-
公开(公告)号：CN114678268A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011550472.6
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种栅叠层结构、栅极、DRAM及其制造方法，包括以下步骤：提供一种半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅叠层结构以及其上的盖层，所述栅叠层结构的中部包括栅金属层；在所述栅金属层的侧壁形成氧化层；对所述栅金属层执行离子注入；对所述栅叠层结构进行热处理。通过对栅金属层进行处理，以在栅金属层的侧壁形成氧化层，避免后续的热处理工艺对栅金属层造成损伤，提高了栅金属层的良率，避免栅极漏电的问题。
-
公开(公告)号：CN114675494A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011547733.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种光刻机照明系统及光刻机，光刻机照明系统包括密封模块、位移装置和激光器，密封模块内设置有入射窗，入射窗可移动地设置在密封模块中；位移装置与入射窗连接以带动入射窗沿设定方向移动；激光器与密封模块连接，激光器发出的激光经入射窗进入密封模块内。当入射窗的部分区域由于激光的长时间照射产生缺陷时，位移装置可以带动入射窗移动，从而使入射窗的其他没有缺陷的区域移动至供激光通过的部位。由此，本发明提出的光刻机可以多次使用同一入射窗，无需频繁更换入射窗，延长了入射窗的使用寿命，且节约资源，解决了现有技术中需要频繁更换入射窗导致的浪费资源以及影响产品生产效率的问题。
-
公开(公告)号：CN114623297A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011435812.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种管件。所述管件包括：第一管体，所述第一管体的一端设有第一连接端；第二管体，所述第二管体的一端设有第二连接端，所述第一连接端与所述第二连接端螺纹连接；第一密封件，所述第一密封件设置在所述第一连接端与所述第二连接端之间，所述第一密封件的内径与所述第一管体的内径、所述第二管体的内径均相等；第二密封件，所述第二密封件设置在所述第一连接端与所述第二连接端之间，且所述第二密封件套设于所述第一管体。第一密封件能够防止气体泄漏，同时防止外界灰尘进入管体的内部，第二密封件用于防止从第一密封件处进入第一管体与第二管体之间的气体泄漏到管件的外部，从而进一步提高管件的密封性。
-
公开(公告)号：CN114566413A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011360191.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及一种绝缘子及其组成的离子源、离子注入装置。一种绝缘子，其特征在于，包括：一个立柱本体，所述立柱本体具有两个自由端：第一自由端和第二自由端；由第一自由端至第二自由端所述立柱本体具有不等值的直径，并且中心处的直径值最小。本发明的绝缘子具有更大的比表面积，能够延缓离子束的污染，使用周期更长。
-
公开(公告)号：CN114442422A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011225142.X
申请日：2020-11-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法，图形失真为掩模上安装保护膜而引起，包括以下步骤：测量安装保护膜的掩模产生的第一图形特征；测量未安装保护膜的掩模产生的第二图形特征；基于第一图形特征、第二图形特征之间的差异建立图形失真模型；根据图形失真模型计算补偿量。本申请实施例可以自动对各种情况导致的误差进行补偿，并可以预测多种情况下的保护膜导致的图形失真，提高了图形失真补偿的准确性以及效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114388617A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011140773.1
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备。该金属氧化物半导体场效应管包括：有源区；隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化物层，位于所述有源区上；所述栅极氧化物层的两侧分别与所述有源区两侧的隔离结构相接触；栅极层，位于所述隔离结构和所述栅极氧化物层上；所述有源区的上部两侧分别形成有两个栅极非重叠区；所述栅极非重叠区为所述隔离结构所覆盖。本申请的金属氧化物半导体场效应管，有源区的上部两侧分别具有两个栅极非重叠区，栅极非重叠区能够有效消除浅沟槽结构所产生的寄生晶体管现象，能更大程度地减少阈下驼峰现象。
-
公开(公告)号：CN114388394A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011140769.5
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/317
Abstract: 一种排气管，包括：排气管主体，为两端开口的筒状结构；屏蔽管，嵌设在排气管主体的内部；其中，屏蔽管的端部不凸出于排气管主体，且屏蔽管与排气管主体的内壁既不直接接触也不间接接触。屏蔽管防止排气管主体的内壁污染，延长了排气管的绝缘时间，能够防止设备运转过程中发生高电压的不稳定的状况。
-
公开(公告)号：CN114361098A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011089756.X
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及一种隔离沟槽和隔离沟槽的制造方法。隔离沟槽，包括：在沟槽上的氧化物层，在所述氧化物层内的底部的氮化物衬垫，在所述氮化物衬垫内，且与氮化物衬垫的表面齐平的第一氧化物，以及在所述第一氧化物上的第二氧化物；所述第二氧化物与所述氧化物层的表面齐平。通过去除隔离沟槽中的部分沉积物质，再沉积第二氧化物，能够防止变成陷阱的热载流子电子在有源区产生沟道，从而避免热电子穿透效应产生的不良。
-
公开(公告)号：CN114326293A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011079687.4
申请日：2020-10-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F1/66
Abstract: 本申请公开了一种掩模盒盖固定夹及掩模盒，掩模盒盖固定夹包括依次连接且一体成型的上壁板、中间壁板和下壁板，所述上壁板的外侧边与所述下壁板的外侧边之间形成所述掩模盒盖固定夹的开口，所述开口的尺寸小于所述中间壁板的高度。本申请实施例提供的掩模盒盖固定夹，用于固定掩模盒的顶盖板，固定更加牢固，顶盖板不能轻易脱离，从而避免了由于顶盖板脱离固定导致的前门板不能完全打开的问题，进一步避免了由于前门板不能完全打开导致的在通过掩模载卸臂从掩模盒中取出掩模时容易发生的前门板碰触掩模造成掩模损坏的问题，大大降低了在取掩模时掩模的破损率。
-
公开(公告)号：CN114171376A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010945093.0
申请日：2020-09-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L49/02
Abstract: 本发明的半导体的图形制造方法，在待刻蚀层上形成第一条形图案和第二条形图案，并且在待刻蚀层上沉积预设材料后再进行平坦化处理，至第二条形图案露出之后，能够在两类条形图案重叠的区域先形成第一孔型图案，再在两类条形图案都不存在的待刻蚀层上形成第二孔型图案，进而得到不会短路连接的小间距图形。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
256
records
(took 0.101 seconds)
