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公开(公告)号：CN114036725A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111229924.5
申请日：2021-10-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 一种半导体器件热阻抗网络模型的评价方法，属于半导体器件瞬态热测试技术领域。其方法为：基于被测半导体器件的Cauer型网络模型，通过数值方法推导半导体器件在某功率激励下的估计结温升响应曲线，并通过对被测半导体器件加载上述功率激励，提取相应的实测结温升响应曲线并与上述估计结温升响应曲线对比。特别适用于推导半导体器件的冷却响应曲线或加热响应曲线与相应实测曲线进行对比。区分于通过foster型网络模型推导结温升响应曲线，更加符合实际的物理模型，是更有效、更真实的评价方法。
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公开(公告)号：CN110376500A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910681701.9
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法，属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。在功率MOS器件开启瞬态过程中，在不同栅极电压VGS、不同源-漏电压VDS和不同源-漏电流IDS的条件下测量出三个温敏参数与温度的关系曲线,通过拟合得到校温曲线的函数表达式,即完成校温曲线的建立。当功率MOS器件工作在开启瞬态时，根据加电条件，即栅极电压VGS、源-漏电压VDS和源-漏电流IDS的数值，将上述温敏参数带入校温曲线库，可得知该时刻的结温值，从而实现功率MOS器件结温的实时测量，也可监控功率MOS器件在该状态下的温升。
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公开(公告)号：CN109570811A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910000648.1
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K31/12
CPC classification number: B23K31/125
Abstract: 一种检测梯形结构工件焊接质量的方法及装置，梯形结构常用于环路热管蒸发器等，属于航天热控技术领域。装置包括：支撑轴组件、两个SCS滑块、四个手泵吸盘、测温芯片固定结构、四个测温芯片和热阻测试仪。所述测温芯片固定结构包括两个梯形支架、四个油压缓冲器以及通过球头关节轴承连接的四个聚四氟垫片。将四个测温芯片通过固定装置同压力紧密贴合于梯形结构工件侧壁上，利用热阻测试仪同时监控四个测温芯片及被测梯形结构工件焊接面的温升过程，分析其热流路径上各层材料的热阻构成。该技术保证四个热源到焊接面具有均匀稳定的热流路径，消除因测温芯片散热面与梯形结构工件侧壁的接触热阻不同所带来的测量误差，实现对梯形结构工件焊接质量的快速表征。
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公开(公告)号：CN106501699B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610918317.2
申请日：2016-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种饱和状态下双极晶体管结温的实时测量方法，本发明涉及半导体器件测试领域。本发明提供恒定的基极电压和恒定的集电极电流，使双极晶体管工作在饱和区条件下，测出基极电流Ibe和集电极电流Ice，计算出总功率P＝Vbe*Ibe+Vce*Ice，Vbe为基极电压，Vce为集电极电压；利用数值分析中的插值计算做出电流、功率和温度对应关系的结温库，根据测量的基极电流和总功率即可在结温库中得出对应的结温。测出双极晶体管工作在饱和区时的结温，测量方法简单准确，利用插值计算做出结温库后，只需测出基极电流和计算出总功率，在结温库中就可以找到对应的结温。无需测试电流和工作电流的切换，消除开关造成的延迟而导致结温测量不准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106199366B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610476411.7
申请日：2016-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种功率MOS器件在线测温的方法属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。使功率MOS器件处于工作状态下，在功率MOS器件栅极施加测试脉冲电压信号，检测栅极测试脉冲电压信号与对应漏极电流变化的开启延迟时间；测量功率MOS器件漏极输出电流呈线性增大时，该延迟时间与漏极电流的对应关系，再根据器件的漏极电流(所加功率)、热阻和温升之间的对应关系，可得到温度系数；测量在某个工作状态下，功率MOS器件栅极测试脉冲电压信号与对应漏电流变化的开启延迟时间，再由测得的温度系数,得到器件在该状态下的温升大小。即实现功率MOS器件温升的在线测量，也可监控功率MOS器件在某状态下的温升，来判定器件的工作状态。
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公开(公告)号：CN105699711B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610166698.3
申请日：2016-03-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件热阻测量中的自动固定装置，包括上位机、FPGA、驱动电路、步进电机、压力传感器、AD转换芯片、夹具。上位机与FPGA通过USB转TTL模块相连，FPGA通过驱动电路与步进电机相连，步进电机与夹具相连，压力传感器固定在夹具上，压力传感器通过AD转换芯片与FPGA相连。通过上位机设定一压力值，步进电机通过驱动丝杆转动给器件施加压力，在加压过程中器件所受压力能够通过传感器实时反馈给上位机形成闭环控制系统，上位机根据反馈回的压力值与设定值比较控制步进电机转动，确保最终施加给器件的压力值准确。本发明自动化程度高，操作简易，能够保证施加的压力值准确，提高半导体器件热阻测量准确性。
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公开(公告)号：CN108614203A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810423405.4
申请日：2018-05-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种通过瞬态电流分析阻变存储器内部陷阱的方法，首先测量阻变存储器在正向、负向偏压区域的I-V曲线，判断阻变存储器的导电机制。由于载流子有机会从陷阱中跃迁出来，所以当施加在存储器上的陷阱填充电压被移开之后，在短时间内监测到瞬态电流的产生。通过对瞬态电流的e指数函数的拟合，得到了相应的时间常数，并且通过分析不同温度对瞬态电流的影响，得到一组随温度变化而变化的时间常数谱。利用阿仑尼乌斯坐标拟合，确定BFO阻变存储器中缺陷对应能级的激活能。通过改变对阻变存储器施加脉冲的填充电压和填充时间，分析时间常数随填充电压和填充时间的变化，结合极化及陷阱填充状态对阻变存储器有序性的影响，利用时间常数分析阻变存储器内部陷阱的填充状态。
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公开(公告)号：CN104808130B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510182241.7
申请日：2015-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 多路晶体管BE结结温测量装置，装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令，FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端，控制MOS组的沟道关断，同时，FPGA控制模块的另五个管脚连接的采集模块的ULN2003控制芯片的五个管脚，经过继电器组，流进外部老化电路中的晶体管的基极，电流通过BE结流回测试模块的回路，通过FPGA控制模块发出指令，通过采集触发端子向MP424采集模块发出指令。MP424采集模块通过采集端子进行数据采集。本发明能够实时监控晶体管在老化过程中BE结结温，采用电子控制方式断电，能够精确地保证被测器具在断电瞬间完成测试，确保试验符合标准要求。
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公开(公告)号：CN106920742A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710054075.1
申请日：2017-01-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法，其步骤为：(1)一次加工前的摸底实验，根据辐照条件对器件进行分组；(2)按照辐照条件对器件进行辐照加工，固定辐照方向、辐照环境及冷却系统；(3)在常温常压下储存器件以保证性能达到稳定；(4)测试DLTS深能级瞬态谱，确定缺陷能级位置、浓度及俘获截面参数；(5)测试电学特性参数，包括正向特性、反向特性及开关特性；(6)进行批量加工生产。本发明可以通过改变电子辐照条件控制缺陷能级位置、浓度等参数，重复性好，在进行前期测试后可以进行批量加工，实现按照生产需求定向优化器件各项性能的目标。
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