公开(公告)号：CN103280431A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310208992.2

申请日：2013-05-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘晓杰 ,  李爱东 ,  高墨昀 ,  李学飞 ,  吴迪

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: C23C16/0281 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明公开了一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法，先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10nm厚的高介电隧穿层，形成高介电薄膜；接着将3～8nm粒径可控、单分散好的金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上，自组装成有序排列的单层纳米颗粒点阵；最后再利用ALD方法在单层纳米颗粒点阵表面覆盖一层10~30nm厚度的高介电材料控制层。本发明利用湿化学法在合成大小可控、单分散性好的金属纳米颗粒方面的优势，通过廉价的浸渍涂覆或旋涂的方法，在ALD沉积的超薄高介电膜层上自组装单层有序金属纳米颗粒点阵，然后再ALD生长一层厚度为10～30纳米的高介电薄膜控制层，实现一种超高密度单层纳米晶存储器的制备。