公开(公告)号：CN103280431A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310208992.2

申请日：2013-05-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘晓杰 ,  李爱东 ,  高墨昀 ,  李学飞 ,  吴迪

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: C23C16/0281 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明公开了一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法，先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10nm厚的高介电隧穿层，形成高介电薄膜；接着将3～8nm粒径可控、单分散好的金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上，自组装成有序排列的单层纳米颗粒点阵；最后再利用ALD方法在单层纳米颗粒点阵表面覆盖一层10~30nm厚度的高介电材料控制层。本发明利用湿化学法在合成大小可控、单分散性好的金属纳米颗粒方面的优势，通过廉价的浸渍涂覆或旋涂的方法，在ALD沉积的超薄高介电膜层上自组装单层有序金属纳米颗粒点阵，然后再ALD生长一层厚度为10～30纳米的高介电薄膜控制层，实现一种超高密度单层纳米晶存储器的制备。

公开(公告)号：CN101962758B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010276921.2

申请日：2010-09-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 李学飞 ,  李爱东 ,  章闻奇 ,  刘晓杰 ,  付盈盈 ,  吴迪

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复循环周期，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。本发明通过在低温下沉积栅介质氧化物，有效地减少了表面的锗氧化物，防止了Ge的扩散和GeOx的生成，明显地改进了电学性能。

公开(公告)号：CN101752236A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910233409.7

申请日：2009-10-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 龚佑品 ,  李爱东 ,  刘晓杰 ,  吴迪

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种调控GaAs半导体与栅介质间能带补偿的原子层沉积Al2O3/HfO2方法，先将GaAs衬底清洗，去除油污和氧化层；再用(NH4)2S水溶液浸泡，使GaAs表面形成Ga-S以及As-S键，进一步去除多余的As单质和As的氧化物；最后将钝化好的GaAs衬底立即放入ALD反应室中，进行HfO2/Al2O3纳米叠层薄膜的沉积。本发明通过改变Al/Hf比率，优化和改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能。而且此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET制备中具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN101209854A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710192348.5

申请日：2007-12-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 傅臻 ,  刘晓杰 ,  徐翔 ,  李思敏 ,  谢峰 ,  吴迪 ,  李爱东

IPC: C01G9/00

Abstract: 溶剂热方法制备纳米层状Zn5(OH)8(NO3)2·2H2O纳米级薄片状晶体的方法，分别称量摩尔比为1∶1 Zn(NO3)2和C6H12N4粉末，用乙醇作为溶剂，将粉末加入乙醇与水的混合溶液中充分溶解，乙醇与水的体积比例为5－15∶1；将所得溶液装进密封的容器中，放入烘箱内，92±5℃加热 1±0.5小时；冷却后，将所得粉末取出，用去离子水清洗后并超声后，室温下干燥。本发明制备出单相的，厚度为纳米级的薄片。

公开(公告)号：CN102517632B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201210006512.X

申请日：2012-01-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  黄柳英 ,  刘晓杰 ,  付盈盈 ,  吴迪

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/22 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在Si衬底上沉积Gd2-xLaxO3金属氧化物薄膜，将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。本发明采用MOCVD工艺，在（100）Si衬底上成功制备了外延的（111）Gd2-xLaxO3栅介质薄膜。本发明工艺简单，外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜在微电子领域具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN101752236B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200910233409.7

申请日：2009-10-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 龚佑品 ,  李爱东 ,  刘晓杰 ,  吴迪

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种调控GaAs半导体与栅介质间能带补偿的原子层沉积Al2O3/HfO2方法，先将GaAs衬底清洗，去除油污和氧化层；再用(NH4)2S水溶液浸泡，使GaAs表面形成Ga-S以及As-S键，进一步去除多余的As单质和As的氧化物；最后将钝化好的GaAs衬底立即放入ALD反应室中，进行HfO2/Al2O3纳米叠层薄膜的沉积。本发明通过改变Al/Hf比率，优化和改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能。而且此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET制备中具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN102194685B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110087697.7

申请日：2011-04-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 李学飞 ,  李爱东 ,  付盈盈 ,  刘晓杰 ,  李辉 ,  吴迪

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，首先对锗衬底进行清洗，吹干。接着放入ALD反应室中，沉积以Al2O3为开始层，交替Al2O3和TiO2的沉积循环，且最终沉积的薄膜中Al/Ti的摩尔比率为Al：Ti=1：1.2-4.5；将沉积薄膜后的锗衬底进行退火，即得到成品。本方法中，当Al/Ti的摩尔比率减小时，积累态电容增大；漏电流上升。而且，随着Al/Ti比率增大，Al2O3/TiO2在Ge上的价带和导带补偿以及带隙都会同时增大。这些结果说明：ALDAl2O3/TiO2纳米叠层结构能够有效地调节栅介质与Ge之间的界面质量和能带结构，从而改善MOS器件的工作性能。表明此方法在Ge基MOSFET制备中具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN102024707B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010530165.1

申请日：2010-11-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  龚佑品 ,  刘晓杰 ,  吴迪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种GaAs基MOS器件的制备方法，首先对衬底进行清洗，之后用8~40%体积比的(NH4)2S水溶液浸泡10~40分钟进行钝化。然后用MOCVD沉积薄层Gd2O3控制层，最后用ALD沉积高k栅介质层。本发明通过引入薄层Gd2O3控制层，能够有效抑制界面处As氧化物和Ga氧化物的形成，改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，并且有效地调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能，GaAs基MOS器件表现出较高的积累态电容、较小的电容回滞和较低的漏电流密度。此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET器件的制备上具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN102024707A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010530165.1

申请日：2010-11-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  龚佑品 ,  刘晓杰 ,  吴迪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种GaAs基MOS器件的制备方法，首先对衬底进行清洗，之后用8~40%体积比的(NH4)2S水溶液浸泡10~40分钟进行钝化。然后用MOCVD沉积薄层Gd2O3控制层，最后用ALD沉积高k栅介质层。本发明通过引入薄层Gd2O3控制层，能够有效抑制界面处As氧化物和Ga氧化物的形成，改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，并且有效地调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能，GaAs基MOS器件表现出较高的积累态电容、较小的电容回滞和较低的漏电流密度。此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET器件的制备上具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN101962758A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010276921.2

申请日：2010-09-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 李学飞 ,  李爱东 ,  章闻奇 ,  刘晓杰 ,  付盈盈 ,  吴迪

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复循环周期，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。本发明通过在低温下沉积栅介质氧化物，有效地减少了表面的锗氧化物，防止了Ge的扩散和GeOx的生成，明显地改进了电学性能。