-
公开(公告)号：CN102446785A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110305644.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/95684 , G01B11/306 , G01N21/93 , H01L23/3128 , H01L2224/48227 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及检查半导体器件的方法。半导体器件的可靠性被提高。在BGA(半导体器件)的平整度检查中，形成了平整度标准，其中常温下平整度的(+)方向的允许范围比(-)方向的允许范围小。利用以上平整度标准，执行常温下半导体器件的平整度检查以确定安装的产品是非缺陷的还是有缺陷的。利用以上处理，减少了在回流焊接等期间受热时封装弯曲引起的有缺陷安装，以及提高了BGA的可靠性。同时，可执行更好地考虑安装状态的衬底型半导体器件的平整度管理。
-
公开(公告)号：CN108109926A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711319780.6
申请日：2013-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/498
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L23/3107 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/8512 , H01L2224/8513 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。
-
公开(公告)号：CN102163557B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110031397.7
申请日：2011-01-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L24/48 , H01L21/4853 , H01L23/295 , H01L23/296 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2223/54406 , H01L2223/54486 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48644 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00 , H01L2224/78 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可以防止因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的半导体器件的可靠性恶化的技术。在玻璃环氧树脂基板(1)的表面及背面分别形成有构成电路图案的布线层(7)，并在以露出布线层(7)的一部分的方式形成覆盖布线层(7)的阻焊膜(8)之后，在为了脱湿而进行的100℃以上150℃以下的热处理(第一热处理)之前，对布线基板(1A)进行160℃以上230℃以下的热处理(第二热处理)，以使构成布线基板(1A)的材料中所具有的有机溶剂气化后排出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108109926B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201711319780.6
申请日：2013-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。
-
公开(公告)号：CN103681387B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201310425433.7
申请日：2013-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L23/3107 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/8512 , H01L2224/8513 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。
-
公开(公告)号：CN102446785B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110305644.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/95684 , G01B11/306 , G01N21/93 , H01L23/3128 , H01L2224/48227 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及检查半导体器件的方法。半导体器件的可靠性被提高。在BGA(半导体器件)的平整度检查中，形成了平整度标准，其中常温下平整度的(+)方向的允许范围比(-)方向的允许范围小。利用以上平整度标准，执行常温下半导体器件的平整度检查以确定安装的产品是非缺陷的还是有缺陷的。利用以上处理，减少了在回流焊接等期间受热时封装弯曲引起的有缺陷安装，以及提高了BGA的可靠性。同时，可执行更好地考虑安装状态的衬底型半导体器件的平整度管理。
-
公开(公告)号：CN103681387A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310425433.7
申请日：2013-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L23/3107 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/8512 , H01L2224/8513 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。
-
公开(公告)号：CN102163557A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110031397.7
申请日：2011-01-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L24/48 , H01L21/4853 , H01L23/295 , H01L23/296 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2223/54406 , H01L2223/54486 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48644 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00 , H01L2224/78 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可以防止因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的半导体器件的可靠性恶化的技术。在玻璃环氧树脂基板(1)的表面及背面分别形成有构成电路图案的布线层(7)，并在以露出布线层(7)的一部分的方式形成覆盖布线层(7)的阻焊膜(8)之后，在为了脱湿而进行的100℃以上150℃以下的热处理(第一热处理)之前，对布线基板(1A)进行160℃以上230℃以下的热处理(第二热处理)，以使构成布线基板(1A)的材料中所具有的有机溶剂气化后排出。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.032 seconds)
