公开(公告)号：CN103199074A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310063230.8

申请日：2009-10-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田雅央 ,  藤井哲夫

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体装置（11）包括引线框（22）、半导体芯片（12）、基片（35）、多个片形元件（14）、多个导线（16）和树脂件（15）。所述引线框（22）包括芯片安装部分（23）和多个引线部分（24）。半导体芯片（12）安装在芯片安装部分（23）上。基片（35）安装在芯片安装部分（23）上。多个片形元件（14）安装在基片（35）上。每个片形元件（14）在一个方向具有第一端部和第二端部，每个片形元件（14）在第一端部具有第一电极（14a），在第二端部具有第二电极（14b）。每个导线（16）连接片形元件（14）之一的第二电极（14b）和一个引线部分（24）。树脂件（15）覆盖所述引线框（22）、半导体芯片（12）、基片（35）、片形元件（14）和导线（16）。

公开(公告)号：CN102180436A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110058290.1

申请日：2008-07-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 藤井哲夫 ,  杉浦和彦

IPC: B81B7/00 ,  G01P15/125 ,  G01P3/44

CPC classification number: H01L2224/48463

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有表面的板状传感器元件(10)，其包括设置在该传感器元件(10)的表面部分中的传感器结构(15到17)；以及结合到传感器元件(10)的表面的板状帽元件(20)。所述帽元件(20)具有面对传感器元件(10)的布线图案部分(23到25)。所述布线图案部分(23到25)连接传感器元件(10)的表面的外侧边缘和传感器结构(15到17)，从而使传感器结构(15到17)通过所述外侧边缘与外部元件电耦合。所述传感器元件(10)不具有复杂的多层结构，从而简化了传感器元件(10)。此外，还减小了器件的尺寸。

公开(公告)号：CN101996957A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010258186.2

申请日：2010-08-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 福冈大辅 ,  手岛孝纪 ,  真光邦明 ,  坂本健 ,  富坂学 ,  藤井哲夫 ,  田井明 ,  赤松和夫 ,  西畑雅由

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L24/01 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上，第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中，也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。

公开(公告)号：CN101431076A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810170455.2

申请日：2008-11-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 赤木望 ,  山口仁 ,  藤井哲夫

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76

Abstract: 公开了一种半导体设备。所述半导体设备包括具有彼此相对的第一表面(10a)和第二表面(10b)的半导体衬底(10)。所述半导体设备还包括其中每一个都具有一对分别位于半导体衬底(10)的第一和第二表面(10a，10b)上的电极(18a，18b，21，21a，21b)的多个双－面电极元件(50，50a，50b)。电流在所述第一和第二电极(18a，18b，21，21a，21b)之间流动。每一双－面电极元件(50，50a，50b)具有位于所述半导体衬底(10)内的PN柱形区域(13)。所述半导体设备还包括包围所述多个双－面电极元件(50，50a，50b)中的每一个的绝缘沟槽(30)，所述绝缘沟槽(30)使所述多个双－面电极元件(50，50a，50b)相互绝缘并隔离。

公开(公告)号：CN101339202A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810128483.8

申请日：2008-07-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 藤井哲夫 ,  杉浦和彦

IPC: G01P15/125 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L2224/48463

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有表面的板状传感器元件(10)，其包括设置在该传感器元件(10)的表面部分中的传感器结构(15到17)；以及结合到传感器元件(10)的表面的板状帽元件(20)。所述帽元件(20)具有面对传感器元件(10)的布线图案部分(23到25)。所述布线图案部分(23到25)连接传感器元件(10)的表面的外侧边缘和传感器结构(15到17)，从而使传感器结构(15到17)通过所述外侧边缘与外部元件电耦合。所述传感器元件(10)不具有复杂的多层结构，从而简化了传感器元件(10)。此外，还减小了器件的尺寸。

公开(公告)号：CN104157685B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201410381270.1

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN101728372A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910207690.7

申请日：2009-10-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田雅央 ,  藤井哲夫

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体装置(11)包括引线框(22)、半导体芯片(12)、基片(35)、多个片形元件(14)、多个导线(16)和树脂件(15)。所述引线框(22)包括芯片安装部分(23)和多个引线部分(24)。半导体芯片(12)安装在芯片安装部分(23)上。基片(35)安装在芯片安装部分(23)上。多个片形元件(14)安装在基片(35)上。每个片形元件(14)在一个方向具有第一端部和第二端部，每个片形元件(14)在第一端部具有第一电极(14a)，在第二端部具有第二电极(14b)。每个导线(16)连接片形元件(14)之一的第二电极(14b)和一个引线部分(24)。树脂件(15)覆盖所述引线框(22)、半导体芯片(12)、基片(35)、片形元件(14)和导线(16)。

公开(公告)号：CN100530653C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200710147106.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥茂树 ,  中野敬志 ,  赤木望 ,  樋口安史 ,  藤井哲夫 ,  服部佳晋 ,  桑原诚 ,  冈田京子

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7821

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1-3)；设置在衬底(1-3)中的横向MOS晶体管(LTa-LTd)；设置在衬底(1-3)中的齐纳二极管(ZDa-ZDd)；以及设置在衬底(1-3)中的电容器(Ca-Ce)。所述晶体管(LTa-LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa-ZDd)和电容器(Ca-Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。

公开(公告)号：CN101136406A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147106.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥茂树 ,  中野敬志 ,  赤木望 ,  樋口安史 ,  藤井哲夫 ,  服部佳晋 ,  桑原诚 ,  冈田京子

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7821

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。

公开(公告)号：CN104157685A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410381270.1

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。