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公开(公告)号：CN110071197A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910237485.9
申请日：2019-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性面氮化镓的高圆偏振极化度的自旋LED及其制备方法，采用非极性面(m面或a面)氮化镓为衬底制备倒置结构的自旋LED，有效增加了圆偏振极化度上限和电子自旋弛豫寿命，使得正面出光的实际圆偏振极化度大幅度提高。
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公开(公告)号：CN105274496B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201410270321.3
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，其特征是，MOCVD反应腔中突变导致非稳定气流环境下在线生长SiNx掩膜层。在线的SiNx掩膜层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层，能大幅提高晶体质量的同时还能实现良好的应力释放效果，尤其在GaN‑On‑Silicon外延中。本发明提供了突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，打破了MOCVD生长中气流稳定性的要求，利用突变式冲击气流，使得SiNx掩膜层更为零散随机，从而实现更好的位错阻隔功能层的效果，也能很好地释放异质生长中带来的应力。
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公开(公告)号：CN108428770A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810352458.1
申请日：2018-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法，属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构，然后在芯片工艺过程中，通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件，最终在芯片内实现共面波导结构，使得高频信号可馈入阵列内每个LED终端。本发明不但兼容传统LED制作工艺，而且简单可靠，使得高频信号有效馈入，提高了大功率芯片的带宽；同时将芯片与导热基底进行焊接，可大大提升高功率芯片的散热性能，有效提高大功率芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN103618212B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310665266.3
申请日：2013-12-10
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻，挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，实现光刻图形。最后，根据负性光敏性热固化涂层胶的性质，通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。
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公开(公告)号：CN105023984A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510349047.3
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102828239A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210306671.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法，降低衬底内部缺陷及残余应力，提高衬底的断裂强度和表面特性。本发明利用缺陷应力去除技术对衬底的内部缺陷及残余应力进行去除，提高衬底的断裂强度和表面特性，在MOCVD中，生长GaN单晶薄膜，于HVPE中进行高质量的GaN单晶厚膜的快速生长，利用GaN和衬底之间的热膨胀系数差，从而获得自分离自支撑GaN衬底。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶自支撑衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的、高光学和电学性能的、可用于同质外延的GaN单晶自支撑衬底。
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公开(公告)号：CN101962803B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010526918.1
申请日：2010-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制——工艺参数从应力释放条件渐变到高质量生长条件；以周期调制的方式连续重复第一阶段和第二阶段；生长材料达到预定厚度时停止生长；以及将材料的生长效果作为反馈，调整质量调制幅度参数，确定下次材料的生长条件。本发明解决了材料异质外延的两个主要问题，兼顾了材料质量的提高和应力的有效释放，并引入了控制参数质量调制幅度，实现对质量和应力的有效控制，能够良好地实现高质量单晶厚膜材料的异质外延。
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公开(公告)号：CN102185061A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110085237.0
申请日：2011-04-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种LED结构及其制备方法，属于光电器件领域。该LED结构包括n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层，n-GaN层为出光面，本发明在非出光面的p-GaN层或与p-GaN层接触的透明电极表面上制备出周期性微纳结构。由于周期性微纳结构在非出光面p-GaN层表面或与p-GaN层接触的透明电极上可表现出独特的光学性质，可大幅改善LED器件的背向反射率；另外，通过改变微纳结构的参数(如结构单元形状、周期、孔径及孔洞深度等)还可实现对材料光学性质的调制，从而有效提高LED器件的出光效率；进一步，对实现金属反射层的工艺兼容性有帮助。
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公开(公告)号：CN101556914B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810103523.3
申请日：2008-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种单晶蓝宝石支撑的准悬浮半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法，属于氮化镓衬底技术领域，该方法包括：采用紫外激光束由蓝宝石衬底处入射，照射蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜；调整激光束能量密度，使照射到GaN外延薄膜上的激光束形成能量密度不同的阵列图形；照射能量密度高的GaN外延薄膜部分与蓝宝石衬底发生无损伤剥离，照射能量密度低的GaN外延薄膜部分仍然与蓝宝石衬底连接，制得准悬浮的半导体氮化镓外延薄膜衬底。本发明制得的GaN外延薄膜衬底的力学支撑仍然由单晶蓝宝石提供，其可以有足够的力学稳定性而作为衬底使用在后继工艺中。且该准悬浮GaN薄膜衬底的外延应力小、缺陷密度少。
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公开(公告)号：CN101962804A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010527353.9
申请日：2010-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的位置时，工艺条件跃变调制，实现应力在该预定位置的跃变；再次工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力随厚度增加而逐渐释放，也即实现应力逆向集中于预定位置；外延生长结束，并逐渐降温，以使得预定自分离位置两侧的应力差进一步放大，从而实现单晶厚膜在预定位置的自分离。本发明在保证外延材料质量的基础上，能有效控制外延材料中应力的整体分布，良好地实现外延材料的自分离。
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