公开(公告)号：CN110831759A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880040381.2

申请日：2018-06-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 中尾茂树 ,  近藤宏司 ,  宫野博宇 ,  都外川真志

IPC: B32B9/00 ,  G02B1/115

Abstract: 本发明涉及具有树脂制的基材(2)、形成于其表面的含有金属氧化物的被膜(3)和将基材(2)与被膜(3)之间连结的连结分子链(4)的树脂制光学部件(1)及其制造方法。连结分子链(4)具有式1所示的特定结构。在制造树脂制光学部件(1)时，使含有连结分子的表面处理剂附着于树脂制的基材(2)，照射紫外线，所述连结分子具有键合有烷氧基甲硅烷基或硅烷醇基和叠氮基的三嗪环。接着，在附着面上形成含有金属氧化物的被膜(3)。在上述式1中，A表示任意的2价的连结基团或表示直接键合，R1表示氢或碳原子数1～6的烷基。

公开(公告)号：CN105312576A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510359677.9

申请日：2015-06-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小林荣一 ,  儿玉邦宏 ,  都外川真志

IPC: B22F3/16 ,  B29C67/04

Abstract: 在S102中通过压缩填充在压制成形部中的金属粉末而预形成压制粉末构件之后，在S103中，使压制粉末构件和金属构件相对于彼此滑动。在S104中通过对粉末构件进行进一步加压而将压制粉末构件与金属构件暂时接合之后，在S105中将暂时接合的压制粉末构件和金属构件在烧结炉中烧结，压制粉末构件和金属构件通过烧结扩散而接合。由此，压制粉末构件与金属构件之间的接合面积增大，从而能够提高压制粉末构件与金属构件之间的接合强度。

公开(公告)号：CN102468153B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110333940.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 多屋淳志 ,  金森胜彦 ,  都外川真志

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0133 ,  C30B29/06 ,  C30B33/04 ,  C30B33/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30608

Abstract: 在一种半导体器件的制造方法中，制备包括单晶硅的衬底(10)，在衬底(10)中形成连续延伸的重组层(11)，并通过蚀刻去除重组层(11)。形成重组层(11)包括在衬底(10)中移动激光束(L)的焦点的同时利用脉冲激光束(L)照射衬底(10)，从而使单晶硅的一部分多晶化。

公开(公告)号：CN102468153A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110333940.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 多屋淳志 ,  金森胜彦 ,  都外川真志

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0133 ,  C30B29/06 ,  C30B33/04 ,  C30B33/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30608

Abstract: 在一种半导体器件的制造方法中，制备包括单晶硅的衬底(10)，在衬底(10)中形成连续延伸的重组层(11)，并通过蚀刻去除重组层(11)。形成重组层(11)包括在衬底(10)中移动激光束(L)的焦点的同时利用脉冲激光束(L)照射衬底(10)，从而使单晶硅的一部分多晶化。

公开(公告)号：CN112423981A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980047098.7

申请日：2019-06-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 齐藤大未 ,  近藤宏司 ,  都外川真志 ,  宫野博宇 ,  菅沼义勇 ,  八木谦一 ,  加藤雄一 ,  森邦夫 ,  森克仁 ,  繁田大我

IPC: B32B7/12 ,  F28F1/32 ,  F28F21/04 ,  F28F21/06 ,  F28F21/08 ,  H01L23/36 ,  H05K7/20

Abstract: 接合结构体(1)具有第1被接合部件(11)、第2被接合部件(12)和接合树脂层(13)，所述第1被接合部件(11)具有第1接合面(110)，所述第2被接合部件(12)具有第2接合面(120)，所述接合树脂层(13)配置于第1接合面(110)与第2接合面(120)之间且含有高分子(130)。接合树脂层(13)中的高分子(130)具有沿着与第1接合面(110)和第2接合面(120)交叉的交叉方向(X)取向的高分子主链(130A)。交叉方向(X)优选为沿着接合树脂层(13)的厚度方向(T)的方向。热交换器(2)具有接合结构体(1)，第1被接合部件(11)为管状部件(21)，第2被接合部件(12)为散热片(22)。

公开(公告)号：CN105312576B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201510359677.9

申请日：2015-06-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小林荣一 ,  儿玉邦宏 ,  都外川真志

IPC: B22F3/16 ,  B29C67/04

Abstract: 在S102中通过压缩填充在压制成形部中的金属粉末而预形成压制粉末构件之后，在S103中，使压制粉末构件和金属构件相对于彼此滑动。在S104中通过对粉末构件进行进一步加压而将压制粉末构件与金属构件暂时接合之后，在S105中将暂时接合的压制粉末构件和金属构件在烧结炉中烧结，压制粉末构件和金属构件通过烧结扩散而接合。由此，压制粉末构件与金属构件之间的接合面积增大，从而能够提高压制粉末构件与金属构件之间的接合强度。

公开(公告)号：CN101921980A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010239748.9

申请日：2010-06-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 伊藤俊树 ,  吉村幸三 ,  寺亮之介 ,  都外川真志 ,  二宫泰德

IPC: C23C4/12 ,  C23C4/10 ,  H01L23/373

CPC classification number: C23C4/134 ,  C23C4/11 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种热喷涂涂层形成方法，其在涂层形成表面上形成热喷涂涂层，特征在于包括：在涂层形成表面上热喷涂给料粉末的热喷涂步骤，以及在涂层形成表面上沉积热喷涂的给料粉末并且将其固化形成涂层的沉积和涂层形成步骤，在沉积和涂层形成步骤中，当通过热喷涂在涂层形成表面上沉积时，给料粉末以总体的50％到90％、优选70％到80％为固相态进行沉积，以便提高给料粉末中保留的微晶比例并确保高热导率。