公开(公告)号：CN101962758A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010276921.2

申请日：2010-09-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 李学飞 ,  李爱东 ,  章闻奇 ,  刘晓杰 ,  付盈盈 ,  吴迪

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复循环周期，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。本发明通过在低温下沉积栅介质氧化物，有效地减少了表面的锗氧化物，防止了Ge的扩散和GeOx的生成，明显地改进了电学性能。

公开(公告)号：CN101962758B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010276921.2

申请日：2010-09-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 李学飞 ,  李爱东 ,  章闻奇 ,  刘晓杰 ,  付盈盈 ,  吴迪

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复循环周期，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。本发明通过在低温下沉积栅介质氧化物，有效地减少了表面的锗氧化物，防止了Ge的扩散和GeOx的生成，明显地改进了电学性能。

公开(公告)号：CN102583533A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110009704.1

申请日：2011-01-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  章闻奇 ,  黄柳英 ,  邵起越 ,  吴迪

IPC: C01G27/00

Abstract: 本发明公开了一种无水铪锆复合硝酸盐的合成方法及其在ALD方法沉积高介电复合氧化物薄膜中的应用，该合成方法首先是将发烟硝酸和五氧化二磷反应，产生的氮氧化物气体在低温下成为固态五氧化二氮；使固态五氧化二氮逐渐液化，伴随四氧化二氮气体产生；让四氧化二氮和混合金属氯化物充分反应，最后获得白色粉末状的无水铪锆复合硝酸盐初产物；初产物通过升华提纯装置得到白色晶状无水铪锆复合硝酸盐。本发明成功制备了具有良好挥发性且不含碳的无水铪锆复合硝酸盐，并以此单源作为ALD双金属前体，用ALD方法成功沉积了铪锆复合氧化物薄膜，获得了较好的性能。