公开(公告)号：CN111952474B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202010829285.5

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  杨保用 ,  龚智鹏 ,  郑康 ,  陈恩果 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  张永爱 ,  黄桥灿

IPC: H10K50/115 ,  H10K85/00 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明涉及一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为量子点与有机物混合旋涂制备。本发明量子点发光二极管制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层中有机物的聚合，有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。

公开(公告)号：CN115666150A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211580088.X

申请日：2022-12-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶雨亮 ,  叶冰清 ,  黄桥灿 ,  沈梓鸿 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  陈耿旭 ,  李福山

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/88

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，在立方体ZnS种子的基础上，合成了ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，以此结构为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有立方体异质结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN115666149A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211580080.3

申请日：2022-12-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶雨亮 ,  叶冰清 ,  黄桥灿 ,  沈梓鸿 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  陈耿旭 ,  李福山

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/88

Abstract: 本发明公开了一种基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法，由硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有一维核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN111952469A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010828284.9

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  杨保用 ,  龚智鹏 ,  陆干臻 ,  陈恩果 ,  张永爱 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  黄桥灿

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。

公开(公告)号：CN111952469B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202010828284.9

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  杨保用 ,  龚智鹏 ,  陆干臻 ,  陈恩果 ,  张永爱 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  黄桥灿

IPC: H10K50/155 ,  H10K50/115 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。

公开(公告)号：CN111952474A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010829285.5

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  杨保用 ,  龚智鹏 ,  郑康 ,  陈恩果 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  张永爱 ,  黄桥灿

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为量子点与有机物混合旋涂制备。本发明量子点发光二极管制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层中有机物的聚合，有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。