公开(公告)号：CN104746049B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201510089462.X

申请日：2015-04-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  曹燕强 ,  朱琳 ,  曹正义 ,  吴迪

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明公开一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法，具体如下：（a）清洗衬底；（b）在衬底表面生成生成金属纳米颗粒；（c）在衬底表面沉积一层氧化物薄膜；（d）衬底表面再次沉积金属纳米颗粒；（e）将衬底置于酸性溶液或碱性溶液中腐蚀，即获得金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底；本发明利用ALD在金属颗粒之间引入均一的纳米级厚度的氧化物，再通过化学腐蚀的方法去除部分氧化物，以此来制备纳米级的金属间隙，并用来作为表面增强拉曼散射基底，该方法步骤简单、重复性好、成本低廉，所得基底具有优异的表面增强拉曼散射性能。

公开(公告)号：CN103510074A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310508835.3

申请日：2013-10-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  曹燕强 ,  曹正义 ,  吴迪

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/45531

Abstract: 本发明公开了一种基于ALD技术的复合无机-有机杂化物薄膜的制备方法，首先进行衬底或沉积载体的准备，之后将准备好的衬底或沉积载体转移入ALD反应室，使用有机分子作为有机前驱体，同时引入两种或两种以上的无机前驱体，交替将无机前驱体和有机前驱体通入ALD反应室，在衬底或沉积载体表面原位生成复合无机-有机杂化物薄膜。本发明通过在生长无机-有机杂化物薄膜的过程中，使用有机分子作为前驱体，同时引入多种无机前驱体，并调节其脉冲序列流程，原子层沉积循环次数比，可以得到成分可调的复合无机-有机杂化物薄膜。

公开(公告)号：CN104746049A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510089462.X

申请日：2015-04-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  曹燕强 ,  朱琳 ,  曹正义 ,  吴迪

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明公开一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法，具体如下：（a）清洗衬底；（b）在衬底表面生成金属纳米颗粒；（c）在衬底表面沉积一层氧化物薄膜；（d）衬底表面再次沉积金属纳米颗粒；（e）将衬底置于酸性溶液或碱性溶液中腐蚀，即获得金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底；本发明利用ALD在金属颗粒之间引入均一的纳米级厚度的氧化物，再通过化学腐蚀的方法去除部分氧化物，以此来制备纳米级的金属间隙，并用来作为表面增强拉曼散射基底，该方法步骤简单、重复性好、成本低廉，所得基底具有优异的表面增强拉曼散射性能。