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公开(公告)号：CN109536921A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811530352.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/4554
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体增强原子层沉积调控氧化硅薄膜化学计量比的方法。本发明以TDMAS和等离子体氧气为前驱体源，通过调控生长温度、TDMAS通入PEALD反应腔室的时间、离子体氧气通入时间与氧气的流量，实现不同化学计量比的氧化硅薄膜的制备。本发明利用PEALD制备得到不同厚度的均匀性较好的高质量薄膜，可以有效控制其化学计量比，这种薄膜主要用于制备LED发光器件，为硅基发光器件的制备提供了一种可行的薄膜。
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公开(公告)号：CN109437278A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811473286.X
申请日：2018-12-04
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: C01G3/02 , B82Y40/00 , C01G19/02 , C01P2004/01 , C01P2004/03 , C01P2004/16 , G01N27/127
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铜-氧化锡核壳纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明氧化铜核层纳米线的制备采用合成条件极其简单的化学溶液法，结合壳层的原子层沉积技术，得到了氧化铜/氧化锡核壳结构纳米线。与现有制备工艺相比，本发明具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产等优点。本发明构建的基于p-n异质结的核壳结构，其应用于气体传感时灵敏度大幅提升，响应时间和恢复时间则大幅缩减，展现了更加优异的气敏性能。本发明的气敏纳米材料能够对微量有机挥发性气体进行检测，并且对甲醛气体具有优异的选择性，为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。
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公开(公告)号：CN108226226A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711371421.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于气体监测技术领域，具体为一种多量程气体传感器阵列及其量程自动切换逻辑。其包括传感器阵列和量程自动控制切换电路；所述传感器阵列由不同量程的气体传感器组成，所述量程自动控制切换电路包括电压比较器、主控制器和存储器；本发明解决了传统单一气体传感器小量程测量较大气体浓度易损坏、寿命降低，而大量程传感器测量微弱气体浓度时灵敏度和精度低的问题。同时本发明将量程自动控制切换电路与传感器阵列集成在一起，通过阵列中不同量程传感器的响应，自动控制切换最合适量程的传感器工作，可靠性高，成本低。
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公开(公告)号：CN106757358A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611007174.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: C30B29/403 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B25/00
Abstract: 本发明属于半导体纳米技术领域，具体为单晶氮化铝（AlN）纳米管阵列的生长方法。本发明在低温条件下，使用ZnO纳米线阵列作为模板，使用原子层沉积镀膜（ALD）方法在ZnO纳米线上生长AlN单晶薄膜，生长温度设在200‑500℃之间，最后通过去除ZnO纳米线模板，得到排列整齐、管壁厚度均匀可控的单晶AlN纳米管阵列。本发明的优点是在低温条件下实现了AlN单晶纳米管阵列的生长，极大降低了对生长温度和对真空度的要求，其工艺简单，生长成本低。本发明在基于AlN的深紫外发光器件、压电器件、表面与体声波器件、场发射器件方面有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103681478B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201310700297.8
申请日：2013-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种铜互连结构以及制备方法。本发明依托于原有的铜互连结构，采用双层Ru/TiAlN结构作为扩散阻挡层/粘附层/籽晶层结构。具体制备步骤为：使用原子层淀积方法，先在绝缘介质层上淀积一层TiAlN薄膜，再淀积一层Ru薄膜，最后可直接电镀铜获得铜互连结构。由于在TiN薄膜中加入了Al，可以获得非晶态的TiAlN薄膜，使其能够有比TiN薄膜更好的Cu扩散阻挡性能。本发明使用致密度高的非晶态TiAlN薄膜，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，提供了理想的扩散阻挡性和热稳定性，为22nm及其以下工艺技术节点的铜互连技术提供了一种更为切实可靠的方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681093A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410827335.0
