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公开(公告)号：CN108109926B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201711319780.6
申请日：2013-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。
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公开(公告)号：CN103681387B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201310425433.7
申请日：2013-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L23/3107 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/8512 , H01L2224/8513 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。
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公开(公告)号：CN103681387A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310425433.7
申请日：2013-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L23/3107 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/8512 , H01L2224/8513 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。
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公开(公告)号：CN108109926A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711319780.6
申请日：2013-09-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/498
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L23/3107 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/8512 , H01L2224/8513 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。
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