公开(公告)号：CN108109926A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711319780.6

申请日：2013-09-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 广永兼也 ,  安永雅敏 ,  平井达也 ,  黑田壮司

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/09 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8512 ,  H01L2224/8513 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。

公开(公告)号：CN105990266A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510088406.4

申请日：2015-02-26

Applicant: 台达电子工业股份有限公司

Inventor： 洪守玉 ,  鲁凯 ,  赵振清

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85

Abstract: 本发明公开了一种功率转换电路的封装模块及其制造方法。该功率转换电路的封装模块包括：基板，塑封层以及多个引脚。基板上安装有功率器件，多个引脚与功率器件电性相连。塑封层覆盖基板带有功率器件的一面且多个引脚至少曝露出用于多个引脚与一外部电路电性连接的接触面。其中，塑封层包括帽子主体部分和帽檐部分，帽子主体部分和帽檐部分构成一帽子形状的塑封层，帽檐部分用以增加位于塑封层顶部的多个引脚的接触面至基板底部的爬电距离。

公开(公告)号：CN105957854A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610431332.4

申请日：2013-03-25

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜瀚琦 ,  沈伟特 ,  林政男

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/495 ,  H01L23/642

Abstract: 半导体封装件包括导线架、半导体芯片、第一电容导电层、第一电容介电层、焊线及封装体。导线架包括彼此隔离的芯片座与外引脚。半导体芯片设于芯片座上。第一电容介电层形成于芯片座上并与半导体芯片并排地配置，第一电容导电层形成于第一电容介电层上。焊线电性连接半导体芯片与第一电容导电层。封装体包覆半导体芯片、第一电容导电层、第一电容介电层及焊线，外引脚的外侧面从封装体露出。

公开(公告)号：CN103367268B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310240227.9

申请日：2013-03-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 周顺荣 ,  B·康迪 ,  A·康波施

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/047 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/345 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/16787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了基于PCB的射频功率封装窗口框架。一种半导体封装包括具有管芯附着区域和周边区域的基板、具有附着到管芯附着区域的第一端子和背对基板的第二端子和第三端子的晶体管管芯、以及包括电绝缘构件的框架，所述电绝缘构件具有附着到基板的周边区域的第一侧、背对基板的第二侧、在绝缘构件的第一侧处的第一金属层和在绝缘构件的第二侧处的第二金属层。该绝缘构件向外延伸超过基板的横向侧壁。第一金属层被附着到第一侧的向外延伸超过基板的横向侧壁的部分。第一和第二金属层在绝缘构件的与基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。

公开(公告)号：CN105009532A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480010898.9

申请日：2014-03-07

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 兰迪·亚奇 ,  格雷戈里·迪克斯 ,  托马斯·尤博克·李 ,  文森特·奎奎姆普瓦

IPC: H04L25/02 ,  H01L25/16 ,  H01L25/065

CPC classification number: G05F3/08 ,  H01L23/495 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/162 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48265 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/3011 ,  H02M3/33523 ,  H04L25/0266 ,  H04L25/4902 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 高电压额定隔离电容器形成于初级集成电路裸片的一面上。所述隔离电容器将第一电压域中的初级集成电路AC耦合到第二电压域中的第二集成电路。所述隔离电容器将所述初级集成电路与第二集成电路裸片DC隔离。借助AC振荡器或PWM产生器通过所述高电压额定隔离电容器提供从所述第一电压域到所述第二电压域的经隔离电力传送。AC振荡器电压振幅可针对穿过所述高电压额定隔离电容器的电力的增加而增加，且所述第二电压域中的较大值电容器可提供来自所述第二电压域中的电路的峰值电流需求。

公开(公告)号：CN104282651A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410323364.3

申请日：2014-07-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本靖和 ,  宫胁胜巳

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L24/69 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明得到一种能够提高产品的品质以及生产率的半导体装置。在基板(1)上相邻地设置有焊盘(2、3)。导电带(6)粘贴至焊盘(2、3)。导电带(6)在焊盘(2)的内侧具有通孔(7)。导电粘结剂(8)涂敷在通孔(7)内。导电粘结剂(8)具有比导电带(6)高的热传导率。半导体芯片(9)通过导电粘结剂(8)安装在焊盘(2)上。电子部件(10)通过导电带(6)安装在焊盘(3)上。

公开(公告)号：CN103367268A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310240227.9

申请日：2013-03-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 周顺荣 ,  B·康迪 ,  A·康波施

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/047 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/345 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/16787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了基于PCB的射频功率封装窗口框架。一种半导体封装包括具有管芯附着区域和周边区域的基板、具有附着到管芯附着区域的第一端子和背对基板的第二端子和第三端子的晶体管管芯、以及包括电绝缘构件的框架，所述电绝缘构件具有附着到基板的周边区域的第一侧、背对基板的第二侧、在绝缘构件的第一侧处的第一金属层和在绝缘构件的第二侧处的第二金属层。该绝缘构件向外延伸超过基板的横向侧壁。第一金属层被附着到第一侧的向外延伸超过基板的横向侧壁的部分。第一和第二金属层在绝缘构件的与基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。

公开(公告)号：CN103151328A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310095918.4

申请日：2013-03-25

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜瀚琦 ,  沈伟特 ,  林政男

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/64 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体封装件包括导线架、半导体芯片、第一电容导电层、第一电容介电层、焊线及封装体。导线架包括彼此隔离的芯片座与外引脚。半导体芯片设于芯片座上。第一电容介电层形成于芯片座上并与半导体芯片并排地配置，第一电容导电层形成于第一电容介电层上。焊线电性连接半导体芯片与第一电容导电层。封装体包覆半导体芯片、第一电容导电层、第一电容介电层及焊线，外引脚的外侧面从封装体露出。

公开(公告)号：CN102754206A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009225.8

申请日：2011-02-02

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 普里米特·帕里克 ,  詹姆斯·霍尼亚 ,  小卡尔·C·布莱克 ,  罗伯特·科菲 ,  吴毅锋 ,  乌梅什·米什拉

IPC: H01L25/18 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0883 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/642 ,  H01L23/647 ,  H01L25/165 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0605 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。

公开(公告)号：CN102576705A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080044718.0

申请日：2010-09-28

Applicant: ABB技术有限公司

Inventor： N·舒尔茨 ,  S·哈特曼

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/01 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明涉及其中安装功率功能器件(16)和导体元件(18)的电路装置(10)，该装置(10)包括衬底(12)、提供在衬底(12)上并电连接到功能器件(16)和导体元件(18)的布线层(14)以及中间电接触器件，其安装在布线层(14)上以在与布线层相对侧上提供用于接触导体元件(18)的接触区。根据本发明，导体元件(18)正在接触与如下区域相对的接触区中的中间电接触器件，该区域中电接触器件固定到布线层。本发明还涉及电路装置的对应制造方法。