申请日：2014-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明属于微电子存储器件测试技术领域，具体为一种半导体存储器件电学参数测试系统。本发明系统包括测试机台、计算机、控制软件以及通讯电缆。其中：测试机台包括信号发生模块、数据采集模块、多档电阻切换电路模块、集成控制模块；计算机用于安装控制软件以及存储数据；控制软件用于用户执行已编辑或用户自定义编辑的测试程序模块，以及监控和处理数据；通讯电缆用于计算机与测试机台互相通信。本发明解决了目前新一代半导体存储器件研发中缺乏相应存储器件电学参数测试设备，已有的相关电学测试设备测试功能单一，难以满足新型多样存储器件研发需求，同时本发明结构简单，方便实用，可快速扩展多种测试功能。
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公开(公告)号：CN103572332A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310493581.2
申请日：2013-10-21
Applicant: 复旦大学
IPC: C25D3/38
Abstract: 本发明属于铜互连结构技术领域，具体涉及一种电镀铜的镀液及其制备方法。本发明提供电镀铜的镀液，其组成成分：0.84-0.92摩尔/升的硫酸铜，2.95-3.05毫克/升的加速剂，195-205毫克/升的聚醚，19.5-20.5毫克/升的整平剂，59.5-60.5毫克/升的氯离子溶液。其优点在于在集成电路中实现铜互连工艺带来革新，可以有效的保证好的填充能力，较小的晶粒尺寸以及可接受的电阻率，为90nm及其以下铜互连填充工艺技术节点提供了一种理想的电镀实现方案。
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公开(公告)号：CN103325769A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310235765.9
申请日：2013-06-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种铜互连结构以及制备方法。本发明在原有的铜互连结构为基础，以单层Ru-N结构取代传统的扩散阻挡层/粘附层/籽晶层3层结构。具体制备步骤为：使用原子层淀积方法，先在绝缘介质层上淀积一层Ru薄膜，再进行原位等离子体处理使其转化为Ru-N薄膜，最后直接沉积Cu籽晶层或电镀铜获得铜互连结构。通过调节Ru-N薄膜中的Ru、N比例，可以同时获得较佳的导电特性、Cu扩散阻挡特性和粘附特性。本发明的优点是使用Ru-N可以获得更好的扩散阻挡性能和粘附性能，并且简化了铜互连技术的工艺，从而大大提高了整体集成密度，为22nm及其以下工艺技术节点的铜互连技术提供了一种更为切实可靠的方案。
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公开(公告)号：CN102903699A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210389472.1
申请日：2012-10-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子工艺技术领域，具体是一种以Ru-Al-O作为扩散、粘附阻挡层的铜互连结构以及制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用Ru-Al-O代替传统的TaN/Ta双层结构，作为铜互连结构的新的铜扩散阻挡层。利用原子层淀积（ALD）方法，在经过热氧化的二氧化硅薄膜上层淀积一层3~5nm厚的Ru-Al-O作为粘附层，并在其上生长一层5~10nm厚的Ru作为扩散阻挡层，并可作为电镀铜的籽晶层。通过调节Ru-Al-O中的Ru、Al、O三者的比例，可以获得较佳的铜扩散阻挡能力和粘附特性。本发明可以提高扩散阻挡层与下层二氧化硅层的粘附强度，并保持与籽晶层连接的紧密性，为现有的铜互连技术在增强粘附能力方面提供一种改善的可行性方案。
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公开(公告)号：CN102692593A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210184203.1
申请日：2012-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于晶体管可靠性测试技术领域，具体为一种提高快速Id-Vg测试精度的测试系统，其特征在于：在原Id-Vg测试系统中，将原有的高频探针上添加一个50Ω的片状电阻，组成一个高频信号加载探针；在原有的电源探针上添加一个10μF的片状电容器，组成一个新的电源探针。本发明系统可用于高性能低功耗MOSFETs晶体管中精确快速的Id-Vg测试，本发明操作简单、几乎零成本，但是效果显著，测试精确，适用于高电流性能MOSFETs晶体管上高介电常数栅介质可靠性方面的研究。
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