公开(公告)号：CN110071197A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910237485.9

申请日：2019-03-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐宁 ,  沈波 ,  刘星辰 ,  张晓玥 ,  张云帆 ,  康香宁 ,  杨学林 ,  王新强 ,  许福军

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种基于非极性面氮化镓的高圆偏振极化度的自旋LED及其制备方法，采用非极性面(m面或a面)氮化镓为衬底制备倒置结构的自旋LED，有效增加了圆偏振极化度上限和电子自旋弛豫寿命，使得正面出光的实际圆偏振极化度大幅度提高。

公开(公告)号：CN110429135B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201910628709.9

申请日：2019-07-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐宁 ,  沈波 ,  张晓玥 ,  杨流云 ,  管鸿明 ,  刘星辰 ,  王新强 ,  杨学林 ,  许福军

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构，属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构，控制AlN厚度在1‑3nm左右，使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率，推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究，得到性质优良的自旋电子学器件。

公开(公告)号：CN110429135A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910628709.9

申请日：2019-07-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐宁 ,  沈波 ,  张晓玥 ,  杨流云 ,  管鸿明 ,  刘星辰 ,  王新强 ,  杨学林 ,  许福军

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构，属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构，控制AlN厚度在1-3nm左右，使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率，推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究，得到性质优良的自旋电子学器件。