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公开(公告)号：CN100444385C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510129496.3
申请日：2005-12-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/41741 , H01L29/66734 , H01L29/7813
Abstract: 一种具有SJ结构的半导体器件，其具有耐压值高于单元区域的耐压值的周边区域。在周边区域(23)的半导体层(22)内形成包含第二导电型杂质的半导体上层(52)和包含第一导电型杂质的半导体下层(23)，其中半导体下层的杂质浓度低于构成单元区域的组合的第一部分区域(25、27)。在所述半导体上层(52)的表面上形成场氧化层(54)。
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公开(公告)号：CN1790714A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510129496.3
申请日：2005-12-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/41741 , H01L29/66734 , H01L29/7813
Abstract: 一种具有SJ结构的半导体器件，其具有耐压值高于单元区域的耐压值的周边区域。在周边区域(23)的半导体层(22)内形成包含第二导电型杂质的半导体上层(52)和包含第一导电型杂质的半导体下层(23)，其中半导体下层的杂质浓度低于构成单元区域的组合的第一部分区域(25、27)。在所述半导体上层(52)的表面上形成场氧化层(54)。
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公开(公告)号：CN1574393A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047239.0
申请日：2004-05-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/78 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/7802 , H01L29/7813
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括形成pn柱，由此pn柱设计为在一部分半导体衬底内具有条形形状，并且在要形成具有相同结构的多个半导体器件的区域上的衬底表面上，pn柱具有p导电类型和n导电类型的重复图形，在设置有重复图形的区域中形成具有相同结构的多个半导体器件的其余组成部件，而pn柱作为每个半导体器件的组成部件的一部分，以及在形成有相同结构的多个半导体器件的区域中将各半导体器件切割成单个半导体器件芯片。
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公开(公告)号：CN102347356B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110211992.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7391 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7805 , H01L29/7819 , H01L29/7825 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN104157685B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410381270.1
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100530653C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710147106.4
申请日：2007-08-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/42356 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/7817 , H01L29/7821
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1-3)；设置在衬底(1-3)中的横向MOS晶体管(LTa-LTd)；设置在衬底(1-3)中的齐纳二极管(ZDa-ZDd)；以及设置在衬底(1-3)中的电容器(Ca-Ce)。所述晶体管(LTa-LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa-ZDd)和电容器(Ca-Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。
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公开(公告)号：CN101136406A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710147106.4
申请日：2007-08-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/42356 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/7817 , H01L29/7821
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。
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公开(公告)号：CN104157648B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410381254.2
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN102347356A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211992.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H02M7/5387
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7391 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7805 , H01L29/7819 , H01L29/7825 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN104157685A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410381270.1
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/49 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/407 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7391 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7805 , H01L29/7813 , H01L29/7819 , H01L29/7825 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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