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公开(公告)号:CN109417060B
公开(公告)日:2022-10-28
申请号:CN201780040556.5
申请日:2017-06-29
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/373 , H01L23/36 , H01L23/40 , H01L23/58 , H01L23/62 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置,具有电极部(19、24)的半导体芯片(2)的该电极部(19、24)与接合部件(5~7)电连接,经由接合部件(5~7)而在半导体芯片(2)中流过电流,该半导体装置具备半导体芯片(2)和与电极部(19、24)电连接的接合部件(5~7),接合部件(5~7)包含保护材料而构成,该保护材料,其电阻率的温度系数为正,在将比所述半导体芯片(2)被损坏的损坏温度低的规定温度设为阈值温度时,比所述阈值温度高的温度侧的电阻率的温度系数大于比所述阈值温度低的温度侧的电阻率的温度系数。
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公开(公告)号:CN101339202B
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN200810128483.8
申请日:2008-07-01
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L2224/48463
Abstract: 一种半导体器件,包括:具有表面的板状传感器元件(10),其包括设置在该传感器元件(10)的表面部分中的传感器结构(15到17);以及结合到传感器元件(10)的表面的板状帽元件(20)。所述帽元件(20)具有面对传感器元件(10)的布线图案部分(23到25)。所述布线图案部分(23到25)连接传感器元件(10)的表面的外侧边缘和传感器结构(15到17),从而使传感器结构(15到17)通过所述外侧边缘与外部元件电耦合。所述传感器元件(10)不具有复杂的多层结构,从而简化了传感器元件(10)。此外,还减小了器件的尺寸。
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公开(公告)号:CN109417060A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201780040556.5
申请日:2017-06-29
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/373 , H01L23/36 , H01L23/40 , H01L23/58 , H01L23/62 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置,具有电极部(19、24)的半导体芯片(2)的该电极部(19、24)与接合部件(5~7)电连接,经由接合部件(5~7)而在半导体芯片(2)中流过电流,该半导体装置具备半导体芯片(2)和与电极部(19、24)电连接的接合部件(5~7),接合部件(5~7)包含保护材料而构成,该保护材料,其电阻率的温度系数为正,在将比所述半导体芯片(2)被损坏的损坏温度低的规定温度设为阈值温度时,比所述阈值温度高的温度侧的电阻率的温度系数大于比所述阈值温度低的温度侧的电阻率的温度系数。
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公开(公告)号:CN100536108C
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200610160324.7
申请日:2006-11-16
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括:通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K);沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22,24,32,34);向基板(21)施加力,以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22,24,32,34)具有预定深度,从而沟槽(22,24,32,34)被布置成靠近改质层(K),并且所述力在沟槽(22,24,32,34)处产生应力。
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公开(公告)号:CN1967805A
公开(公告)日:2007-05-23
申请号:CN200610160324.7
申请日:2006-11-16
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括:通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K);沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22,24,32,34);向基板(21)施加力,以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22,24,32,34)具有预定深度,从而沟槽(22,24,32,34)被布置成靠近改质层(K),并且所述力在沟槽(22,24,32,34)处产生应力。
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公开(公告)号:CN109690765B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN201780055573.6
申请日:2017-09-07
Abstract: 半导体装置(1)具备:半导体元件(2);支承体(3),是在最表面(35)具有金属化层(34)的金属部件,且配置为所述最表面与所述半导体元件相对置,所述金属化层(34)含有铁族元素即第一成分和铬以外的周期表第5族或第6族过渡金属元素即第二成分;接合件(4),配置在所述支承体的所述最表面与所述半导体元件之间,并设置为通过与所述最表面接合而将所述半导体元件固定于所述支承体;模塑树脂(6),设置为将所述支承体和所述接合件和所述半导体元件的接合体(S)覆盖。
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公开(公告)号:CN109716493B
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN201780056158.2
申请日:2017-09-07
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/52
Abstract: 具备:半导体元件(1),具有一面(1a)及与一面相反侧的另一面(1b),在另一面(1b)侧形成有电极(2);被安装部件(6),与电极(2)对置配置,具有导电性;以及连接部件(3),配置在半导体元件(1)与被安装部件(6)之间,将半导体元件(1)与被安装部件(6)电连接及机械连接;连接部件(3)具有形成有在半导体元件(1)和被安装部件(6)的层叠方向上贯通的多个孔部(4b)的模部(4)、以及分别配置在多个孔部(4b)中的银烧结体(5);半导体元件(1)和被安装部件(6)经由银烧结体(5)而机械连接。
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公开(公告)号:CN109716493A
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201780056158.2
申请日:2017-09-07
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/52
Abstract: 具备:半导体元件(1),具有一面(1a)及与一面相反侧的另一面(1b),在另一面(1b)侧形成有电极(2);被安装部件(6),与电极(2)对置配置,具有导电性;以及连接部件(3),配置在半导体元件(1)与被安装部件(6)之间,将半导体元件(1)与被安装部件(6)电连接及机械连接;连接部件(3)具有形成有在半导体元件(1)和被安装部件(6)的层叠方向上贯通的多个孔部(4b)的模部(4)、以及分别配置在多个孔部(4b)中的银烧结体(5);半导体元件(1)和被安装部件(6)经由银烧结体(5)而机械连接。
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公开(公告)号:CN109690765A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201780055573.6
申请日:2017-09-07
Abstract: 半导体装置(1)具备:半导体元件(2);支承体(3),是在最表面(35)具有金属化层(34)的金属部件,且配置为所述最表面与所述半导体元件相对置,所述金属化层(34)含有铁族元素即第一成分和铬以外的周期表第5族或第6族过渡金属元素即第二成分;接合件(4),配置在所述支承体的所述最表面与所述半导体元件之间,并设置为通过与所述最表面接合而将所述半导体元件固定于所述支承体;模塑树脂(6),设置为将所述支承体和所述接合件和所述半导体元件的接合体(S)覆盖。
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公开(公告)号:CN102180436A
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN201110058290.1
申请日:2008-07-01
Applicant: 株式会社电装
IPC: B81B7/00 , G01P15/125 , G01P3/44
CPC classification number: H01L2224/48463
Abstract: 一种半导体器件,包括:具有表面的板状传感器元件(10),其包括设置在该传感器元件(10)的表面部分中的传感器结构(15到17);以及结合到传感器元件(10)的表面的板状帽元件(20)。所述帽元件(20)具有面对传感器元件(10)的布线图案部分(23到25)。所述布线图案部分(23到25)连接传感器元件(10)的表面的外侧边缘和传感器结构(15到17),从而使传感器结构(15到17)通过所述外侧边缘与外部元件电耦合。所述传感器元件(10)不具有复杂的多层结构,从而简化了传感器元件(10)。此外,还减小了器件的尺寸。
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