公开(公告)号：CN111952474B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202010829285.5

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  杨保用 ,  龚智鹏 ,  郑康 ,  陈恩果 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  张永爱 ,  黄桥灿

IPC: H10K50/115 ,  H10K85/00 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明涉及一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为量子点与有机物混合旋涂制备。本发明量子点发光二极管制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层中有机物的聚合，有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。

公开(公告)号：CN111952475B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202010829314.8

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  刘佳慧 ,  龚智鹏 ,  张玉飞 ,  陈恩果 ,  吴朝兴 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  王嘉祥

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K85/50 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明涉及一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；配制ZnO前驱体溶液和PEIE溶液并在ITO玻璃上先后旋涂，制得ZnO/PEIE薄膜；配制含有银纳米颗粒的DMF溶液，将含有及不含有银纳米颗粒的DMF溶液作为溶剂溶解钙钛矿，制备钙钛矿前驱体溶液；在ZnO薄膜表面旋涂上述溶液，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿薄膜；配制空穴传输层前驱体溶液并在钙钛矿发光层表面旋涂，干燥形成空穴传输层；将氧化钼和金蒸发到样片上，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件。该方法不仅在提高电子空穴浓度的同时提高了钙钛矿的稳定性，

公开(公告)号：CN111952475A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010829314.8

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  刘佳慧 ,  龚智鹏 ,  张玉飞 ,  陈恩果 ,  吴朝兴 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  王嘉祥

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；配制ZnO前驱体溶液和PEIE溶液并在ITO玻璃上先后旋涂，制得ZnO/PEIE薄膜；配制含有银纳米颗粒的DMF溶液，将含有及不含有银纳米颗粒的DMF溶液作为溶剂溶解钙钛矿，制备钙钛矿前驱体溶液；在ZnO薄膜表面旋涂上述溶液，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿薄膜；配制空穴传输层前驱体溶液并在钙钛矿发光层表面旋涂，干燥形成空穴传输层；将氧化钼和金蒸发到样片上，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件。该方法不仅在提高电子空穴浓度的同时提高了钙钛矿的稳定性，而且制备工艺简单，制作成本低。

公开(公告)号：CN111952469A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010828284.9

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  杨保用 ,  龚智鹏 ,  陆干臻 ,  陈恩果 ,  张永爱 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  黄桥灿

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。

公开(公告)号：CN111952469B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202010828284.9

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  杨保用 ,  龚智鹏 ,  陆干臻 ,  陈恩果 ,  张永爱 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  黄桥灿

IPC: H10K50/155 ,  H10K50/115 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。

公开(公告)号：CN111952474A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010829285.5

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  杨保用 ,  龚智鹏 ,  郑康 ,  陈恩果 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  张永爱 ,  黄桥灿

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为量子点与有机物混合旋涂制备。本发明量子点发光二极管制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层中有机物的聚合，有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。