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公开(公告)号：CN109115282A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811249855.2
申请日：2018-10-25
Applicant: 南京大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种仿生柔性应力/应变传感器的制备方法，涉及传感器领域，能够兼具高灵敏度、大拉伸范围、快速响应和稳定性的特点，具有优异的综合性能。本发明包括：采用以具有合适微结构的动物皮肤为模板制备的图案化PDMS薄膜作为基底材料，以原子层沉积技术制备的金属纳米颗粒修饰的CNTs作为传感材料，两者结合制备得到柔性应力/应变传感器。本发明工艺简单，成本低，绿色环保，制备出的基底材料很好地复制了动物皮肤中的微结构，传感材料具有良好的导电性和拉伸范围，使制备出的柔性应力/应变传感器具有优异的综合性能，包括高的灵敏度、大的拉伸范围、快的响应时间和好的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN104746049A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510089462.X
申请日：2015-04-07
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56 , G01N21/65
Abstract: 本发明公开一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法，具体如下：（a）清洗衬底；（b）在衬底表面生成金属纳米颗粒；（c）在衬底表面沉积一层氧化物薄膜；（d）衬底表面再次沉积金属纳米颗粒；（e）将衬底置于酸性溶液或碱性溶液中腐蚀，即获得金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底；本发明利用ALD在金属颗粒之间引入均一的纳米级厚度的氧化物，再通过化学腐蚀的方法去除部分氧化物，以此来制备纳米级的金属间隙，并用来作为表面增强拉曼散射基底，该方法步骤简单、重复性好、成本低廉，所得基底具有优异的表面增强拉曼散射性能。
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公开(公告)号：CN110284121A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910543381.0
申请日：2019-06-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种成分可调的Co-Pt/Fe-Pt纳米颗粒的制备方法，属于纳米材料制备领域，利用原子层沉积技术简单的膜厚控制方法，通过改变ALD沉积氧化钴或氧化铁和Pt的循环数，可精确调控材料的组成；并且结合ALD优异的三维贴合性，可在三维结构基体上实现均匀包覆，该制备方法工艺简单，组成精确可控，获得的Co-Pt/Fe-Pt纳米颗粒可用于高密度磁存储、电催化等领域。本发明首先在衬底上沉积氧化钴或氧化铁；再进行铂的ALD沉积；重复沉积氧化锆或氧化铁和铂，获得氧化钴或氧化铁/铂纳米叠层；最后进行退火处理获得组成可调的Fe-Pt或Co-Pt纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN109473644A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811245578.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料及其制备方法，属于锂离子电池材料与纳米制备技术领域，制备的负极材料具有优异的稳定性和完整性。本发明利用ALD技术精确控制厚度的优势，交替生长活性氧化物纳米薄膜和保护层氧化物纳米薄膜，获得活性氧化物/保护层氧化物纳米叠层结构的锂离子电池负极材料，制备的活性材料同时被上下两层保护层所包裹，纳米叠层之间由化学键连接，具有优异的稳定性和完整性。因此，该类纳米结构能够有效缓解电极材料体积膨胀所引起的粉化效应，有效提高电极材料的循环寿命。
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公开(公告)号：CN105244173B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510739934.1
申请日：2015-11-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种制备过程简便、成本低廉、具有特定微结构的超级电容器过渡金属硫化物电极材料的制备方法，将裁剪好的泡沫金属清洗干净，真空干燥；之后放入管式退火炉中，在硫化氢气体持续稳定通入的过程中开始升温退火，升温时间40‑50 min，退火温度400~500℃，退火时间30~90 min；退火完成后继续通入硫化氢气体直至自然冷却到室温；即得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。本发明是用H2S气体作为硫源，将泡沫金属在高温下退火反应直接得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。该方法工艺简单，耗时少，成本低；具有特定微结构的电极材料导电性好，比电容高，倍率性能优良，同时具有良好的循环性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106268903A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610582290.4
