公开(公告)号：CN101921980A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010239748.9

申请日：2010-06-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 伊藤俊树 ,  吉村幸三 ,  寺亮之介 ,  都外川真志 ,  二宫泰德

IPC: C23C4/12 ,  C23C4/10 ,  H01L23/373

CPC classification number: C23C4/134 ,  C23C4/11 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种热喷涂涂层形成方法，其在涂层形成表面上形成热喷涂涂层，特征在于包括：在涂层形成表面上热喷涂给料粉末的热喷涂步骤，以及在涂层形成表面上沉积热喷涂的给料粉末并且将其固化形成涂层的沉积和涂层形成步骤，在沉积和涂层形成步骤中，当通过热喷涂在涂层形成表面上沉积时，给料粉末以总体的50％到90％、优选70％到80％为固相态进行沉积，以便提高给料粉末中保留的微晶比例并确保高热导率。

公开(公告)号：CN102315181A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110185855.2

申请日：2011-06-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 真光邦明 ,  金子高久 ,  殿本雅也 ,  西畑雅由 ,  和户弘幸 ,  则武千景 ,  野村英司 ,  伊藤俊树

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/427 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/46 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种包括封装(100)和冷却器(200)的半导体器件。所述半导体封装包括半导体元件(10)、金属构件(20、30)以及用于将所述半导体元件和所述金属构件包封在其中的模制构件(60)。所述金属构件(60)具有热连接到所述半导体元件的金属部(21、31)、在所述金属部上的电绝缘层(22、32)以及在所述绝缘层上的传导层(23、33)。所述传导层至少部分地暴露在所述模制构件的外部并且用作用于辐射所述半导体元件的热的辐射表面。冷却器(200)具有通过其使冷却剂(202)循环的冷却剂通道(201)，以冷却所述传导层。所述传导层和所述冷却器电连接在一起。

公开(公告)号：CN102315181B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201110185855.2

申请日：2011-06-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 真光邦明 ,  金子高久 ,  殿本雅也 ,  西畑雅由 ,  和户弘幸 ,  则武千景 ,  野村英司 ,  伊藤俊树

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/427 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/46 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种包括封装(100)和冷却器(200)的半导体器件。所述半导体封装包括半导体元件(10)、金属构件(20、30)以及用于将所述半导体元件和所述金属构件包封在其中的模制构件(60)。所述金属构件(60)具有热连接到所述半导体元件的金属部(21、31)、在所述金属部上的电绝缘层(22、32)以及在所述绝缘层上的传导层(23、33)。所述传导层至少部分地暴露在所述模制构件的外部并且用作用于辐射所述半导体元件的热的辐射表面。冷却器(200)具有通过其使冷却剂(202)循环的冷却剂通道(201)，以冷却所述传导层。所述传导层和所述冷却器电连接在一起。