公开(公告)号：CN102446785B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201110305644.8

申请日：2011-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山田聪 ,  辛岛崇 ,  广永兼也 ,  安永雅敏 ,  藤本裕史

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/95684 ,  G01B11/306 ,  G01N21/93 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及检查半导体器件的方法。半导体器件的可靠性被提高。在BGA(半导体器件)的平整度检查中，形成了平整度标准，其中常温下平整度的(+)方向的允许范围比(-)方向的允许范围小。利用以上平整度标准，执行常温下半导体器件的平整度检查以确定安装的产品是非缺陷的还是有缺陷的。利用以上处理，减少了在回流焊接等期间受热时封装弯曲引起的有缺陷安装，以及提高了BGA的可靠性。同时，可执行更好地考虑安装状态的衬底型半导体器件的平整度管理。

公开(公告)号：CN102446785A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110305644.8

申请日：2011-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山田聪 ,  辛岛崇 ,  广永兼也 ,  安永雅敏 ,  藤本裕史

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/95684 ,  G01B11/306 ,  G01N21/93 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及检查半导体器件的方法。半导体器件的可靠性被提高。在BGA(半导体器件)的平整度检查中，形成了平整度标准，其中常温下平整度的(+)方向的允许范围比(-)方向的允许范围小。利用以上平整度标准，执行常温下半导体器件的平整度检查以确定安装的产品是非缺陷的还是有缺陷的。利用以上处理，减少了在回流焊接等期间受热时封装弯曲引起的有缺陷安装，以及提高了BGA的可靠性。同时，可执行更好地考虑安装状态的衬底型半导体器件的平整度管理。