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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110412447B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910681433.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法，首先在不同温度下，测量模块温度均匀时的阈值电压和开通延迟时间，获得校温曲线库；然后在模块工作条件下，测量阈值电压和开通延迟时间；最后将测量值与校温曲线库进行对比，分别获得模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。IGBT芯片并联是提高大容量变换器输出电流的有效途径，然而，各个芯片散热条件的差异将会导致IGBT模块并联芯片中芯片温度不均匀，造成模块的静态不均流和动态不均流，严重影响模块的开关特性，导致某个芯片在开通关断瞬间承担过大电流，极易烧毁芯片，影响整个模块可靠运行；本方法可以测量模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。
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公开(公告)号：CN110412447A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910681433.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法，首先在不同温度下，测量模块温度均匀时的阈值电压和开通延迟时间，获得校温曲线库；然后在模块工作条件下，测量阈值电压和开通延迟时间；最后将测量值与校温曲线库进行对比，分别获得模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。IGBT芯片并联是提高大容量变换器输出电流的有效途径，然而，各个芯片散热条件的差异将会导致IGBT模块并联芯片中芯片温度不均匀，造成模块的静态不均流和动态不均流，严重影响模块的开关特性，导致某个芯片在开通关断瞬间承担过大电流，极易烧毁芯片，影响整个模块可靠运行；本方法可以测量模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。
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公开(公告)号：CN109932629A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910259471.7
申请日：2019-04-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率循环实验中测量与控制功率VDMOS器件结温的方法，该方法主要通过功率循环实验平台进行间歇性功率施加的方式来加速器件老化过程，以达到模拟功率VDMOS器件实际工况的目的。通过采集器件工作在饱和区的温度敏感电参数来计算并提取功率施加期间及功率关断期间的芯片温度波动，由反馈电路控制器件结温处于限定范围内。该方法简单易行，实验成本较低，且不会破坏功率VDMOS器件的封装，通过计算机可实现完全程控，可自行设定功率循环实验过程中器件工作的结温范围，进行长时间、多周期的功率循环实验，可准确测量与控制功率VDMOS器件的结温。
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公开(公告)号：CN110376500A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910681701.9
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法，属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。在功率MOS器件开启瞬态过程中，在不同栅极电压VGS、不同源-漏电压VDS和不同源-漏电流IDS的条件下测量出三个温敏参数与温度的关系曲线,通过拟合得到校温曲线的函数表达式,即完成校温曲线的建立。当功率MOS器件工作在开启瞬态时，根据加电条件，即栅极电压VGS、源-漏电压VDS和源-漏电流IDS的数值，将上述温敏参数带入校温曲线库，可得知该时刻的结温值，从而实现功率MOS器件结温的实时测量，也可监控功率MOS器件在该状态下的温升。
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公开(公告)号：CN110376500B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910681701.9
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法，属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。在功率MOS器件开启瞬态过程中，在不同栅极电压VGS、不同源‑漏电压VDS和不同源‑漏电流IDS的条件下测量出三个温敏参数与温度的关系曲线,通过拟合得到校温曲线的函数表达式,即完成校温曲线的建立。当功率MOS器件工作在开启瞬态时，根据加电条件，即栅极电压VGS、源‑漏电压VDS和源‑漏电流IDS的数值，将上述温敏参数带入校温曲线库，可得知该时刻的结温值，从而实现功率MOS器件结温的实时测量，也可监控功率MOS器件在该状态下的温升。
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