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公开(公告)号：CN114334702A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061636.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体衬底的处理装置，具体包括：处理室；衬底支承件；向所述处理室供给处理气体的处理气体供给系统，所述处理气体供给系统包括沿垂直方向延伸的管嘴，且所述管嘴上沿垂直方向上至少开设有两列气体喷嘴。本申请通过开设两列气体喷嘴，可以有效改善气体喷洒的均匀性，从而保证被处理衬底表面都能被处理气体均匀喷洒覆盖，从而保证扩散等衬底处理的效果。
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公开(公告)号：CN117005035A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210467771.6
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C30B31/06
Abstract: 本申请属于半导体芯片制造技术领域，具体涉及一种半导体扩散设备。本申请中的半导体扩散设备包括外管、内管、晶舟和气体供应管，外管的内部限定出反应腔，内管插接至反应腔内，内管的内周壁上设有多个环状凸起，任一个环状凸起均设有开口，且多个环状凸起的开口设于同一直线上，晶舟设于内管形成包容空间内并与内管沿同一方向设置，气体供应管设于多个开口内。根据本申请中的半导体扩散设备，通过在内管的内周壁上设置多个环状凸起，能够有效地减少晶舟与内管的内壁面间的间隙，从而保证晶圆表面的扩散均匀，提高晶圆的质量。
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公开(公告)号：CN115747764A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111029417.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开一种原子层沉积设备、方法以及半导体制造系统，涉及半导体器件技术领域，以提供一种可以在对晶圆进行膜层沉积时，使晶圆表面各个区域的膜层厚度相同的原子层沉积设备。该原子层沉积设备，包括处理腔室、喷嘴组件、厚度检测器以及与喷嘴组件和膜层厚度检测器通信的处理器。喷嘴组件位于处理腔室内，与沉积气体源连通，且喷嘴组件与处理腔室内的晶圆相对设置。厚度检测器用于检测晶圆不同区域沉积的膜层厚度，并将晶圆不同区域沉积的膜层厚度发送给控制器。控制器用于根据晶圆不同区域沉积的膜层厚度，控制喷嘴组件向晶圆的不同区域提供不同流量的沉积气体。
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公开(公告)号：CN111912216A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010588877.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: F26B21/00
Abstract: 本发明公开了一种干燥机构及具有其的石英管清洗装置，该干燥机构包括供气模块、承托模块和喷射模块，供气模块内清洗有吹扫气体，承托模块用于承托待干燥石英管，喷射模块与承托模块配合且与供气模块连通，喷射模块上设有喷射孔组，喷射模块为可伸缩结构，至少部分喷射模块能够伸入到待干燥石英管的内部，以使吹扫气体对待干燥石英管的内表面进行干燥。由于喷射模块为可伸缩结构且能够进入到待干燥石英管的内部，使得吹扫气体能够充分与待干燥石英管的内壁接触，从而提高了待干燥石英管的吹扫干燥的速度，进而提高了石英管的处理效率，降低了制造的成本。
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公开(公告)号：CN115199841A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110396419.3
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: F16L37/38 , F16L37/407
Abstract: 本发明公开一种快速插头及其使用方法，涉及半导体技术领域，以解决由于流体供应管路内存在压力的情况下，公头和母头不能紧密连接的问题。快速插头，包括公头和母头。所述公头的一端和流体供应管路连接，所述公头的另一端和所述母头连接，所述母头的一端与流体输送管路连接。所述公头包括公头本体以及连通器，所述连通器位于所述公头本体内，所述连通器用于控制所述流体供应管路内的流体流经所述公头的通断。所述快速插头的使用方法包括上述技术方案所提的快速插头。本发明提供的快速插头用于连接流体供应管路和流体输送管路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114623297A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011435812.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种管件。所述管件包括：第一管体，所述第一管体的一端设有第一连接端；第二管体，所述第二管体的一端设有第二连接端，所述第一连接端与所述第二连接端螺纹连接；第一密封件，所述第一密封件设置在所述第一连接端与所述第二连接端之间，所述第一密封件的内径与所述第一管体的内径、所述第二管体的内径均相等；第二密封件，所述第二密封件设置在所述第一连接端与所述第二连接端之间，且所述第二密封件套设于所述第一管体。第一密封件能够防止气体泄漏，同时防止外界灰尘进入管体的内部，第二密封件用于防止从第一密封件处进入第一管体与第二管体之间的气体泄漏到管件的外部，从而进一步提高管件的密封性。
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公开(公告)号：CN114520162A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011301161.6
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种扩散设备及其加热控制方法，该扩散设备包括：扩散炉体，用于放置待扩散加工的晶圆，扩散炉体内自上而下划分成多个加热区域；多个加热装置，用于给扩散炉体加热，依照扩散炉体的高度方向设置在扩散炉体的侧壁上，且加热装置与加热区域一一对应设置；多个监测装置，与多个加热装置一一对应设置，用于监测加热装置中加热电阻的阻值，并将加热电阻的阻值发送给报警装置；报警装置，用于将加热电阻的阻值与预设阻值进行比较，若比较结果符合预设条件则报警。本公开的扩散设备，通过对加热电阻的阻值进行监测，在品质事故发生前可以感知风险，从而将工艺不良风险在事前予以排除，避免损失。
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公开(公告)号：CN114962269A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110216507.0
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种真空泵及真空泵系统。真空泵包括：泵本体；出气管，与泵本体相连接；输气装置，设置在出气管内；输气装置包括管状主体以及至少一根输气管；管状主体包括细管段和分别位于细管段两侧的第一粗管段和第二粗管段，细管段的内径小于第一粗管段且小于第二粗管段的内径；输气管的第一端位于第一粗管段内，第二端依次穿过第一粗管段的管壁、出气管的管壁伸出到出气管外部，且第一端的开口方向朝向细管段。本申请的真空泵通过输气管向出气管内输入高速氮气，能够使整个出气管内的排气速度更高，排气更加顺畅，能够排出泵本体内的粉尘，避免因真空泵内的粉尘积聚造成的真空泵性能下降。
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公开(公告)号：CN114628275A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443033.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种冷却装置及具有其的半导体扩散设备。所述冷却装置包括：壳体，所述壳体内形成有容纳扩散炉体的容纳空间，所述扩散炉体内容纳有晶圆；至少两个喷射口，至少两个所述喷射口沿所述扩散炉体的长度方向均匀设置在所述壳体上，至少两个所述喷射口与所述容纳空间连通，至少两个所述喷射口用于向所述扩散炉体喷射冷却介质。根据本发明的冷却装置，使冷却介质通过沿扩散炉体的长度方向设置的至少两个喷射口分别向扩散炉体喷射，以冷却介质通过不同的喷射口直接对扩散炉体进行冷却，从而保证扩散炉体的不同位置的冷却速度，至少两个喷射口均匀布置在壳体上，使扩散炉体及其内部的晶圆冷却均匀。
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公开(公告)号：CN114628254A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011439749.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/318
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种氮化硅沉积方法及半导体装置的制造方法，提供反应腔室，所述反应腔室内放置有待处理晶圆；对所述反应腔室进行升温，使所述反应腔室升温至起始沉积温度，然后通入反应气体进行沉积；控制降温速率对所述反应腔室进行降温，使所述反应腔室自所述起始沉积温度降温到正常沉积温度，并保持在正常沉积温度；其中，所述正常沉积温度小于所述起始沉积温度。在升温过程和降温过程中也导入反应气体进行薄膜的扩散沉积，从而使整个扩散沉积中形成一个良好的温差互补，使得最终制备出的薄膜厚度均匀。
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