公开(公告)号：CN112234030B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201910635287.8

申请日：2019-07-15

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  曹俊

IPC: H01L21/8252 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种三相逆变功率芯片及其制备方法，该制备方法包括在衬底上形成有源区和位于有源区之外的隔离区，在每个有源区中形成晶体管的源极、漏极和栅极，在隔离区形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，将芯片的源极、漏极和栅极均延伸至与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘，并将晶体管的源极、漏极和栅极和与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘电性连接。采用本发明提供的三相逆变功率芯片的制备方法制备的三相逆变功率芯片，提高了集成度且减小了芯片间的寄生电感，从而提高了电路的工作效率。

公开(公告)号：CN111354695B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202010166039.6

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林志龙 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提出了一种封装结构及其制造方法，封装结构包括导热底片、芯片、引脚以及塑封材料层，芯片固定在导热底片上，芯片与引脚形成电气连接，封装结构还包括导热网，导热网包裹芯片，并且导热网嵌装在塑封材料层内。本发明提供的封装结构，由于在塑封材料层中嵌入了导热网，提高了封装结构的散热性能，有效解决了现有的封装结构中，由于塑封料散热不好，导致芯片周围热量无法及时散出的问题；有利于注塑材料受热均匀，减少其膨胀系数，从而有效解决了现有封装结构中由于注塑受热不均匀，容易挣脱引线的问题；另外，当发生意外爆炸时，由于使用导热网包裹芯片，不会使芯片弹飞外壳，从而提高了封装结构的安全性。

公开(公告)号：CN114975128A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110212995.8

申请日：2021-02-25

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  曾丹 ,  曹俊 ,  廖勇波 ,  肖婷

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块及其制备方法，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。

公开(公告)号：CN112768503B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911002701.8

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  刘勇强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L49/02

Abstract: 本公开提供一种IGBT芯片、其制造方法及功率模块。本公开的IGBT芯片包括：衬底层、设置于所述衬底层正面的若干IGBT元胞、设置于所述衬底层背面的集电极层，所述集电极层中设置有刻蚀槽；还包括热敏电阻，其设置于所述刻蚀槽内；还包括第一背面金属层，其设置于所述热敏电阻上，以与所述热敏电阻形成电连接。本公开在IGBT芯片的背面制程的同时完成热敏电阻的制造，将热敏电阻集成在IGBT芯片背面上，与IGBT芯片的集电极层位于同一平面，然后将热敏电阻背面金属层与集电极层背面金属层通过隔离槽隔开并单独引出热敏电阻引线，连接到外部控制电路上，这样就可以测试出IGBT芯片的真实温度，更好地保护IGBT芯片和保证功率模块的工作运行。

公开(公告)号：CN112768413B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201911002045.1

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 薛勇 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种封装基板及半导体芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。其中封装基板包括：基板本体，所述基板本体包括靠近注塑口的第一端及靠近注塑排气口的第二端；所述第一端设置有允许塑封料缓冲的第一避让结构。本申请中第一避让结构的设置，使得从注塑口一经注入的塑封料胶体不会直接冲击在基板本体处被阻挡而改变流向，而是能够在第一避让结构处得到一个缓冲，随后更均匀的流向基板本体的两侧封装面，改善塑封料在基板本体上下流量不一致的问题，使得塑封料更均匀的流向两侧封装面；从而保证封装产品的外观。

公开(公告)号：CN113437033B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202110718033.X

申请日：2021-06-28

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种封装结构、其制备方法及电子器件，该封装结构包括至少一个球栅阵列组件，所述球栅阵列组件处具有石墨烯导热层，所述球栅阵列组件中的焊球嵌于所述石墨烯导热层中。基于本发明的技术方案，由多层二维石墨烯薄膜堆叠而成的石墨烯导热层，不仅可以有效提高封装结构的散热效率，而且其多层堆叠结构可以在高机械应力的界面起到缓冲作用，能够避免界面处应力过大导致封装结构的组件产生翘曲和破裂。

公开(公告)号：CN113394204B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202010166471.5

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 苏梨梨 ,  曹俊 ,  敖利波 ,  史波 ,  马浩华

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。

公开(公告)号：CN114566546A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202011357357.7

申请日：2020-11-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面上生长有外延层；形成在所述外延层上的量子点传输层；形成在所述量子点传输层上的栅氧层。如此设置，本申请提供的半导体器件，其能够在保证栅极可靠性地基础上降低Vth。

公开(公告)号：CN113394277B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202010165425.3

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵浩宇 ,  曾丹 ,  赵家宽 ,  刘勇强 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开提供沟槽栅IGBT的元胞结构、其制备方法及沟槽栅IGBT，所述元胞结构包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；位于所述漂移层内并位于所述元胞结构中心位置的第一沟槽栅和贯穿所述第一沟槽栅的第二沟槽栅；位于所述漂移层上方的发射极金属层；其中，所述第一沟槽栅通过第一连接孔连接至所述发射极金属层，所述第二沟槽栅与所述发射极金属层之间通过层间介质层隔离。在不改变元胞面积的情况下，通过将真假栅极整合在一个元胞中，解决了假栅极导致的芯片面积增大的问题。不仅不会影响沟槽之间的间距和导电沟道，而且增加了发射极接触面积，改善了电导调制效应，在阻断电压不变的同时使导通压降下降。

公开(公告)号：CN114122152A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010904608.2

申请日：2020-09-01

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管，用于在不增加肖特基结构二极管体积的前提下，降低肖特基结构二极管的正向导通损耗，减少肖特基势垒分布不均匀的情况。该方法包括：在碳化硅衬底的外延层上生长电子扩展层，其中，所述电子扩展层的电阻率小于所述外延层的电阻率；在所述电子扩展层上划分有源区和非有源区，分别针对所述有源区和所述非有源区进行离子注入；生成肖特基结构二极管。