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公开(公告)号：CN103618212B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310665266.3
申请日：2013-12-10
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻，挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，实现光刻图形。最后，根据负性光敏性热固化涂层胶的性质，通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。
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公开(公告)号：CN103618212A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310665266.3
申请日：2013-12-10
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻，挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，实现光刻图形。最后，根据负性光敏性热固化涂层胶的性质，通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。
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公开(公告)号：CN102817074A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210256655.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102817074B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210256655.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115064937B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210644192.4
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种微曲面DBR及其制备方法和应用，属于纳米尺度的微结构制造工艺。本发明微曲面DBR的结构是在铺置纳米小球的衬底上交替生长高折射率材料和低折射率材料形成，所述高折射率材料和低折射率材料交替叠加构成堆垛结构，通过纳米小球的诱导，堆垛结构最外面的轮廓呈弧形球冠。本发明可以通过改变高折射率材料和低折射率材料或者纳米小球的尺寸，方便地调节曲面DBR凸起的高度和半径，针对不同波长微腔实现光场限制，且该微曲面DBR的制备方法简单，不需要光刻工艺，适用范围广阔，可以用作VCSEL的上下腔面反射镜，实现具有超小模式体积和较高品质因子的光学微腔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115064937A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210644192.4
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种微曲面DBR及其制备方法和应用，属于纳米尺度的微结构制造工艺。本发明微曲面DBR的结构是在铺置纳米小球的衬底上交替生长高折射率材料和低折射率材料形成，所述高折射率材料和低折射率材料交替叠加构成堆垛结构，通过纳米小球的诱导，堆垛结构最外面的轮廓呈弧形球冠。本发明可以通过改变高折射率材料和低折射率材料或者纳米小球的尺寸，方便地调节曲面DBR凸起的高度和半径，针对不同波长微腔实现光场限制，且该微曲面DBR的制备方法简单，不需要光刻工艺，适用范围广阔，可以用作VCSEL的上下腔面反射镜，实现具有超小模式体积和较高品质因子的光学微腔。
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公开(公告)号：CN115021080A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210702420.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法，属于半导体激光器芯片制作工艺。本发明在镀p型电极前通过刻蚀将脊型区隔为注入区和窗口区，形成电学隔离。然后使用时在窗口区施加反向偏压，注入区施加正常工作时的正向偏压，形成非吸收窗口。本发明解决了现有技术无法适用于GaN基材料的缺点，不仅能有效提高端面的禁带宽度，减小端面对激射波长的吸收，提高激光器的可靠性和寿命，而且与激光器制备工艺兼容，制备工艺简单，成本极低。
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公开(公告)号：CN104347356B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410455805.5
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长，该方法能够获得比较完美的GaN外延层，可有效降低位错密度，该外延层位错密度可以达到106/cm2以下；可有效降低GaN基LED的压电极化效应，增加内量子复合效率及外量子发射效率，综合出光效率可达到普通LED的1.5倍以上；可有效降低器件发热量，增加器件使用寿命。
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公开(公告)号：CN104347356A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410455805.5
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L21/02634 , C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长，该方法能够获得比较完美的GaN外延层，可有效降低位错密度，该外延层位错密度可以达到106/cm2以下；可有效降低GaN基LED的压电极化效应，增加内量子复合效率及外量子发射效率，综合出光效率可达到普通LED的1.5倍以上；可有效降低器件发热量，增加器件使用寿命。
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公开(公告)号：CN101335204B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710123092.2
申请日：2007-06-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/30 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种p型氮化镓的表面处理方法，属于光电技术领域。该方法包括：将清洗干净的p型氮化镓样品放入反应离子刻蚀机反应室内；对反应室抽真空，至气压小于8.0×10-5托后，用氟等离子体对样品表面处理。本发明可解除p型氮化镓的Mg-H键，除去氧化层，提高p型氮化镓表面空穴浓度，降低接触电阻的作用；同时，由于采用了干法处理，避免了湿法处理带来的弊端。本发明有效地改善了p型氮化镓的电学性能。
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