公开(公告)号：CN113053993B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201911381957.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王梦洁 ,  刘鹏飞 ,  肖强 ,  陈辉 ,  覃荣震 ,  周飞宇 ,  张中华

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种快恢复二极管芯片，该快恢复二极管芯片或快恢复二极管芯片的有源区中包括一个或多个周期性排布的预设区域，每个预设区域中设置有多个P型岛。其中，在每个预设区域中，P型岛的横截面的尺寸在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减；和/或每个预设区域在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上划分为若干子区，若干子区的P型岛面积占比在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减。通过设置P型岛的横截面的尺寸或横截面面积总和沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减，可以优化FRD反向恢复软度与反向恢复能量之间的折中。

公开(公告)号：CN114628530A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011474140.4

申请日：2020-12-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 胡巍 ,  覃荣震 ,  肖海波 ,  张中华 ,  肖强 ,  罗海辉

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本公开提供一种快恢复二极管、芯片及其制作方法，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区，在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述至少一个埋层区包括具有第一掺杂类型的第一部分和具有第二掺杂类型的第二部分，所述第一部分与所述第二部分构成PN结。

公开(公告)号：CN111628007B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202010357947.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张中华 ,  罗海辉 ,  覃荣震 ,  肖强 ,  谭真华

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开提供一种功率二极管及其制造方法。该功率二极管包括第一导电类型衬底以及设置于所述衬底上的阳极区和终端保护区；所述阳极区包括设置于所述衬底表面内的第二导电类型第一掺杂区和设置于所述第一掺杂区表面内的第二导电类型第二掺杂区；其中，所述第二掺杂区的离子掺杂浓度和深度被选择成使得所述功率二极管在额定电流下能够保持相同的导通压降与关断损耗。通过所述第二掺杂区的引入，实现大电流下更大的阳极注入效率，降低导通损耗，降低浪涌电流下器件发热量，从而提升浪涌电流能力。且通过调控表面面积和形状，还可以实现浪涌电流能力与安全工作区的折中。

公开(公告)号：CN111628007A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010357947.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张中华 ,  罗海辉 ,  覃荣震 ,  肖强 ,  谭真华

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开提供一种功率二极管及其制造方法。该功率二极管包括第一导电类型衬底以及设置于所述衬底上的阳极区和终端保护区；所述阳极区包括设置于所述衬底表面内的第二导电类型第一掺杂区和设置于所述第一掺杂区表面内的第二导电类型第二掺杂区；其中，所述第二掺杂区的离子掺杂浓度和深度被选择成使得所述功率二极管在额定电流下能够保持相同的导通压降与关断损耗。通过所述第二掺杂区的引入，实现大电流下更大的阳极注入效率，降低导通损耗，降低浪涌电流下器件发热量，从而提升浪涌电流能力。且通过调控表面面积和形状，还可以实现浪涌电流能力与安全工作区的折中。

公开(公告)号：CN113053993A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911381957.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王梦洁 ,  刘鹏飞 ,  肖强 ,  陈辉 ,  覃荣震 ,  周飞宇 ,  张中华

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种快恢复二极管芯片，该快恢复二极管芯片或快恢复二极管芯片的有源区中包括一个或多个周期性排布的预设区域，每个预设区域中设置有多个P型岛。其中，在每个预设区域中，P型岛的横截面的尺寸在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减；和/或每个预设区域在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上划分为若干子区，若干子区的P型岛面积占比在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减。通过设置P型岛的横截面的尺寸或横截面面积总和沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减，可以优化FRD反向恢复软度与反向恢复能量之间的折中。