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公开(公告)号：CN105849888B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480071549.8
申请日：2014-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种积体超导体装置及其制造方法。所述积体超导体装置可包含衬底基底，和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的第一中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述第一中间层上的第一定向超导体层，和安置于所述第一定向超导体层的一部分上的第一导电带。所述第一导电带可在其下方界定所述第一定向超导体层的第一超导体区，和邻近于所述第一超导体区的所述第一定向超导体层的第一暴露区。本申请的积体超导体装置制造的超导体结构类似于带材但直接形成于大面积衬底上，克服与独立式超导体带材的制造相关联的复杂性。
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公开(公告)号：CN101842911A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880111831.9
申请日：2008-09-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 所揭示的是制造太阳能电池的装置及其方法。在具体实施例中，太阳能电池可按照以下步骤来制造：将太阳能电池配置在具有粒子源的处理室中；将图案化组件配置在粒子源与太阳能电池之间，其中此图案化组件包括孔径与组件段；以及选择性地将穿过孔径的第一类型掺质植入太阳能电池的第一区域，其间引进第一区域之外的区域的第一类型掺质被最小化。
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公开(公告)号：CN108365082A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810151530.4
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 康妮·P·王 , 保罗·沙利文 , 保罗·墨菲 , 可赛格·D·特拉斯狄克 , 巴拉特哇·雷马克利斯那
CPC classification number: H01L39/248 , H01B12/06 , H01L39/16 , Y10T428/12618 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种超导带及其形成方法。在一实施例中，超导带包括：基底，其包括多个层；定向超导层，位在基底上；以及合金涂层，位在超导层上，合金涂层包括一层或更多层的金属层，其中至少一层金属层包括金属合金。本发明的超导带性质优良，能够在故障条件期间抵抗烧毁。
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公开(公告)号：CN101842911B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200880111831.9
申请日：2008-09-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 所揭示的是制造太阳能电池的装置及其方法。在具体实施例中，太阳能电池可按照以下步骤来制造：将太阳能电池配置在具有粒子源的处理室中；将图案化组件配置在粒子源与太阳能电池之间，其中此图案化组件包括孔径与组件段；以及选择性地将穿过孔径的第一类型掺质植入太阳能电池的第一区域，其间引进第一区域之外的区域的第一类型掺质被最小化。
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公开(公告)号：CN104011826B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201280064441.7
申请日：2012-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L21/67213 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种离子植入机与离子植入法。离子植入机(100)的一实施例包括：离子源(101)及处理腔室(102)。此处理腔室连接至离子源并藉由多个提取电极(114)与离子源分离。载具(201)固持多个工件(202)。屏蔽装载器(205)位于处理腔室中且使屏蔽(203)与载具连接。传送腔室(104)及加载锁(105、106)可与处理腔室连接。此离子植入机装配成对工件进行毯覆式或选择性植入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102047390A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980115537.X
申请日：2009-03-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 保罗·J·墨菲 , 保罗·沙利文 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L21/265 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/18 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/0827 , H01J2237/202 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 可在不需要中介(intervening)热循环的情况下进行连续的离子植入，而简化太阳能电池的制造并减少成本。除了缩短制程时间，连锁离子植入的使用也可改善太阳能电池的性能。而另一实施例中，在没有破真空的情况下，连续的植入两种不同种类的掺质。又一实施例中，衬底被植入接着被翻转(flipped)，而使其在退火之前可在其两面进行植入。于又一实施例中，在不破真空的情况下，使用一或多个不同掩膜进行连续的植入，因而缩短制程时间。
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公开(公告)号：CN101802992A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107434.4
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76251 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/201 , H01J2237/202 , H01L21/26506 , H01L21/6835 , H01L2221/68359 , H01L2924/30105
Abstract: 所揭示的是将两个藉由离子植入而活化的基底晶圆键合在一起的方法。原位离子键合室允许在制造流程所使用的现有制程设备中进行离子活化与键合。基底的至少其中之一是在低植入能量下进行离子活化，以确保薄表面层下面的晶圆材料免受离子活化的影响。
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公开(公告)号：CN105849888A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071549.8
申请日：2014-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01B12/06 , H01B13/30 , H01L39/143 , H01L39/16 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , H01L39/2464 , H01L39/249 , H02H9/023
Abstract: 一种积体超导体装置可包含衬底基底，和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述中间层上的定向超导体层，和安置于所述定向超导体层的一部分上的导电带。所述导电带可在其下方界定所述定向超导体层的超导体区，和邻近于所述超导体区的所述定向超导体层的暴露区。
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公开(公告)号：CN105556621A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051203.1
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 康妮·P·王 , 保罗·沙利文 , 保罗·墨菲 , 可赛格·D·特拉斯狄克 , 巴拉特哇·雷马克利斯那
CPC classification number: H01L39/248 , H01B12/06 , H01L39/16 , Y10T428/12618 , Y10T428/31678
Abstract: 在一实施例中，超导带包括：基底，其包括多个层；定向超导层，位在基底上；以及合金涂层，位在超导层上，合金涂层包括一层或更多层的金属层，其中至少一层金属层包括金属合金。
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公开(公告)号：CN102007601A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113415.7
申请日：2009-03-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 保罗·沙利文 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L31/042 , H01L21/265
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供了逆掺杂太阳能电池(特别是叉背接触(IBC)太阳能电池)的方法。在太阳能电池的一表面上，一些部分需要被N掺杂，而其他部分则是被P掺杂。传统上，会需要多道微影和掺杂的步骤以达成所希望的结构。另一方面，可经由进行一个导电率的一整体掺杂和相对的导电率的一罩幕图案化逆掺杂制程而省略一道微影步骤。在罩幕图案化布植中，被掺杂的区域会接收充分的掺杂量以完全逆转整体掺杂的影响，并达成相对于整体掺杂的一导电率。在另一实施例中，逆掺杂是以直接图案化的技术所进行，可省去多余的微影步骤。在本发明中提供多种直接逆掺杂的制程方法。
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