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公开(公告)号：CN111257718A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010146832.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置和方法，属于半导体器件热阻测量技术领域。主要利用了MOSFET功率模块中的MOSFET饱和区的漏源电压(VDS)和漏源电流(IDS)作为温敏参数来测量MOSFET功率模块的结温(TJ)。在MOSFET功率模块热阻测试时首先建立VDS-IDS-TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。
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公开(公告)号：CN104808130A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510182241.7
申请日：2015-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 多路晶体管BE结结温测量装置，装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令，FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端，控制MOS组的沟道关断，同时，FPGA控制模块的另五个管脚连接的采集模块的ULN2003控制芯片的五个管脚，经过继电器组，流进外部老化电路中的晶体管的基极，电流通过BE结流回测试模块的回路，通过FPGA控制模块发出指令，通过采集触发端子向MP424采集模块发出指令。MP424采集模块通过采集端子进行数据采集。本发明能够实时监控晶体管在老化过程中BE结结温，采用电子控制方式断电，能够精确地保证被测器具在断电瞬间完成测试，确保试验符合标准要求。
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公开(公告)号：CN104808130B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510182241.7
申请日：2015-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 多路晶体管BE结结温测量装置，装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令，FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端，控制MOS组的沟道关断，同时，FPGA控制模块的另五个管脚连接的采集模块的ULN2003控制芯片的五个管脚，经过继电器组，流进外部老化电路中的晶体管的基极，电流通过BE结流回测试模块的回路，通过FPGA控制模块发出指令，通过采集触发端子向MP424采集模块发出指令。MP424采集模块通过采集端子进行数据采集。本发明能够实时监控晶体管在老化过程中BE结结温，采用电子控制方式断电，能够精确地保证被测器具在断电瞬间完成测试，确保试验符合标准要求。
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公开(公告)号：CN212622912U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202020258053.4
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置，属于半导体器件热阻测量技术领域。DUT(1)分别与栅压模块(3)、监测模块(4)、功率模块(5)、脉冲模块(6)、示波器(7)连接，首先建立VDS‑IDS‑TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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