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公开(公告)号：CN1120250C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN00112548.6
申请日：2000-09-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的铋系和铅系薄膜取向的方法，通过在湿化学法制备薄膜的后续热处理工艺中，对湿膜热分解转变成无定型态的干膜，在后续的高温退火结晶过程中，引入直流低电场，来实现对薄膜的取向控制。本发明用低电场诱导几种不同的薄膜材料在几种不同衬底的取向生长来看，效果非常明显，特别是对在铂涂层硅衬底或硅衬底上沉积的钛酸铋薄膜，能诱导出极强的c轴取向。
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公开(公告)号：CN116794116A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310623615.9
申请日：2023-05-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于无机‑有机杂化纳米多孔膜/半导体金属氧化物的薄膜氢气传感器及其制备方法，属于氢气传感器领域，本发明将传统半导体金属氧化物与介孔无机‑有机杂化层结合起来，在绝缘无机物或聚合物基底上利用分子层/原子层沉积技术，通过引入了一种多孔对苯二酚锌薄膜（Zn‑HQ），再沉积半导体金属氧化物（MO）薄膜，制备了MO/Zn‑HQ复合薄膜型氢气传感器，在无贵金属修饰的情况下，获得了灵敏度高、响应快速、选择性好、可低温工作的半导体氧化物薄膜型氢气传感器。该氢气传感器结构简单，氢敏性能出色，且制备工艺与微电子工艺兼容，便于应用于集成化、微型化与智能化的微机电系统与多功能传感器中。
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公开(公告)号：CN112599664B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202011337428.7
申请日：2020-11-25
Applicant: 南京大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种模拟神经突触的超低能耗柔性薄膜忆阻器及其制备方法，属于柔性电子学半导体微电子器件与人工智能的交叉领域，利用分子层/原子层沉积技术低温来制备具有良好模拟神经突触仿生功能的超低能耗柔性双层纳米薄膜忆阻器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。本发明的忆阻器包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机‑有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成；所述的底电极为导电的高分子薄膜材料；本发明制备的柔性忆阻器具有良好神经突触仿生功能、超低能耗和优异弯折性。
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公开(公告)号：CN113381070A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110585108.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种用于稳定锂金属电池的复合电解液，属于锂金属电池领域，所述复合电解液不仅可作为诱导致密SEI层形成的吸附位点，而且还可以形成稳定杂化SEI膜的共形纳米阻挡层，抑制电极/电解液界面副反应的发生，提高循环过程中负极材料结构的稳定性，有效提高负极材料的循环寿命。本发明复合电解液包括锂盐、有机溶剂、复合添加剂，通过各组分及比例的配合，获得一种碱金属电池适用的电解液。
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公开(公告)号：CN111678963A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010576334.9
申请日：2020-06-22
Applicant: 南京大学
Inventor： 李爱东 , A·丹尼尔·阿鲁拉杰 , 任强 , 吴迪
IPC: G01N27/327 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C14/24 , C23C14/16
Abstract: 本发明公开了一种超高灵敏度多巴胺生物传感器及其制备方法，属于生物传感器领域，实现了对多巴胺的快速电化学响应，具有低至0.4pM的检测限，优异选择性，且工艺简单、成本低廉，适合临床诊断和生理功能检测，特别是活体多巴胺静态基础值的测定。本发明的多巴胺生物传感器包括从上至下依次为HfO2超薄膜、导电硅衬底、Al电极；采用与半导体工艺兼容的热ALD或等离子体增强ALD在导电硅基底上低温沉积HfO2超薄膜；再在硅衬底背面蒸镀金属铝以形成良好的电学接触，即获得了多巴胺生物传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109115282A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811249855.2
申请日：2018-10-25
Applicant: 南京大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种仿生柔性应力/应变传感器的制备方法，涉及传感器领域，能够兼具高灵敏度、大拉伸范围、快速响应和稳定性的特点，具有优异的综合性能。本发明包括：采用以具有合适微结构的动物皮肤为模板制备的图案化PDMS薄膜作为基底材料，以原子层沉积技术制备的金属纳米颗粒修饰的CNTs作为传感材料，两者结合制备得到柔性应力/应变传感器。本发明工艺简单，成本低，绿色环保，制备出的基底材料很好地复制了动物皮肤中的微结构，传感材料具有良好的导电性和拉伸范围，使制备出的柔性应力/应变传感器具有优异的综合性能，包括高的灵敏度、大的拉伸范围、快的响应时间和好的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN104746049A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510089462.X
申请日：2015-04-07
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56 , G01N21/65
Abstract: 本发明公开一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法，具体如下：（a）清洗衬底；（b）在衬底表面生成金属纳米颗粒；（c）在衬底表面沉积一层氧化物薄膜；（d）衬底表面再次沉积金属纳米颗粒；（e）将衬底置于酸性溶液或碱性溶液中腐蚀，即获得金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底；本发明利用ALD在金属颗粒之间引入均一的纳米级厚度的氧化物，再通过化学腐蚀的方法去除部分氧化物，以此来制备纳米级的金属间隙，并用来作为表面增强拉曼散射基底，该方法步骤简单、重复性好、成本低廉，所得基底具有优异的表面增强拉曼散射性能。
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公开(公告)号：CN102417220B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110383611.5
申请日：2011-11-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了钽掺杂氧化锌纳米粉末光催化剂在水处理抗菌中的应用。上述菌种包括革兰氏阳性菌枯草芽孢杆菌、金黄色葡萄球菌、革兰氏阴性菌大肠杆菌和铜绿假单胞杆菌。首次表明钽掺杂氧化锌纳米粉末能在暗环境及可见光下抑制细菌生长，而且抗菌性优于纯氧化锌纳米粉末。且光催化可以有效降低暗环境下的MIC，更小的加入量就可以达到较高的抑菌效果。
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公开(公告)号：CN103280431A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310208992.2
申请日：2013-05-30
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: C23C16/0281 , C23C16/45525
Abstract: 本发明公开了一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法，先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10nm厚的高介电隧穿层，形成高介电薄膜；接着将3～8nm粒径可控、单分散好的金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上，自组装成有序排列的单层纳米颗粒点阵；最后再利用ALD方法在单层纳米颗粒点阵表面覆盖一层10~30nm厚度的高介电材料控制层。本发明利用湿化学法在合成大小可控、单分散性好的金属纳米颗粒方面的优势，通过廉价的浸渍涂覆或旋涂的方法，在ALD沉积的超薄高介电膜层上自组装单层有序金属纳米颗粒点阵，然后再ALD生长一层厚度为10～30纳米的高介电薄膜控制层，实现一种超高密度单层纳米晶存储器的制备。
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公开(公告)号：CN101962758B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010276921.2
申请日：2010-09-09
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/06
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复循环周期，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。本发明通过在低温下沉积栅介质氧化物，有效地减少了表面的锗氧化物，防止了Ge的扩散和GeOx的生成，明显地改进了电学性能。
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