申请日：2016-07-22
Applicant: 南京大学
IPC: B01J27/24
CPC classification number: B01J27/24 , B01J35/004 , B01J37/349
Abstract: 本发明公开了一种基于ALD技术的表面氮改性二氧化钛纳米颗粒的可见光催化剂的制备方法，首先将二氧化钛粉末转移入ALD反应室，对其表面进行超薄TiN薄膜的沉积包裹，包裹参数为：反应室温度100-500 oC；钛源：四氯化钛、四二甲氨基钛或异丙醇钛；氮源：氨气或者氨气等离子体；载气：钛源使用高纯氮气或者氩气作为载气，流量为50-200 sccm；氮源使用高纯氩气作为载气，流量为50-200 sccm；脉冲和清洗时间：钛源脉冲为0.1-10 s；每次无机源脉冲之后都紧接着用高纯氮气清洗2-60 s；氮源脉冲为5-60s，紧接着用高纯氮气清洗2-60 s，冲掉反应副产物和残留的反应源。该方法简单易行，产品的可见光催化性能显著增强。
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公开(公告)号：CN102671894A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210159230.3
申请日：2012-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法，首先将GaAs衬底用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用氢溴酸溶液浸泡GaAs衬底，除去表面的氧化层；接着放入加热到50℃的(NH4)2S溶液中浸泡20－30分钟进行钝化；最后将钝化后的GaAs衬底用去离子水冲洗表面并用高纯氮气吹干。本发明采用绿色环保的氢溴酸溶液清洗去除GaAs衬底表面氧化物，再用硫化铵溶液钝化衬底表面，有效地提高表面平整性，极大改善栅介质薄膜与GaAs衬底间的界面质量，明显改善了GaAs基MOS器件的电学性能。此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET器件的制备上具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN102543751A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110400661.X
申请日：2011-12-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种等效氧化物厚度为亚纳米的Ge基MOS器件的制备方法，1）对Ge衬底进行清洗；2）进行S钝化，3）在Ge衬底表面原位沉积Al2O3薄膜；4）沉积HfO2薄膜；5）放入快速退火炉中退火即得成品。该方法通过原位原子层沉积很薄的氧化铝薄膜，改进了栅介质薄膜与Ge衬底之间的界面质量，明显改善了栅介质薄膜的电学性能，获得了EOT小于1nm和漏电流密度小于2mA/cm2的Ge基MOS器件。
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公开(公告)号：CN114023966B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111264049.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01M4/62 , H01M4/38 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米多孔‑致密双层保护层的锂离子电池硅负极材料及其制备方法，属于锂离子电池硅负极材料领域，获得了具有高容量、长循环寿命的纳米多孔‑致密双层保护的锂离子电池硅负极材料。本发明在纳米硅颗粒负极上使用分子层沉积和原子层沉积技术生长纳米多孔‑致密双保护层，所制备得到的材料由内向外依次为纳米硅、纳米多孔保护层、致密保护层。
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公开(公告)号：CN110508155B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910771709.4
申请日：2019-08-21
Applicant: 南京大学
IPC: B01D67/00
Abstract: 本发明公开了一种锌基无机‑有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，属于分离膜材料领域，采用淋浴式分子层沉积技术，一步直接制备无机‑有机多孔纳米分离膜，无需任何后处理工艺，工艺简单，非常有利于大规模生产。本发明包括：准备杂化多孔分离膜所用的担体和杂化多孔分离膜制备两步，杂化多孔分离膜制备采用分子层沉积技术，采用淋浴式垂直式反应室，反应前驱体自上而下进入反应腔，所述金属前驱体为二乙基锌，所述有机前驱体为对苯二酚，沉积使用的脉冲循环为：0.1‑2 s金属前驱体脉冲、2‑15 s清洗脉冲、5‑25 s有机前驱体脉冲、2‑20 s清洗脉冲，沉积循环数大于35，即可得到锌基对苯二酚无机‑有机杂化多孔分离膜。
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