公开(公告)号：CN114497019A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210082490.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  张宁 ,  唐磊 ,  刘建军 ,  何亨洋 ,  武忙虎 ,  梅志鹏 ,  雷靖 ,  吴玮 ,  严秋成 ,  胡佳伟 ,  刘峥 ,  潘鹏辉

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种多芯片立体集成结构及制作方法，包括：若干个基板逐层堆叠，形成顶层基板、中间基板和底层基板；顶层基板和中间基板、中间基板和底层基板之间均通过层间凸点焊球进行相连；顶层基板、中间基板和底层基板上均键合有芯片，无源器件固定在顶层基板上；塑封料封装除底层基板下表面外的其余面。本发明通过将基板逐层堆叠，并将芯片键合在基板上，可实现不同材质、不同功能多颗芯片的三维立体集成，对于不同材质、不同工艺制备的成品芯片具有普适性，本发明通过芯片在基板进行微组装形成单层功能组件，功能组件进行测试，提前剔除不合格单层功能组件，提高集成良率。

公开(公告)号：CN114496939A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210082500.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李朝 ,  李宝霞 ,  吴玮 ,  王凯 ,  张辽辽 ,  梅志鹏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种微模组塑封结构及其制造方法，微模组塑封结构包括芯片、倒装凸点、第一焊盘、第二焊盘、塑封材料、焊球和TSV结构体；第一焊盘位于TSV结构体的上表面，第二焊盘位于TSV结构体的下表面，芯片通过倒装凸点键合在第一焊盘上，在第二焊盘上植球形成焊球，塑封材料在TSV结构体上表面对芯片塑封成型。将芯片通过倒装凸点键合在第一焊盘上，在TSV结构体上表面上对芯片进行塑封成型，有效降低了在测试、拿持、转移和后续的加工中对芯片损坏的风险，同时利用传统塑封手段解决了微模组的塑封问题，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN113990815A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111267198.6

申请日：2021-10-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  李朝 ,  梅志鹏 ,  吴玮 ,  张辽辽

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种硅基微模组塑封结构及其制备方法，能够兼顾优良电气性能和强韧的机械性能，充分发挥TSV硅转接基板布线密度高、同半导体芯片热匹配性好，多芯片集成密度高的优势，且成品率高，经济性好。包括TSV硅转接基板、至少一个倒装在TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片、TSV硅转接基板上表面的无源元件、包封在除TSV硅转接基板下表面外其余五个表面的塑封体；其中，倒装在TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片的背面裸露在塑封体外，多个芯片或复合芯片背面之间以及芯片或复合芯片背面与TSV硅转接基板上表面的塑封体表面均处于同一平面内，无源元件的表面低于TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片背面。

公开(公告)号：CN113990827A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111267110.0

申请日：2021-10-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 何亨洋 ,  李宝霞 ,  吴玮

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种TSV背面露孔结构及制备方法，属于微电子技术领域。基片的上表面开设有TSV盲孔，基片的下表面开设有第二通孔，第二通孔位于TSV盲孔的正下方，且与TSV盲孔共轴线，TSV盲孔的底部与第二通孔顶部连通。该结构通过正背面TSV孔的互连实现TSV的正背面导通，使基片具有正背面电互连的通道，满足2.5D或3D集成的技术需求。同时提高了TSV在基片内部的长度，可保留更多的基片衬底，使基片具备更高的机械强度。通过本发明的TSV背面露孔制备方法，将省去行业内常用的CMP工艺，显著降低工艺成本，并降低技术门槛，该方法解决了TSV背面露孔成本高、工艺复杂、晶圆内均匀性差等问题。

公开(公告)号：CN117525044A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311596634.3

申请日：2023-11-27

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  何亨洋 ,  张辽辽 ,  陈新鹏 ,  潘鹏辉 ,  雷婧 ,  张雨婷 ,  武洋 ,  吴玮

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/08 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明公开了一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构，包括晶圆；晶圆上刻蚀形成有错位式六边形排布三齿齿轮状硅柱阵列，硅壁上形成有带硅壁凸起；硅柱、硅壁和凹槽的表面生长有晶圆绝缘层；晶圆绝缘层上生长有三维电容层；各个硅柱顶端，以及硅壁凸起顶端设置有第一分布式电极和第二分布式电极；第一分布式电极和第二分布式电极连接第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层；第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层连接焊盘。通过采用三齿齿轮状硅柱在硅柱阵列周期不变的情况下，增大了硅柱侧壁面积，有利于进一步提高电容密度，并且仍然能保证凹槽间隙的均匀性。