-
公开(公告)号：CN102047390B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200980115537.X
申请日：2009-03-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 保罗·J·墨菲 , 保罗·沙利文 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L21/265 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/18 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/0827 , H01J2237/202 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 可在不需要中介(intervening)热循环的情况下进行连续的离子植入，而简化太阳能电池的制造并减少成本。除了缩短制程时间，连锁离子植入的使用也可改善太阳能电池的性能。而另一实施例中，在没有破真空的情况下，连续的植入两种不同种类的掺质。又一实施例中，衬底被植入接着被翻转(flipped)，而使其在退火之前可在其两面进行植入。于又一实施例中，在不破真空的情况下，使用一或多个不同掩膜进行连续的植入，因而缩短制程时间。
-
公开(公告)号：CN101371328A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002667.3
申请日：2007-01-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/244 , G01B15/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
Abstract: 一种用于离子束的角度测量系统，此角度测量系统包括：界定第一以及第二特征的旗标，其中第二特征具有自第一特征的可变间距；用以沿着平移路径而平移旗标以使得旗标截取离子束的至少一部分的机构；以及用以沿着平移路径而侦测不同旗标位置的离子束且回应于经侦测的离子束而产生感应器信号的感应装置。感应器信号以及旗标的对应位置表示垂直平面中离子束的垂直离子束角度。感应装置可包括一屏蔽以及一用以平移屏蔽以便界定相关联的法拉第感应器的一部分上的离子束电流感应器的机构。
-
公开(公告)号：CN103636091A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280029018.3
申请日：2012-06-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种超导故障电流限制器回复系统，包括：超导故障电流限制器；分流器，并联电性耦接超导故障电流限制器；以及旁通路径，也并联电性耦接超导故障电流限制器。旁通路径使负载电流能够在旁通情况下流经旁通路径。因此，可在故障情况后经由旁通路径快速重建负载电流以供应负载，同时在故障情况后超导体故障电流限制器的超导体能有时间恢复超导状态。
-
公开(公告)号：CN101536149B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200780034015.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67213 , H01L21/26593 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中，所述技术可表现为低温离子布植装置。该装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。该装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。该装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信，藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中，对冷却后的晶圆进行离子布植制造工艺。
-
公开(公告)号：CN102576799A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080032270.0
申请日：2010-06-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 罗杰·B·费许 , 保罗·J·墨菲
CPC classification number: H02H9/023 , H01F6/00 , H01F6/06 , H01F27/02 , H01F27/06 , H01L39/16 , Y02E40/69
Abstract: 一种新型的超导故障电流限制器，此超导故障电流限制器有助于运用在高压传输网络。上述电路与连接到传输网络的两个端子(144，146)电性连接。上述超导电路(120)位于与地电性隔离的外壳或箱体(112)内。因此，外壳与超导电路之间的电压差以及外壳与端子之间的电压差明显小于电流部署所存在的电压差。在某些实施例中，外壳与端子之一电性连接，而在其他的实施例中，外壳则与端子电性隔离。上述电路可与其他的类似电路组合以满足广泛的电流传输网络组态。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102047390A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980115537.X
申请日：2009-03-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 保罗·J·墨菲 , 保罗·沙利文 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L21/265 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/18 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/0827 , H01J2237/202 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 可在不需要中介(intervening)热循环的情况下进行连续的离子植入，而简化太阳能电池的制造并减少成本。除了缩短制程时间，连锁离子植入的使用也可改善太阳能电池的性能。而另一实施例中，在没有破真空的情况下，连续的植入两种不同种类的掺质。又一实施例中，衬底被植入接着被翻转(flipped)，而使其在退火之前可在其两面进行植入。于又一实施例中，在不破真空的情况下，使用一或多个不同掩膜进行连续的植入，因而缩短制程时间。
-
公开(公告)号：CN101371328B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780002667.3
申请日：2007-01-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/244 , G01B15/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
Abstract: 一种用于离子束的角度测量系统，此角度测量系统包括：界定第一以及第二特征的旗标，其中第二特征具有自第一特征的可变间距；用以沿着平移路径而平移旗标以使得旗标截取离子束的至少一部分的机构；以及用以沿着平移路径而侦测不同旗标位置的离子束且回应于经侦测的离子束而产生感应器信号的感应装置。感应器信号以及旗标的对应位置表示垂直平面中离子束的垂直离子束角度。感应装置可包括一屏蔽以及一用以平移屏蔽以便界定相关联的法拉第感应器的一部分上的离子束电流感应器的机构。
-
公开(公告)号：CN103636091B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201280029018.3
申请日：2012-06-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种超导故障电流限制器回复系统，包括：超导故障电流限制器；分流器，并联电性耦接超导故障电流限制器；以及旁通路径，也并联电性耦接超导故障电流限制器。旁通路径使负载电流能够在旁通情况下流经旁通路径。因此，可在故障情况后经由旁通路径快速重建负载电流以供应负载，同时在故障情况后超导故障电流限制器的超导体能有时间恢复超导状态。
-
公开(公告)号：CN102576799B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080032270.0
申请日：2010-06-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 罗杰·B·费许 , 保罗·J·墨菲
CPC classification number: H02H9/023 , H01F6/00 , H01F6/06 , H01F27/02 , H01F27/06 , H01L39/16 , Y02E40/69
Abstract: 一种新型的超导故障电流限制器，此超导故障电流限制器有助于运用在高压传输网络。上述超导故障电流限制器与连接到传输网络的两个端子(144，146)电性连接。超导电路(120)位于与地电性隔离的外壳或箱体(112)内。因此，外壳与超导电路之间的电压差以及外壳与端子之间的电压差明显小于电流部署所存在的电压差。在某些实施例中，外壳与端子之一电性连接，而在其他的实施例中，外壳则与端子电性隔离。上述超导故障电流限制器可与其他的类似电路组合以满足广泛的电流传输网络组态。
-
公开(公告)号：CN102119436A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131051.5
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 保罗·J·墨菲 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L21/3115
CPC classification number: H01L22/20 , H01J2237/31711 , H01L21/2236 , H01L21/26513 , H01L21/67259 , H01L22/12 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 揭示一种经改良且可降低制程费用的处理基板的方法，其例如是用以制造太阳能电池。使用光罩或不使用微影或光罩，在基板上形成掺杂区。在植入完成后，根据视觉辨认确定被植入的实际区。在后续处理中使用此信息来维持对准。这些信息也可以被反馈至离子植入设备以调整植入参数。这些技术也可以应用在其他离子植入机中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.045 seconds)
