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公开(公告)号：CN112071685B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202010702042.5
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于电气装置技术领域，具体涉及一种紧急按钮装置及具有其的设备，该紧急按钮装置包括壳体，壳体内设置有第一电连接结构，紧急按钮装置还包括升降组件，升降组件的一端伸至壳体内，且升降组件的一端设置有与第一电连接结构对应的第二电连接结构，升降组件处于下降状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于紧急状态。根据本申请的紧急按钮装置，升降组件处于下降状态时紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时紧急按钮装置处于紧急状态，以此减少由于失误按压紧急按钮装置导致紧急按钮装置进入紧急状态的现象。
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公开(公告)号：CN111929990B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202010761593.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法，该防硫酸铵系统包括：薄膜，设置于掩模版的掩模底面上，与所述掩模底面围成一密闭空间，所述密闭空间包围所述掩模版的胶片；氢离子捕捉器，通过两条管道分别与所述密闭空间的两侧相连通；该氢离子捕捉器包括：壳体、设置在所述壳体内的电解质容器、水合凝胶层、电极、供电模块和水收集器。本申请的防硫酸铵系统，能够通过氢离子捕捉器去除空气中的氢离子，向薄膜与掩模版所围成的密闭空间内输入过滤掉氢离子的空气，通过空气将胶片在曝光时产生的氨排出，从而防止有害硫酸铵的生成，避免产生硫酸铵附着在胶片上的情况。
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公开(公告)号：CN111443577B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010270647.1
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备。所述调整装置用于对工件台上放置的基板进行调整，所述基板表面预先被划分为多个测量区域，其包括：在光路上依次设置的光源、投影光栅、可调节反射镜、探测光栅和探测器模块；光源发出的光束经过投影光栅形成具有预设光斑图案的光束后，到达可调节反射镜；所述可调节反射镜将光束调整后照明所述工件台上放置的基板表面对应的测量区域；从所述基板表面反射的光束经所述探测光栅到达所述探测器模块；所述探测器模块根据探测到的光束信息计算调焦调平参数。该调整装置可以准确地对基板偏离量进行校正，可以减少曝光前的调焦调平时间，使得曝光设备的工作效率得到提升。
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公开(公告)号：CN111585152A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010270628.9
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备。本公开的用于激光器腔室的电极，包括一具有多个电极表面的电极及中心轴，所述电极可绕中心轴旋转切换至任意一个电极表面。本公开与现有技术相比，激光器腔室的电极具有多个电极表面，当脉冲激光的质量下降时，可旋转切换到良好的电极表面继续操作，延长了激光器腔室的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114520456A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011308538.0
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种冷却系统、准分子激光器以及曝光设备，该冷却系统包括气源和气体回收装置，气源用于向准分子激光器的线路压窄模块的内部供给氦气，以使线路压窄模块的内部维持在预设温度，气体回收装置用于回收且处理线路压窄模块的内部的氦气，气体回收装置与气源连通，以便将被处理后的氦气输送至气源。准分子激光器启动后，激光进入到线路压窄模块内，进入到线路压窄模块内的激光依次经过线路压窄模块内的光栅和棱镜，气源的氦气对光栅以及棱镜进行吹扫，吹扫后的氦气进入到气体回收装置，气体回收装置对氦气进行处理，并且被处理后的氦气再次输送至气源，实现了氦气的重复利用，减少了氦气的使用量，使得产品的制造成本得到了有效地降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112071685A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010702042.5
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于电气装置技术领域，具体涉及一种紧急按钮装置及具有其的设备，该紧急按钮装置包括壳体，壳体内设置有第一电连接结构，紧急按钮装置还包括升降组件，升降组件的一端伸至壳体内，且升降组件的一端设置有与第一电连接结构对应的第二电连接结构，升降组件处于下降状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于紧急状态。根据本申请的紧急按钮装置，升降组件处于下降状态时紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时紧急按钮装置处于紧急状态，以此减少由于失误按压紧急按钮装置导致紧急按钮装置进入紧急状态的现象。
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公开(公告)号：CN112051273A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010763336.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请涉及一种检测及清理光掩模的玻璃面及膜面上的微尘的装置及方法。所述装置包括：装载单元，装载单元包括用于保持光掩模的保持部；检测单元，检测单元用于检测光掩模上的微尘；清理单元，清理单元用于对检测到的微尘进行清理。在应用微尘清理装置时，可以将待测的光掩模装载于装载单元，装载后的光掩模保持在保持部上，之后可以启动检测单元对光掩模上的微尘进行检测，待完成检测后，可以通过清理单元对微尘进行清理，从而去除光掩模上的微尘。利用本申请的微尘清理装置能够以连续的方式顺次对光掩模实施微尘检测和微尘清除的工作，使得微尘检测和微尘清除两项工作无缝衔接，由此，可以提高光掩模的微尘检测及清理过程的整体效率。
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公开(公告)号：CN114675494A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011547733.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种光刻机照明系统及光刻机，光刻机照明系统包括密封模块、位移装置和激光器，密封模块内设置有入射窗，入射窗可移动地设置在密封模块中；位移装置与入射窗连接以带动入射窗沿设定方向移动；激光器与密封模块连接，激光器发出的激光经入射窗进入密封模块内。当入射窗的部分区域由于激光的长时间照射产生缺陷时，位移装置可以带动入射窗移动，从而使入射窗的其他没有缺陷的区域移动至供激光通过的部位。由此，本发明提出的光刻机可以多次使用同一入射窗，无需频繁更换入射窗，延长了入射窗的使用寿命，且节约资源，解决了现有技术中需要频繁更换入射窗导致的浪费资源以及影响产品生产效率的问题。
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公开(公告)号：CN114520156A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011307914.4
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种晶圆预检方法、装置、控制系统以及计算机可读介质，该晶圆预检方法包括：获得晶圆到达被检测位置的信号，获取晶圆的背面的压力差，获得与压力差所对应的晶圆的背面的高度差的比较值，比较比较值与预设值，根据比较结果，判定晶圆是否合格。该晶圆预检方法，能够有效检测出晶圆的背面是否存在异物，从而避免异物对晶圆的光刻产生不良影响，另外，避免了晶圆将异物带入到晶圆台上，避免异物对晶圆台造成的影响。
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公开(公告)号：CN114518692A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011307887.0
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种激光等离子体极紫外光源系统及其生成极紫外光的方法，系统包括：液滴发生器用于生成扁平状的目标液滴；激光源用于生成激光脉冲，以使激光脉冲冲击所述目标液滴生成等离子体；采集器用于收集等离子体辐射出的EUV光线，并将收集的EUV光线聚焦定向到扫描器中。通过液滴发生器直接产生扁平状的目标液滴，从而仅使用一种激光脉冲撞击目标液滴即可生成等离子体，由于减少了激光脉冲撞击液滴的次数，因此可以减少污染物的产生，进而降低了采集器受污染的严重程度，延长了采集器的使用寿命。另外，由于激光源只需要生成一种激光脉冲，无需生成两种激光脉冲，因此本申请还可以简化激光源的结构，以及减少激光源的光束对准程序。
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