公开(公告)号：CN116794116A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310623615.9

申请日：2023-05-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  张欣悦 ,  王晨 ,  任强 ,  吴迪

IPC: G01N27/12 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种基于无机‑有机杂化纳米多孔膜/半导体金属氧化物的薄膜氢气传感器及其制备方法，属于氢气传感器领域，本发明将传统半导体金属氧化物与介孔无机‑有机杂化层结合起来，在绝缘无机物或聚合物基底上利用分子层/原子层沉积技术，通过引入了一种多孔对苯二酚锌薄膜（Zn‑HQ），再沉积半导体金属氧化物（MO）薄膜，制备了MO/Zn‑HQ复合薄膜型氢气传感器，在无贵金属修饰的情况下，获得了灵敏度高、响应快速、选择性好、可低温工作的半导体氧化物薄膜型氢气传感器。该氢气传感器结构简单，氢敏性能出色，且制备工艺与微电子工艺兼容，便于应用于集成化、微型化与智能化的微机电系统与多功能传感器中。