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公开(公告)号：CN114975128B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110212995.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块及其制备方法，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。
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公开(公告)号：CN112768446B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910998781.0
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8258
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种集成芯片及其制备方法，该集成芯片，包括：晶圆层，晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及中间的二氧化硅介质层，第一单晶硅层形成有第一芯片；还包括依次形成于第一单晶硅层上的第一介质层、第一金属部，第一金属部与对应的第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；还包括依次形成于第二单晶硅层上的第二芯片器件层、第二介质层、第二金属部，第二芯片器件层形成第二芯片，第二金属部与对应的第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；第二金属部通过过孔与对应的第一金属部电性连接。该集成芯片将相同或不同的多个芯片集成于晶圆的两侧，简化了芯片之间的连接且体积小。
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公开(公告)号：CN111106168B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201811259338.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法，包括氧化层和多个多晶硅场板，所述多晶硅场板包括横板、垂直设置于横板端部的直板，所述多晶硅场板横向间隔排列设置于氧化层中，且横板同一平面布置、相邻的两多晶硅场板的直板间形成电容器，运用本发明所述的外围终耐压结构可以有效的降低外围终端耐压结构占用的面积，进而降低整个功率半导体器件的生产成本，增加竞争力，同时，本发明采用特殊形状的多晶硅场板结构，增大了相邻多晶硅场板间的作用面积，有效的增大了板间电容，使得耐压更稳定，且多晶硅场板仅需一次多晶硅沉积步骤即可完成，其生产效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN113078135A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010009743.0
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/49
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。
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公开(公告)号：CN112992836A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911275842.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法，该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥，其中，导线框架包括基岛和管脚两个部分，芯片本体设置于基岛上，芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端；环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔，开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内，可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能，该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。
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公开(公告)号：CN112928109A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911243260.0
申请日：2019-12-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
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公开(公告)号：CN112701080A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911007775.0
申请日：2019-10-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种通孔形成方法，首先在半导体衬底上沉积光刻胶层，通过图案化光刻胶层，去除除预设通孔的预设位置以外的光刻胶，在通孔的预设位置处形成了光刻胶凸起，再沉积层间介质层覆盖形成有光刻胶凸起的半导体衬底。紧接着对沉积的层间介质层进行刻蚀，至暴露出光刻胶凸起，最后，去除光刻胶，即可在预设位置形成通孔。将原需要靠刻蚀直接在层间介质层形成的通孔，通过在通孔位置预先用光刻胶覆盖，保证了一定的开孔率，改善了通孔的形貌，有益于后续的金属填充并能减少漏电，增加半导体器件产出良率，提高半导体器件性能。
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公开(公告)号：CN112310188A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910668739.2
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/266
Abstract: 本申请涉及功率半导体领域，具体而言，涉及一种横向变掺杂终端结构的制造方法及其制备得到的横向变掺杂终端结构。横向变掺杂终端结构的制造方法包括以下步骤：在衬底上生长的氧化层上刻蚀出一阶梯状区域；在氧化层的阶梯状区域上方向衬底内注入掺杂离子，然后高温推进；在结构表面生长一层隔离氧化层；在隔离氧化层表面形成场板。通过控制终端氧化层的刻蚀厚度，形成阶梯渐变结构，离子注入推进后，实现终端离子注入剂量的沿着阶梯渐变方向的变掺杂，实现了终端窗口的大角度倾斜边缘和阶梯渐变结构，综合了结终端扩展结构和横向变掺杂结构的特点，解决了现有技术在实现横向变掺杂结构中由于终端环注入离子断开而出现漏电的问题。
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公开(公告)号：CN112216666A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910626038.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111106168A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811259338.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法，包括氧化层和多个多晶硅场板，所述多晶硅场板包括横板、垂直设置于横板端部的直板，所述多晶硅场板横向间隔排列设置于氧化层中，且横板同一平面布置、相邻的两多晶硅场板的直板间形成电容器，运用本发明所述的外围终耐压结构可以有效的降低外围终端耐压结构占用的面积，进而降低整个功率半导体器件的生产成本，增加竞争力，同时，本发明采用特殊形状的多晶硅场板结构，增大了相邻多晶硅场板间的作用面积，有效的增大了板间电容，使得耐压更稳定，且多晶硅场板仅需一次多晶硅沉积步骤即可完成，其生产效率高、成本低。
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