED键合方法，采用电镀方法制备金属凸点阵列，通过改变电流密度调控金属凸点表面形貌，通过阴极旋转和电镀参数提高金属凸点高度均匀性；采用两次光刻，使电镀种子层的电连接桥梁沉积在第一光刻掩膜层上，并用第二光刻掩膜层定义金属凸点大小和形状，形成大小、形状和电学特性均匀的金属凸点阵列；采用上述制备方法分别在CMOS驱动基板和红光、绿光、蓝光三种Micro‑LED芯片制备具有不同高度的金属凸点阵列，通过三次键合分别把红光、绿光、蓝光三种Micro‑LED芯片键合在CMOS驱动基板上，形成彩色Micro‑LED显示阵列。该方法可在单位面积内实现更高的像素密度，提高Micro‑LED显示器的画质和生产效率。
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公开(公告)号：CN113937205B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111203096.8
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/62 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构，包括从下至上依次设置的半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层、第二金属层、金属凸点；所述半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层外侧还设有介质层；所述第二金属层的上表面截面呈倒梯形微结构，设置于所述第一金属层表面；所述金属凸点填充于所述截面呈倒梯形微结构内，并与所述第二金属层形成所述第二合金层。本发明有效改善微凸点质量，提高微凸点器件最大耐受温度和机械强度。
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公开(公告)号：CN115346961A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210960149.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01R27/08
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级金属凸点阵列键合测试结构，包括顶层模块和底层模块；所述顶层模块包括第一绝缘基板、第一图案化打底金属层、具有镂空孔阵列的第一透明介质层和第一微米级金属凸点；所述底层模块包括第二绝缘基板、第二图案化打底金属层、金属电极、具有镂空孔阵列的第二透明介质层和第二微米级金属凸点。本发明可以快速判断出微米级金属凸点的键合良率以及进行可靠性测试。
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公开(公告)号：CN115332400A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210960225.6
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于临时键合技术的Micro‑LED芯片结构的制备方法，包括以下步骤：步骤S1:在图形转移工艺前，将减薄后的蓝光/绿光外延片晶圆键合至临时衬底形成临时键合片；步骤S2:在临时键合片上制备独立的Micro‑LED芯片结构；步骤S3:在Micro‑LED芯片结构上设置结构保护层；步骤S4:剥离临时衬底，并清除减薄后的蓝光/绿光外延片衬底表面临时键合残留物；步骤S5:划裂减薄后的蓝光/绿光外延片为单颗Micro‑LED芯片，并剥离结构保护层。本发明有效的保护了Micro‑LED芯片结构的完整行，极大提升Micro‑LED芯片制备良率。
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